青木 徹 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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青木 徹
静岡大学電子工学研究所
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畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
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中村 篤志
静岡大学電子工学研究所
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天明 二郎
静岡大学電子工学研究所
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三村 秀典
静岡大学電子工学研究所
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中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
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青木 徹
静岡大学・電子工学研究所
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根尾 陽一郎
静岡大学電子工学研究所
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根尾 陽一郎
静岡大学 電子工学研究所
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根尾 陽一郎
静岡大学・電子工学研究所
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三村 秀典
The Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
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森井 久史
静岡大学電子工学研究所
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森井 久史
静岡大学・電子工学研究所
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三村 秀典
静岡大学・電子工学研究所
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長尾 昌善
産業技術総合研究所
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畑中 義式
愛知工科大学
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中村 篤志
静岡大学大学院・電子科学研究科
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中村 高遠
静岡大学工学部
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東 直人
静岡大学工学部
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清水 克美
静岡大学電子工学研究所
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Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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東 直人
静岡大学地域共同研究センター
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Nakamura Tomohiko
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
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吉田 知也
産業技術総合研究所
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金丸 正剛
産業技術総合研究所
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Niraula Madan
静岡大学電子科学研究科
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ニラウラ マダン
名古屋工業大学・電気情報工学科
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Niraula M
名古屋工大
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ニラウラ マダン
名古屋工大 大学院
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ニラウラ マダン
名古屋工業大学工学部
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三宅 亜紀
静岡大学電子科学研究科
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金丸 正剛
電総研
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小池 昭史
静岡大学電子工学研究所
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石原 純二
静岡大学電子工学研究所
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中川 聡
静岡大学電子工学研究所
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中村 高遠
静大院理工
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田中 昭
静岡大学電子工学研究所
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堀河 敬司
静岡大学電子工学研究所
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富田 康弘
浜松ホトニクス(株)
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岡松 航太
静岡大学電子工学研究所
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三村 秀典
静岡大学大学院電子科学研究科
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Nakamura T
Sumitomo Electric Industries Ltd.
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野田 大二
静岡大学電子工学研究所
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野田 大ニ
静岡大学大学院電子科学研究科電子応用工学専攻画像電子デバイス講座
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小澤 哲夫
静岡理工科大学
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部 宇宙環境利用科学研究系
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松井 宏樹
株式会社シーエムディーラボ
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松井 宏樹
静岡大学電子工学研究所
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松井 宏樹
北陸先端科学技術大学院大学情報科学研究科
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早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
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小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
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百瀬 与志美
静岡大学電子工学研究所技術部
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アリバナンドハン ムカンナン
静岡大学電子工学研究所
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岡野 泰則
静岡大学電子工学研究所
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武田 匡史
静岡大学電子工学研究所
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山下 進
静岡大学電子工学研究所
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酒井 健太郎
名城大学理工学部
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村田 英一
名城大学理工学部
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浅野 浩司
静岡大学電子工学研究所
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坂下 大祐
静岡大学電子工学研究所
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坂下 大祐
静岡大学・電子工学研究所
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松原 勝見
静岡大学・電子工学研究所
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惣田 崇志
静岡大学電子工学研究所
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松原 勝見
静岡大学電子工学研究所
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村田 英一
名城大学理工学部電気電子工学科
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惣田 崇志
静岡大学 電子工学研究所
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ラジェッシュ ゴビンダサミー
静岡大学電子工学研究所
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藤野 高弘
静岡大学電子工学研究所
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畑中 義式
静岡大学 電子科学研究科
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中川 雅史
静岡大学・電子工学研究所
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石田 悠
静岡大学・電子工学研究所
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石田 悠
静岡大学電子工学研究所
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NIRAULA M.
静岡大学電子科学研究科
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上倉 直喜
静岡大学電子工学研究所
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西 孝
産業技術総合研究所
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中川 雅史
静岡大学電子工学研究所
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高木 康男
静岡大学電子工学研究所
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清野 俊明
日本製鋼所
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畑中 義式
静岡大
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中西 洋一郎
静岡大学大学院工学研究科電子工学
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松本 貴裕
スタンレー電気
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根尾 陽一郎
静岡大学大学院電子科学研究科
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小南 裕子
静岡大学大学院電子科学研究科
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恒川 裕輝
静岡大学・電子工学研究所
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高橋 秀年
静岡大学電子科学研究科
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百瀬 与志美
静大電研
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百瀬 与志美
静岡大学電子工学研究所
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Kottaisamy M.
静岡大学電子工学研究所
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塙 裕一郎
静岡大学電子工学研究所
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坂田 拓也
静岡大学電子工学研究所
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韓 貴
静岡大学電子工学研究所
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青木 徹
静岡大学 電子工学研究所
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三宅 亜紀
静岡大学大学院電子科学研究科
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望月 大介
静岡大学 電子工学研究所
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小山 忠信
電子工学研究所技術部
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二橋 得明
浜松ホトニクス
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部宇宙環境利用科学研究系
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松本 貴裕
スタンレー電気株式会社
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原川 崇
静岡大学電子工学研究所
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構
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大原 賢治
電子科学研究科
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橋本 歩
静岡大学電子工学研究所
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四ノ宮 文二
静岡大学電子工学研究所
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田上 智也
静岡大学電子工学研究所
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堀江 瞬
静岡大学電子工学研究所
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恒川 裕輝
静岡大学電子工学研究所
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大原 賢治
静岡大学電子科学研究科
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ラジェツシュ ゴビンダサミー
静岡大学電子工学研究所
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Nakamura T
Tokyo Metropolitan Univ. Tokyo Jpn
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奥村 治彦
株式会社東芝 研究開発センター
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堺 俊克
NHK放送技術研究所
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畑中 義式
静岡大学大学院電子科学研究科
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中島 宏佳
静岡大学電子科学研究科
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中西 洋一郎
静岡大学 電子科学研究科
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中村 正俊
(株)村上開明堂開発部
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SIRGHI Lucel
静岡大学電子工学研究所
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小村 真一
(株)日立ディスプレイズ
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小村 真一
株式会社日立製作所日立研究所
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山下 進
静岡大学・電子工学研究所
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Jeyakumar D.
Central Electrochemical Research Institute
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立岡 浩一
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
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斎藤 信雄
NHK放送技術研究所
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斎藤 信雄
(株)国際電気通信基礎技術研究所
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立岡 浩一
静岡大学工学部
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高田 健司
静岡大学電子工学研究所
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望月 大介
静岡大学電子工学研究所
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富田 康弘
静岡大学浜松ホトニクス
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二橋 得明
静岡大学浜松ホトニクス
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藤波 達雄
静岡大学工学部工業化学科
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横尾 邦義
株式会社イデアルスター
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桑原 弘
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
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川角 明人
静岡大学電子工学研究所
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桑原 弘
静岡大学電子科学研究科
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森田 元彦
Central Electrochemical Research Institute
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D Jeyakumar
Central Electrochemical Research Institute
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小池 昭文
静岡大学電子工学研究所
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奥之山 隆治
静岡大学電子工学研究所
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大西 慶明
静岡大学電子工学研究所
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中島 拓也
静岡大学電子工学研究所
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Jeyakumar D.
Central Electrochemical Res. Inst. Cecri‐csir Karaikudi Ind
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田中 昭
静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
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江上 典文
NHK放送技術研究所
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内田 龍男
東北大学大学院工学研究科
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安室 千晃
産業技術総合研究所
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陶山 史朗
日本電信電話株式会社NTTサイバースペース研究所
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萩原 啓
NHK放送技術研究所
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小南 裕子
静岡大学 電子工学研究所
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佐野 慶一郎
スズキ(株) 技術本部開発第二部
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嶋脇 秀隆
八戸工業大学大学院工学研究科
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村上 由紀夫
NHK放送技術研究所
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陶山 史朗
NTTサイバースペース研究所
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山本 敏裕
NHK放送技術研究所(表示・機能素子研究部)
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時任 静士
NHK放送技術研究所(表示・機能素子研究部)
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小村 真一
(株)日立製作所日立研究所
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村上 宏
NHK放送技術研究所
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陶山 史朗
徳島大学工学部
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内田 龍男
東北大学工学研究科
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Rao M.mohan
Central Electrochemical Research Institute
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Mohan Rao
Central Electrochemical Research Institute
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Kottaisamy M.
静岡大学サテライト・ベンチャービジネス・ラボラトリー
-
Kottaisamy M.
静岡大学 電子工学研究所
-
澤田 和明
静岡大学電子工学研究所
-
藤波 達雄
静岡大
-
時任 静士
Nhk放送技術研究所
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Niraula Madan
静岡大学 電子科学研究科
-
高橋 秀年
静岡大学 電子科学研究科
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水野 武志
静岡大学電子工学研究所
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白松 直樹
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
白松 直樹
三菱電機 (株) 先端技術総合研究所
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白松 直樹
三菱電機株式会社 材料デバイス研究所
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嶋脇 秀隆
八戸工業大学システム情報工学科・助教授
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冨田 誠
静岡大学理学部
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大沢 通孝
富士通日立プラズマディスプレイ(株)
-
大沢 通孝
株式会社日立製作所ディジタルメディア事業部
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小澤 哲夫
静岡工科大学
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野村 雅也
スズキ(株) 技術本部開発第二部
-
小村 真一
日立製作所日立研究所
-
川角 明人
静岡大学 電子工学研究所
-
立岡 浩一
静岡大学 電子科学研究科
-
桑原 弘
静岡大学 電子科学研究科
-
立岡 浩一
静岡大学電子科学研究科
-
中野 文樹
静岡大学電子工学研究所
-
中村 高遠
静岡大学 電子工学研究所・工学部
-
M Kottaisamy
静岡大学サテライト・ベンチャービジネス・ラボラトリー
-
M Mohan
Central Electrochemical Research Institute
-
森田 元彦
静岡大学電子工学研究所
-
スウ ブンケン
静岡大学電子工学研究所
-
東 直人
静岡大学 工学部
-
Kottaisamy M.
静岡大学SVBL
-
M Kottaisamy
静岡大学SVBL
-
Kottaisamy M
静岡大学サテライトベンチャービジネスラボラトリー
-
掘河 敬司
静岡大学電子工学研究所
-
内田 龍男
東北大学大学院
-
尾関 芳孝
静岡大学電子工学研究所
-
Wickramanayaka Sunil
静岡大 電子工研
-
Wickramanayaka S
Anelva Corporation
-
山本 敏裕
Nhk放送技術研究所 (表示・機能素子研究部)
-
中西 壽夫
三菱電機株式会社
-
市川 忠嗣
東日本電信電話株式会社
著作論文
- プラズマ励起化学気相堆積法により作製した水酸基終端型アモルファスTiO_X膜の親水特性
- エネルギー弁別X線CTによる材質識別イメージング(セキュリティカメラ,車載カメラ,サーベイランス技術,関連デバイス,および一般)
- サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成
- 燃焼法による蛍光体の合成
- CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ZnOナノドット形成の基板依存性
- ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Si基板上ZnS薄膜の酸化によるエピタキシャルZnO薄膜の形成と励起子発光
- Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の形成と励起子発光特性
- Si基板上エピタキシャルZnO薄膜の成長と励起子発光特性
- 高エネルギー放射線画像検出器のためのパターンレーザードーピングの研究
- CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
- Si基板上エピタキシャルZnO薄膜の成長と励起子発光特性
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- 電界集中係数緩和を用いた放射電流の安定化(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 情報ディスプレイ(画像エレクトロニクス)(映像情報メディア年報)
- 青色発光CaS:Cu, F薄膜の発光特性
- 青色発光CaS:Cu,F薄膜の発光特性
- 燃焼法による蛍光体の合成
- 水素ラジカル励起MOCVD法による Si 上への ZnSe の成長
- CdTe放射線検出器を用いたイメージング装置の開発
- 放射角制御可能なマイクロカラム用電子銃の作成と評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 静電レンズ一体型FEAの試作と評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Field Emitter Arrayの高機能化とその応用 : FEAを用いた新規アプリケーションの提案(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Field Emitter Arrayの高機能化とその応用 : FEAを用いた新規アプリケーションの提案(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- エネルギー弁別型半導体検出器と画像計測
- フィールドエミッションアレイを用いたX線イメージング技術
- 高精細FED用ダブルゲートFEAの開発(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
- 低電圧駆動ディスプレイ用微粒子蛍光体の合成
- 中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
- SrTiO_3:Pr, Al赤色蛍光体のCL特性に対するAl添加効果
- SrTiO_3:Pr, Al赤色蛍光体のCL特性に対するAl添加効果
- ゾル-ゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光特性
- 赤色発光SrTiO_3:PrAl蛍光体におけるAl添加効果
- ゾルーゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光
- リモートプラズマ励起MOCVDによるZnTe系薄膜の成長と伝導性制御
- リモートプラズマ励起MOCVDによるZnTe系薄膜の成長と伝導性制御(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- リモートプラズマ励起MOCVDによるZnTe系薄膜の成長と伝導性制御
- 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_xTe_混晶の成長(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_XTe_混晶の成長
- 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_xTe_混晶の成長
- クローバーリーフパターンの起源究明 : 電界放射・イオン顕微鏡によるクローバーリーフパターンの解析(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 1-2 情報ディスプレイ(1.画像エレクトロニクス)(映像情報メディア年報)
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ECRプラズマCVDによるプラスチック材料への硬質SiC薄膜の低温形成 -第2報-
- 蛍光体表面の改質による低速電子励起発光特性の向上
- 蛍光体へ被覆した導電層の膜厚と低速電子線励起発光に関する考察
- ゾル-ゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化
- ゾルーゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化
- リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長
- RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 集積型EL素子の作製と発光特性
- 高エネルギー放射線画像検出器のためのパターンレーザードーピングの研究
- 高エネルギー放射線画像検出器のためのパターンレーザードーピングの研究
- リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- エキシマレーザープロセッシングによるCdTe高エネルギー放射線マルチピクセル検出器(画像変換技術)
- エキシマレーザープロセッシングによるCdTe高エネルギー放射線マルチピクセル検出器
- エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
- エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
- エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
- レーザープロセスによるマルチピクセルp-i-n CdTeアレイ
- 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
- 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
- EID2000-18 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
- 青色発光SrGa_2S_4 : Ce薄膜のCe濃度と発光特性
- PPVを配位子とした(π-アレーン)ルテニウム錯体の発光特性
- 4-2 有機EL素子の発光特性に及ぼすTPD薄膜の構造特性の影響
- RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- エキシマレーザープロセスを用いたエネルギースペクトル計数型CdTe高エネルギー放射線イメージングデバイス
- 酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長
- 酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
- 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
- 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
- CdZnTe系化合物半導体を用いた放射線検出器用ダイオードの作製
- サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- プラズマCVD法によるSiC薄膜の形成
- プラズマCVD法によるSiC薄膜の形成
- 有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成
- リモートプラズマ励起MOCVD法を用いたCdSe量子ドット形成の研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- リモートプラズマ励起MOCVD法を用いたCdSe量子ドット形成の研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- リモートプラズマ励起MOCVD法を用いたCdSe量子ドット形成の研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ZnOナノドット形成の基板依存性
- 酸素リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長と評価
- Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性
- ZnOヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMg_xZn_`O混晶の作製
- ZnOヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMgxZn_O混晶の作製
- Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Znoヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMg_XZn_O混晶の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性
- リモートプラズマMOCVDによるZnCdO混晶の成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- リモートプラズマMOCVDによるZnCdO混晶の成長(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- リモートプラズマMOCVDによるZnCdO混晶の成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- リモートプラズマMOCVD法によるZnCdO薄膜の成長
- ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CdTe 高エネルギー放射線イメージングデバイスによるガンマ線エネルギー弁別画像撮像
- リモートプラズマMOCVDによるZnOの成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- リモートプラズマMOCVDによるZnOの成長(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Ce薄膜の構造及び発光特性 : 供給比、堆積速度、熱処理依存性
- 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Ce薄膜の青色発光特性
- 青色発光SrG_2S_4 : Ce薄膜の低速電子線発光におけるH_2S処理の効果
- 4-1 青色発光SrGa_2S_4 : Ce薄膜の作製
- エキシマレーザードーピングによるZnO pn接合形成(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- エキシマレーザードーピングによるZnO pn接合形成
- 水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性
- 水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長
- 水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性
- エキシマレーザードーピングによるZnO pn接合形成
- SrGa_2S_4:Ce薄膜の低速電子線励起発光
- エキシマレーザードーピングを用いたZnO発光ダイオードの作製
- エキシマレーザードーピングを用いたZnO発光ダイオードの作製
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- 水素リモートプラズマアフターグローによる有機金属錯体からの銅薄膜の堆積と評価
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- プラズマ励起化学気相堆積法により作製した水酸基終端型アモルファスTiO_X膜の親水特性
- エキシマレーザードーピングを用いたZnO pnダイオード作製
- エキシマレーザードーピングを用いたZnO pn ダイオード作製
- (Y, La)_2O_3:Eu蛍光体のZn添加効果
- (Y, La)_20_3 : Eu蛍光体のZn添加効果
- (Y,La)_2O_3:Eu蛍光体のZn添加効果(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- マイクロサイズの電子線筐筒の開発とその応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- マイクロサイズの電子線筐筒の開発とその応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- マイクロサイズ電子線筐筒用の電子銃部に関する研究(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 表面プラズモン共鳴による光励起カソードに関する研究(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 12-5 Vertical Thin Film Field Emitter Arrayを用いたCdTe X線イメージングデバイス(第12部門 センシング2)
- 12-6 FEA駆動CdTe-X線イメージセンサ(第12部門 情報センシング2)
- MEH-PPVナノファイバー形成とその発光特性評価
- 20-1 波長識別機能を有する高エネルギー放射線イメージングデバイスの開発(第20部門 特殊撮像・新機能新原理のイメージセンサ)
- 12-2 高速CTを目指した低ステップCT撮影(第12部門 情報センシング2)
- 13-6 レーザー描画計算機ホログラム(第13部門 情報ディスプレイ1)
- 12-6 フォトン毎の立ち上がり信号を利用したCdTeイメージングセンサー(第12部門 センシング2)
- 12-4 低ステップX線CT撮像における垂直方向透過像を用いた画像補間(第12部門 センシング2)
- 12-5 フォトンカウンティングX線センサの高速化(第12部門 情報センシング2)
- 12-4 蓄積型センサーによるX線エネルギー弁別(第12部門 情報センシング2)
- 12-3 材料識別型フォトンカウンティングX線CT(第12部門 情報センシング2)
- 5-3 X線3D-CTを目指したホログラムデータへの直接変換と高速化(第5部門 立体映像技術)
- 5-7 フォトンカウンティング型X線イメージャを用いた材料識別可能なX線CT(第5部門 情報センシング1)
- 14-6 高精細FED用ダブルゲートFEA(第14部門 情報ディスプレイ2)
- 9-8 ホログラムによるエネルギー弁別型X線3DCTシステム(第9部門 立体映像技術)
- 1-3 電流量減少を抑制するダブルゲートFEA構造の提案(第1部門 情報ディスプレイ&ストレージ)
- 9-8 ホログラフィを用いたX線CT画像の立体化への試み(第9部門 情報ディスプレイ2)
- 5-6 フィールドエミッタ駆動X線イメージャー(第5部門 情報センシング1)
- 1-6 FEA駆動フォトンカウンティング型CdTe-X線イメージングデバイス(第1部門 センシング&コンシューマエレクトロニクス&ストレージ)
- 超高精細FED用微小電子源の電子光学特性
- 2-12 高精細FED用静電レンズ一体型FEAの試作と評価(第2部門 ディスプレイ)
- SrGa_2S_4:Ce薄膜の低速電子線励起発光
- 2-11 白色X線とエネルギー弁別型フォトンカウンティング検出器によるDual X-ray CT撮像に関する研究(第2部門 情報ディスプレイ,マルチメディアストレージ,コンシューマエレクトロニクス,情報センシング)
- 1. X線イメージング(非可視光領域のセンシング・画像処理技術)
- 中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))