レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^<2+>薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)

概要

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FEDや白色LED用の緑色蛍光体として期待されているSrGa_2S_4:Eu^<2+>薄膜蛍光体を二源電子ビーム蒸着法により作製した。この方法において、SrS:EuおよびGa_2S_3:Euの2つのペレットを使用し同時に蒸着させた。蒸着後のアニールとして、従来の高温アニール(850℃)に加えて、低温熱アニール(500℃)とレーザアニールの併用によるアニール温度の低温化を試みた。後者の方法によっても、X線回折測定によってSrGa_2S_4の回折線が確認され、またPL及びCLいずれのスペクトルにおいてもEu^<2+>発光中心による、530nmにピークを持つ緑色の発光が得られた。このことは、レーザアニールを併用することにより、600℃以下の低温熱アニールによってもSrGa_2S_4:Eu^<2+>薄膜蛍光体の形成が可能であることが示された。但し、10kV、60μA/cm^2の励起での輝度が、高温熱アニール30000cd/m^2に対して、[低温+レーザ]アニールでは2000cd/m^2と低く、高輝度化が今後の課題である。
2009-01-29