イオン照射誘起薄膜変形(IIB)現象を利用したフィールドエミッタアレイ作製プロセスの開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
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概要
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イオン照射誘起薄膜変形(IIB)技術を利用したフィールドエミッタアレイ(FEA)作製プロセスを開発した.IIBとは,薄膜で形成した片持ち梁にイオン照射を施すことで片持ち梁が曲がる現象であり,イオンの照射エネルギーと照射量(ドーズ)で曲げ角度を自在に制御可能,かつ様々な材料に適応可能な曲げ加工技術である.IIB技術をFEA作製に利用するメリットは,数10nmの薄膜を使って高さ数ミクロンの直立薄膜(VTF)エミッタを形成できる省材料プロセスである点,およびFEA作製のために特殊な装置は必要としないため一般的なCMOSプロセスやTFTプロセスとの融合性が高い点である.本プロセスはCMOSやTFTの製造ラインを用いたFEA作製を可能とするプロセスである.
- 2009-10-08
著者
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吉田 知也
独立行政法人産業技術総合研究所
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長尾 昌善
独立行政法人産業技術総合研究所
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清水 貴思
独立行政法人産業技術総合研究所
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金丸 正剛
独立行政法人産業技術総合研究所
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長尾 昌善
独立行政法人 産業技術総合研究所
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吉田 知也
独立行政法人 産業技術総合研究所
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