14-6 高精細FED用ダブルゲートFEA(第14部門 情報ディスプレイ2)
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概要
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The emission current significantly decreases under the focused condition for a conventional double-gated field emitter. We have fabricated the novel double-gated field emitter using RIE and etch-back method. The fabricated double-gated field emitter can focus the electron beam without significant degradation of the emission current.
- 2008-08-01
著者
-
長尾 昌善
産業技術総合研究所
-
吉田 知也
産業技術総合研究所
-
金丸 正剛
産業技術総合研究所
-
萩原 啓
NHK放送技術研究所
-
根尾 陽一郎
静岡大学電子工学研究所
-
三村 秀典
静岡大学電子工学研究所
-
堺 俊克
NHK放送技術研究所
-
根尾 陽一郎
静岡大学・電子工学研究所
-
青木 徹
静岡大学・電子工学研究所
-
青木 徹
静岡大学電子工学研究所
-
斎藤 信雄
NHK放送技術研究所
-
斎藤 信雄
(株)国際電気通信基礎技術研究所
-
三村 秀典
The Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
根尾 陽一郎
静岡大学 電子工学研究所
-
金丸 正剛
電総研
-
武田 匡史
静岡大学電子工学研究所
-
堺 俊克
NHK技研
-
吉田 知也
独立行政法人 産業技術総合研究所
-
金丸 正剛
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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