畑中 義式 | 静岡大
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概要
関連著者
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畑中 義式
静岡大
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畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
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畑中 義式
愛知工科大学
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畑中 義式
浜松ホトニクスKK静岡大学電子工学研究所
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小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
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中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
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中西 洋一郎
静岡大学
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中西 洋一郎
静岡大
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小南 裕子
静岡大学
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原 和彦
静岡大学 電子工学研究所
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清野 俊明
日本製鋼所
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小南 裕子
静岡大学 電子工学研究所
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中西 洋一郎
静岡大学 電子科学研究科
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原 和彦
静岡大学電子工学研究所
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原 和彦
静岡大学
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山崎 貴久
静岡大学
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中西 洋一郎
静大電子研
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Nakanishi Yoshiki
Department Of Materials Science And Engineering Iwate University
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安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所
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青木 徹
静岡大学 電子工学研究所
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奥村 佳弘
ミノルタ株式会社研究開発本部
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安藤 隆男
静岡大学
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富田 康弘
浜松ホトニクス株式会社
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富田 康弘
浜松ホトニクス
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河合 敏昭
浜松ホトニクス
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河合 敏昭
浜松ホトニクス株式会社
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富田 康弘
浜松ホトニクス(株)
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Nakanishi Y
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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Nakanishi Yoichiro
Research Institute Of Electronics Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka Univ
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永田 幹夫
浜松ホトニクス(株)
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高林 敏雄
浜松ホトニクス(株)
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高林 敏雄
浜松ホトニクス
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安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所 テレビジョン学会画像入力シンポジウム実行委員会
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安藤 隆男
財団法人浜松地域テクノポリス推進機構浜松地域知的クラスター本部
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高橋 秀年
静岡大学電子科学研究科
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高林 敏雄
浜松ホトニクス株式会社電子管事業部
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青木 徹
静岡大学
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山崎 貴久
静岡大学電子工学研究所
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新井 裕子
(株)日本製鋼所
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鈴木 佳子
静岡大学電子工学研究所
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鈴木 佳子
静大
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中村 高遠
静岡大学工学部
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原川 崇
静岡大学電子工学研究所
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新井 裕子
静岡大学 電子工学研究所
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上倉 直喜
静岡大学電子工学研究所
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上倉 直喜
静岡大学 電子工学研究所・工学部
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中村 高遠
静岡大学 電子工学研究所・工学部
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大塚 勝博
静岡大学 電子工学研究所
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Nakamura Tetsuro
Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
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Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
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寺田 享右
静岡大学電子工学研究所
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三上 昌義
三菱化学科技研センター
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加藤 雅俊
静岡大学電子工学研究所
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青木 徹
静岡大学電子工学研究所
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寺田 享右
静岡大学 電子工学研究所
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三上 昌義
三菱化学科学技術研究センター
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奥村 佳弘
静岡大学電子工学研究所
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澤田 和明
静岡大学・電子工学研究所
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纐纈 直行
静岡大学 電子工学研究所
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Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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密岡 久仁彦
静岡大
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三本 明哲
静岡大学 電子工学研究所
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栗原 直宏
静岡大学電子工学研究所
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安間 英任
(株)小糸製作所
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杉浦 健二
静岡大学電子工学研究所
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陳 清亜
中国・宜昌電子管工場
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澤田 和明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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清野 俊明
(株)日本製鋼所
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中村 篤志
静岡大学電子工学研究所
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安田 安生
静岡大学電子工学研究所
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福田 安生
静岡大学電子科学研究科
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福田 安生
日本鋼管(株)中央研究所
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安藤 隆男
静岡大
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畑中 義式
静岡大学大学院電子科学研究科
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澤田 和明
豊橋技術科学大学
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澤田 和明
静岡大
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澤田 和明
静岡大学電子工学研究所
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池田 武
静岡大学電子工学研究所
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奥村 佳弘
静岡大学・電子工学研究所
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曽和 国容
デンソー工業技術短期大学校
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大原 賢治
電子科学研究科
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浅井 義裕
東芝
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桑原 弘
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
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中野 文樹
静岡大学電子工学研究所
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大原 賢治
静岡大学電子科学研究科
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堀河 敬司
静岡大学電子工学研究所
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Nakamura Tomohiko
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
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加藤 泰樹
静岡大学電子工学研究所
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清野 俊明
JSW株式会社 日本製鋼所
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堀河 敬司
静岡大学 電子工学研究所
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吉本 侑司
(株)小糸製作所
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杉浦 健二
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Nakamura Takuya
The Faculty Of Engineering Saitama University
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青山 満
静岡大学電子工学研究所技術部
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曽和 国容
日本電装(株)
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田部 雅美
日本電装
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田部 雅美
日本電装工業技術短期大学校
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中野 文樹
静岡大学 電子工学研究所
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武林 慶一郎
静岡大学 電子工学研究所
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武林 慶一郎
静岡大学電子工学研究所
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陳 清亜
中国湖北省宜昌電子管工場
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北村 健
ミノルタ株式会社研究開発本部
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高橋 浩之
東京大学人工物工学研究センター
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森本 隆史
ミノルタ株式会社
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宮武 茂博
ミノルタ株式会社
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石田 耕一
ミノルタ株式会社
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増田 敏
ミノルタ株式会社研究開発本部
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鈴木 佳子
静大電子研
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増田 剛
静岡大学 電子工学研究所
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河合 敏昭
浜ホト
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大庭 弘一郎
浜松ホトニクス株式会社
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畑中 義式
静岡大学 電子科学研究科
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青山 満
静岡大学
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中村 正俊
(株)村上開明堂開発部
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SIRGHI Lucel
静岡大学電子工学研究所
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百瀬 与志美
静大電研
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百瀬 与志美
静岡大学電子工学研究所
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立岡 浩一
静岡大
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立岡 浩一
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
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内藤 真也
静岡大学電子工学研究所
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白柳 雄二
浜松ホトニクス株式会社 電子管技術部 電子管開発G
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松井 信二郎
浜松ホトニクス株式会社 電子管技術部 電子管開発G
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三澤 雅樹
産業技術総合研究所
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高橋 浩之
東京大学 人工物工学研究センター
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桑原 弘
静岡大学大学院電子科学研究科
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立岡 浩一
静岡大学工学部
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山崎 貴久
静岡大学 電子工学研究所
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高橋 秀年
静岡大学 電子科学研究科
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富田 康弘
静岡大学浜松ホトニクス
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水野 武志
静岡大学電子工学研究所
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百瀬 与志美
静岡大学電子工学研究所技術部
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Korzec C.
静岡大学工学部
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伊藤 達也
静岡大学大学院工学研究科
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畑中 義式
静岡大学・電子工学研究所
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安藤 隆男
静岡大学・電子工学研究所
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真鍋 洋明
静岡大学電子工学研究所
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国府田 修一
静岡大学
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畑中 義式
静大
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島岡 五郎
静大
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浅井 義裕
東芝電子技術研究所
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島岡 五朗
オーストラリア・ニューサウスウェルズ大学
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青山 満
静岡大学電子工学研究所
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山口 十六夫
静岡大学
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桑原 弘
静岡大学 電子科学研究科
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森 晋也
静岡大
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立岡 浩一
静大工業短大
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桑原 弘
静大工業短大
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伊藤 達也
静岡大学電子工学研究所
-
木下 治久
静岡大学電子工学研究所
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中村 高遠
静大院理工
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尾関 芳孝
静岡大学電子工学研究所
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ウィクラマナヤカ スニル
静岡大学電子工学研究所
-
スニル ウィクラマナヤカ
静岡大学 電子工学研究所
-
密岡 久仁彦
静岡大学電子工学研究所
-
河合 敏昭
静岡大学
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Nakamura Tomoyuki
Fine Chemicals And Polymers Research Laboratory Nof Corporation
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増田 剛
静岡大学電子工学研究所
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鈴木 勝実
静岡大学電子工学研究所
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高橋 遵
静岡大学電子工学研究所
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Jayatissa A.H.
静岡大学電子工学研究所
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森 晋也
静岡大学電子工学研究所
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宮武 茂博
ミノルタ
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今田 武史
静岡大
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今田 武史
静岡大学 電子工学研究所
-
尾関 芳孝
静岡大学 電子工学研究所
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水野 武志
静岡大学 電子工学研究所
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藁科 真理子
(株)小糸製作所
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安間 英任
静岡大学電子科学研究科
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吉本 侑司
株式会社小糸製作所研究所1G
-
田中 真里子
株式会社小糸製作所研究所1G
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土岐 淳二
(株)小糸製作所研究所
-
池田 利正
(株)小糸製作所研究所
-
徐 應瑜
静岡大学大学院電子科学研究科
-
大塚 勝博
静岡大学電子工学研究所
-
大塚 勝博
日本電気株式会社モバイルコミニュケーション事業部第二基礎開発部
-
大塚 勝博
NECモバイルコミニュケーション事業部
-
国府田 修一
静岡大学電子工学研究所
-
袴田 新太郎
静岡大学電子科学研究科
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高林 敏雄
静岡大
-
永田 幹夫
静岡大
-
富田 康弘
静岡大学工学部
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高橋 正浩
静岡大
-
Sunil Wickramanayaka
静岡大学電子工学研究所
-
畑中 義武
静岡大学電子工学研究所
-
Nakamura Tetsuro
School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
中村 守孝
静岡大学電子工学研究所
-
徐 應瑜
静岡大学 電子科学研究科
-
塩沢 憲一
静岡大学電子工学研究所
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Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo
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Muniasamy Kottaisamy
静岡大
-
古川 省吾
日本電装工技短大
-
大庭 弘一郎
浜松ホトニクス株式会社電子管第2事業部第5製造部
-
大庭 弘一郎
浜松ホトニクスkk静岡大学電子工学研究所
-
山口 十六夫
静岡大 電子工研
-
Korzec D
静岡大学工学部
-
Jeyaknmar D
Central Electrochemical Research Inst.
-
Rao M
Central Electrochemical Research Inst.
-
古川 省吾
日本電装工業技術短期大学校
-
周 桂喜
静岡大学電子工学研究所
-
周 桂喜
静岡大学大学院電子科学研究科
著作論文
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ZnO-Al_2O_3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- a-Si/c-Si積層構造における光電流増倍現象
- X線光電子分光法によるa-Si:H/ITO,SnO_2界面の研究
- シリコンのグロー放電プラズマ酸化膜のX線光電子分光法による評価
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
- エネルギー弁別型フォトンカウンティング放射線ラインセンサ(X線カラースキャナ)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
- ガラス管内部形状の高精度加工 : ホロ・カソードジェット型プラズマ源の制作
- 12-6 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオード
- 5)α-Si : H/α-Si_Cx : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍(情報センシング研究会)
- a-SiC:H/c-Siヘテロ接合バンドオフセットを利用したアバランシェフフォトダイオード
- Si : H/a-Si_C_x : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍
- 2-2 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオードの光電変換特性
- a-Si:H/a-Si_1-xC_x:H傾斜構造を用いた光電変換膜による光電流増倍
- SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果
- SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性
- SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性
- 5)アモルファスシリコン受光デバイスにおけるMIS接合(〔テレビジョン電子装置研究会画像表示研究会〕合同)
- アモルファスシリコン受光デバイスにおけるMIS接合 : 電子装置 : 画像表示(画像デバイス)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 6)多元蒸着により作製したSrSe : Ce薄膜の構造および発光特性(情報ディスプレイ研究会)
- 5)ZnS : Tm, F薄膜の電荷補償(情報ディスプレイ研究会)
- 1)アモルファスシリコン受光デバイスにおける電極界面の検討(情報入力研究会)
- アモルファスシリコン受光デバイスにおける電極界面の検討
- エリプソメトリによる薄膜堆積初期過程の「その場」計測
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
- ガス滴定法による中性原子ラジカルの計測
- 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価
- 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価
- 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- 2-1 堆積ボルカノ型エミッタの電子放出特性
- 14)蛍光体へ被覆した導電層の膜厚と低速電子線励起発光に関する考察(情報ディスプレイ研究会)
- 15)ゾル-ゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 13)集積型EL素子の作製と発光特性(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 高周波スパッタ法で作成された酸化チタン薄膜における光励起電流の再結合過程
- 酸化チタン薄膜の光伝導と交流伝導
- ZnO-Al_2O_3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性
- レーザーディスプレイによる感情表現
- (Sr_Ca_x)Cl_2:Eu蛍光体の発光特性
- 固相合成法により作製したSrY_2S_4:Euの発光特性
- 赤色発光(Sr_Ba_x)S:Eu薄膜EL素子の作製
- (Sr_Ca_x)Cl_2:Eu蛍光体の発光特性
- プラズマCVDによる紫外線カット膜のプラスチック上への低温形成
- プラズマCVDによるZnO膜のプラスチック上への低温形成
- 凹凸プラスチック表面上への均一SiC膜の形成
- リモートプラズマCVD法を用いたHMDSからのSi系薄膜形成過程の検討
- p-i-na-Si : H光導電層と画素分離されたアルミ反射鏡を持つ液晶空間光変調器
- P-i-na-Si:H光導電層と画素分離されたアルミ反射鏡を持つ液晶空間光変調器
- p-i-n a-Si:H光導電層と画素分離されたアルミ反射鏡を持つ液晶空間光変調器
- 液晶空間光変調器の構造及び動作
- 2-8 液晶空間光変調器の光導電層の検討
- 高感度CdTe光導電膜を用いたビジコン型X線イメージセンサ
- 3)スパッタ法によるCdS/CdTeヘテロ接合を用いたX線ビジコン(情報入力研究会)
- スパッタ法によるCdS/CdTeヘテロ接合を用いたX線ビジコン : 不可視情報入力(X線) : 情報入力
- 1)スパッタ法によるCdS/CdTeヘテロ接合X線イメージセンサ(情報入力研究会)
- スパッタ法によるCdS : CdTeヘテロ接合X線イメージセンサー
- 19)第9回光電画像電子装置シンポジウム報告(〔テレビジョン電子装置研究会 画像表示研究会〕合同)
- 8)SrSe : Ce/ZnS : Mn積層薄膜の白色ELとRGB化(〔情報入力研究会 情報ディスプレイ研究会〕合同)
- 実時間画像処理による鏡面検査システム
- (Sr_Ca_x)Cl_2:Eu蛍光体の発光特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 赤色発光(Sr_Ba_x)S:Eu薄膜EL素子の作製(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 酸素プラズマ流における励起酸素原子の密度
- 水素化アモルファスシリコンを用いたMIS接合における光劣化特性
- 28-5 高感度CdTe光導電膜を用いた高解像度X線ビジコン
- 7)Y_2O_3 : Eu/ZnS/Y_2O_3 : Eu構造の赤色EL(情報ディスプレイ研究会)
- マグネトロンスパッタ法により作成したY_2O_2S : Eu薄膜(情報ディスプレイ研究会)(波形等化技術)
- 酸化チタン薄膜の光電流における拡張指数関数
- 17)多元蒸着法による青色光EL用CaGa_2S_4 : Ce薄膜の作製(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 16)多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Ce薄膜の構造及び発光特性 : 供給比, 堆積速度, 熱処理依存性(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 5)青色発光とSrGa_2S_4 : Ce薄膜のCe濃度と発光特性(情報ディスプレイ研究会)
- 2)青色発光SrGa_2 S_4 : Ce薄膜の低速電子線発光におけるH_2S処理の効果([情報センシング研究会 情報ディスプレイ研究会]合同)
- 13)Y_2O_2S : Eu^赤色微粒子蛍光体の合成(情報ディスプレイ研究会)
- 7)フッ化物薄膜EL素子の構造と発光特性(情報ディスプレイ研究会)
- ガス適定法を用いたラジカルビーム計測
- 6)PCEL素子のメモリー動作機構(情報ディスプレイ研究会)
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製
- プラズマ励起化学気相堆積法により作製した水酸基終端型アモルファスTiO_X膜の親水特性
- 赤色発光(Sr_Ba_x)S:Eu薄膜EL素子の作製
- 固相合成法により作製したSrY_2S_4:Euの発光特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 固相合成法により作製したSrY_2S_4:Euの発光特性
- Si基板上CaS:Cu,F薄膜EL素子の発光特性
- クエン酸ゲル法により作製した希土類付活Zn-Y-O粉末蛍光体の評価
- クエン酸ゲル法により作製した希土類付活Zn-Y-O粉末蛍光体の評価
- 3)HEI-EL(ホットエレクトロン注入型EL)素子の発光特性(情報入力研究会)
- 1)平面型熱電子源を有する平面ディスプレイの基礎的検討(〔テレビジョン電子装置研究会画像表示研究会〕合同)
- 平面電子源を有するパネルディスプレーの基礎的研究
- 平面型熱電子源を有する平面ディスプレイの基礎的検討 : 電子装置 : 画像表示(画像デバイス)
- 1-3 アモルファスシリコン受光デバイスにおける電磁界面の検討