355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
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概要
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レーザアニールを用いた薄膜蛍光体の低温作製技術について研究を行っている。蛍光体にSrGa_2S_4:Eu^<2+>を用いており、Ga_2S_3:Eu(1mol%),SrS:Eu(2mol%)の二つのペレットを二元電子ビームにより蒸着させ、プレアニール(500℃)後Nd:YAG(355nm)レーザアニールを行い薄膜を作製している。本研究では355nmレーザによって薄膜が結晶化されるメカニズムを考察するため、SrS:Eu,Ga_2S_3:Eu薄膜の分光透過率を測定し、これを元に熱伝導方程式を用いたシミュレーションを行った。355nmにおける透過率はGa_2S_3よりSrSの方が大きく、レーザエネルギー吸収による熱発生の割合はGa_2S_3の方が大きいという結果がシミュレーションより得られた。このことよりレーザアニール中Ga_2S_3が主にレーザ光を吸収、発熱し、その熱が伝わりSrGa_2S_4が結晶化されたものと考えられる。また、レーザアニールに対し発振周波数がどのように寄与しているか調べるため、周波数を8kHzから10Hzへと変更した試料を作製した。10Hzレーザアニールの試料はほとんど発光を示さず、XRD測定結果からアモルファスであることが分かった。これは低周波数のレーザではパルス間の時間が長いため、吸収による温度の上昇がパルス毎に加算されなかったためだと考えられる。
- 2011-01-21
著者
-
山崎 貴久
静岡大学
-
清野 俊明
日本製鋼所
-
小南 裕子
静岡大学
-
中西 洋一郎
静岡大学
-
畑中 義式
愛知工科大学
-
原 和彦
静岡大学
-
小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
-
畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
畑中 義式
静岡大
-
原 和彦
静岡大学 電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大
-
中西 洋一郎
静大電子研
-
Nakanishi Y
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
Nakanishi Yoichiro
Research Institute Of Electronics Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka Univ
-
Nakanishi Yoshiki
Department Of Materials Science And Engineering Iwate University
-
畑中 義式
浜松ホトニクスKK静岡大学電子工学研究所
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