Si基板上に作製したSrS:Cu,F薄膜EL素子の発光特性
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概要
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優れた青色発光薄膜EL素子を目指し、CaS:Cu,F薄膜の作製を行い、構造特性及びPL特性のアニール条件依存性について検討した。800℃以上の高温で両特性の改善が顕著に見られた。またこれらの改善はともに10minほどで飽和の傾向を示した。よってアニールは800℃以上で10分程度が適当であると考えられる。Si基板上に、絶縁層としてSiO_2及びY_2O_3、バッファ層としてZnSを用いてEL素子を作製した。この素子から青色発光が得られたが、非常に微弱であった。そこでSrS:Cu,F薄膜EL素子をSi基板上に作製し、発光特性を検討した。本実験ではZnS薄膜による第一、第二バッファ層を用いた素子構造が良いという結果が得られた。この構造で900℃,10minのアニールをした素子から約478nmにピークを持つ青色発光が得られた。また1kHzの台形波電圧駆動で230V_0-pのとき319cd/m^2輝度が得られ、そのときの色度は(0.180,0.289)であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-06
著者
-
畑中 義式
愛知工科大学
-
小南 裕子
静岡大学 電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学 電子科学研究科
-
袴田 新太郎
静岡大学電子科学研究科
-
江原 摩美
静岡大学電子科学研究科
-
江原 摩美
静岡大学 電子科学研究科
-
袴田 新太郎
静岡大学 電子科学研究科
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