リモートプラズマ励起MOCVDによるZnTe系薄膜の成長と伝導性制御

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概要

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緑色発光デバイスを目指してn型のZnTe系単結晶薄膜を悦こととバンド制御を目的としてリモートプラズマ励起MOCVDによりZnTe及びZnSe_xTe_<1-x>薄膜を成長した。良好なZnTe薄膜が得られたが、ドーパントとしてVII族減量のn-BtIを用いてn型ZnTe薄膜の作成を試みたが抵抗率の大きな変化は確認することができなかった。一方、II族原料のDEZnを一定にしVI族原料のDESe及びDETeの比を変化させることにより全範囲で任意に組成比xを持つZnSe_xTe_<1-x>薄膜を成長することができた。ZnSe_<0.2>Te_<0.8>薄膜においてヨウ素ドーピングを試みたところ、n型として低抵抗化し、ZnSe_xTe_<1-x>混晶はバンド制御のみでなくn型化においても有効であることがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2003-01-20

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