薄膜立体化技術を用いたFEA作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
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概要
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イオン照射誘起薄膜変形(Ion Induced Bending:IIB)技術を利用した電界電子放出型電子源(Field Emitter Array:FEA)作製プロセスを開発した.IIB技術を使うと厚さ20nmの薄膜を立体化し高さ1μmの電子源を作製できる.本プロセスは特殊な装置を必要としない薄膜プロセスであり,イオン照射の条件は一般的な薄膜トランジスタ(TFT)プロセスのイオンドーピングと同等であるため,TFTプロセスとの整合性・融合性を備えているといえる.エミッション電流制御用のTFTを内蔵したFEA作製にも成功した.IIB技術を使ったFEA作製プロセスはTFTの製造ラインを用いることにより,大面積FEAの作製が可能な技術である.
- 2010-10-18
著者
-
長尾 昌善
産業技術総合研究所
-
吉田 知也
産業技術総合研究所
-
金丸 正剛
産業技術総合研究所
-
金丸 正剛
電総研
-
西 孝
産業技術総合研究所
-
清水 貴思
産業技術総合研究所
-
大崎 壽
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
西 孝
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
清水 貴思
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
吉田 知也
独立行政法人 産業技術総合研究所
-
金丸 正剛
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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