CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

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概要

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放射線イメージングデバイスの放射線検出素子としてダイシングにより0.8mm×2mm×0.5mmサイズのCdTe素子の作製を行った。ダイシング後表れた端面には表面電流が低く抑えられ、リーク電流を低くする効果が現れた。また、これらのCdTe素子を用いてCo57のエネルギースペクトルを測定したところ、122keVのピークについて、リーク電流の低いもの程半値幅が狭く、又はピークカウント数が大きい傾向が得られた。512個の均一な特性のCdTe素子を用いて512ピクセルイメージングデバイスを作製したところ、X線透過画像が得られた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-05-07

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