青山 満 | 静岡大学電子工学研究所技術部
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概要
関連著者
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青山 満
静岡大学電子工学研究所技術部
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青山 満
静岡大学電子工学研究所
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山口 十六夫
静岡大学
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山口 十六夫
静岡大 電子工研
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畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
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山口 十六夫
静岡大学電子工学研究所
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菅 博文
浜松ホトニクス
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安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所
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ゴン 秀英
浜松ホトニクス(株)中央研究所
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牧野 貴光
浜松ホトニクス(株)中央研究所
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青山 満
電子工学研究所
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〓 秀英
浜松ホトニクス(株)中央研究所
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熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
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三村 秀典
静岡大学大学院電子科学研究科
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萬行 厚雄
静岡大学電子工学研究所
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Rowell L.
カナダ度量衡研究所
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Rowell Nelson
Institute For National Measurement Standards National Research! Council
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POSTAVA Kamil
静岡大学電子工学研究所
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陳 清亜
中国・宜昌電子管工場
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森本 茂豊
静岡大学電子工学研究所
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岡本 忍
静岡大学電子工学研究所
-
畑中 義式
静岡大
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安藤 隆男
静岡大
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小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
-
斉藤 順雄
高松工専
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勝野 廣宣
静岡大学電子工学研究所技術部
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神田 洋三
東洋大学工学部電気電子工学科
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早川 秦弘
静岡大学電子工学研究所
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Rowell N
カナダ度量衡研究所
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岡本 忍
静岡大学 電子工学研究所
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兼子 勇一
静岡大学電子工学研究所
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Postava K
Technical Univ. Ostrava Ostrava‐poruba Cze
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戎 俊男
静岡大学電子工学研究所
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[ゴン] 秀英
浜松ホトニクス(株)
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青山 満[他]
静岡大学電子工学研究所
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三村 秀典
静岡大学電子工学研究所
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中山 政勝
静岡大学電子工学研究所
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三村 秀典
静岡大学・電子工学研究所
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青山 満
静岡大学
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小山 忠信
電子工学研究所技術部
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水谷 友一
静岡大学電子工学研究所
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水野 武志
静岡大学電子工学研究所
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中西 光広
農学部技術部
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百瀬 与志美
静岡大学電子工学研究所技術部
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百瀬 与志美
電子工学研究所
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中本 順子
工学部物質工学科
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岩本 慎二
工学部
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畑中 義式
静岡大学・電子工学研究所
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佐藤 元彦
静岡大学・電子工学研究所
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浅井 義裕
東芝
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浅井 義裕
静岡大学電子工学研究所
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青山 満
静岡大学・電子工学研究所
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ROWELL Nelson
Institute for National Measurement Standards, National Research Council
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勝野 広宣
静岡大学電子工学研究所
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飯田 剛史
浜松ホトニクス(株)中央研究所
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村上 健司
静岡大学電子工学研究所
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和田 和司
静岡大
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Chauvaux Regis
(株)クレステック
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友田 和一
地域共同研究センター
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深沢 淳
静岡大学・電子工学研究所
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高橋 勲
静岡大学電子工学研究所技術部
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犬塚 善久
静岡大学電子工学研究所
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中尾 芳也
静岡大学電子工学研究所
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深沢 淳
静岡大学電子工学研究所
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林 尚久
大日本スクリーン製造(株)技術研究所
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Chauvaux R
クレステック
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末木 博
静岡大学電子工学研究所
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中務 俊之
静岡大学電子工学研究所
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Postava K
Research Institute Of Electronics Shizuoka University:department Of Physics Technical University Ost
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ジャヤティッサ A.H.
静岡大学電子工学研究所
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和田 和司
ソニー(株)半導体事業本部
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近江 武史
高岳製作所・静岡大学電子工学研究所
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陳 清亜
中国湖北省宜昌電子管工場
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陳 清亜
静岡大学電子工学研究所
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江尻 哲夫
静岡大学電子工学研究所
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大伊 宏育
静岡大学電子工学研究所
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青山 満
静岡大学, 電子工学研究所
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畑中 義式
静岡大学, 電子工学研究所
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安藤 隆男
静岡大学, 電子工学研究所
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Postava Kamil
Research Institute Of Electronics Shizuoka University:department Of Physics Technical University Ostrava
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中本 順子
静岡大学工学部技術部基盤技術支援室
-
青山 満
静岡大
著作論文
- 平成11年度 機器・分析技術研究会 報告
- 2-7 アモルファスシリコン紫外線イメージセンサー
- 2-9 アモルファスシリコン撮像管(III)
- 分光エリプソメトリによるa-SiN_x薄膜の光学的特性評価
- 分光エリプソメトリによるInAs陽極酸化層の光学的特性評価
- 半導体の光学特性のサイズ依存性(II) : SIMOXの上部Si層
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 分析機器に関する学内研修の実施
- 分光エリプソメトリによるRFスパッタa-SiN薄膜の堆積過程モニタリング
- 分光エリプソメトリによるRFスパッタa-Sin薄膜の堆積過程モニタリング
- 非晶質材料のモデル誘電率関数
- InAs基板上に成長させたGaInAsSbのキャリア移動度の評価法
- 高品質GaInAsSb/InAsの液相成長
- 網膜の機能を組み込んだ画像入力デバイスの検討
- 平成13年度 東海・北陸地区国立学校等技術専門職員研修 : 物理・化学コース
- 硫黄不活性化処理による室温動作InAsPSb/InAs中赤外光検出器の感度向上
- 高圧ガスの法規と資格
- 非晶質シリコンを用いた高精細撮像デバイス
- 2-3 a-Si : Hの軟X線撮像デバイスへの応用
- 室温動作高感度InAs/InAsPSb中赤外光検出器
- SiC表面分解法によるカーボンナノチューブの生成初期過程
- 分光エリプソメトリによるフラーレン結晶の評価
- 分光エリプソメトリによるフラーレン結晶の評価
- 5-5 平面状電子源の検討(II)
- 5-2 平面状電子源の検討
- a-SiC : H膜の高精細撮像デバイスへの応用
- 分光エリプソメトリによるエピタキシャルZnO層の光学的特性(ドーピング効果)
- 低誘電率(low-k)層間絶縁膜の光学特性
- 分光エリプソメトリによるエピタキシャルZnO層の光学的特性(ドーピング効果)
- 分光エリプソメトリによるSi基板の温度と表面層厚さのその場計測
- 極端紫外光実験施設(UVSOR、岡崎分子科学研究所)の利用報告
- サファイア基板上のエピタキシャルZnO薄膜の分光エリプソメトリ
- サファイア基板上のエピタキシャルZnO薄膜の分光エリプソメトリ
- 二重変調方式による高性能光半導体解析システムの紹介
- InAs基板上の液相エピタキシャルGa_1-xIn_xAs_1-ySb_y層の光学的性質
- 分光エリプソメトリにおける多変数解析の解の単一性
- 分光エリプソメトリ解析に有用な非晶資材料の経験的誘電率関数
- 分光エリプソメトリー解析に有用な非晶質材料の経験的誘電率関数とその応用
- SOI構造の光学的評価
- CCD可変空間フィルタ
- 4-14 PVF_2焦電ビジコン電極改良とターゲット熱拡散性の検討
- 3-2 PVF_2焦電ビジコンにおける電子ビーム系の検討
- 経験的誘電関数による非晶質材料の分光エリプソメトリ解析
- 高純度GaInAsSb/InAs液相エピタキシャル層の電気的特性
- 半導体の光学特性のサイズ依存性(I)Ge
- 1)平面型熱電子源を有する平面ディスプレイの基礎的検討(〔テレビジョン電子装置研究会画像表示研究会〕合同)
- 平面型熱電子源を有する平面ディスプレイの基礎的検討 : 電子装置 : 画像表示(画像デバイス)
- 4-7 パネルディスプレイ用平面電子源に関するシミョウレーション
- 4-9 アモルファスシリコン膜の電子衝撃電流(EBIC)
- 平面型ディスプレイ用平面状電子源
- 撮像管用ダイオード銃の電子ビーム発散角と電流密度分布
- 高精細度用撮像管電子銃
- 2-3 ダイオード銃における電子ビームの電流密度分布(II)
- 3-6 ダイオード銃における電子ビームの電流密度分布
- 3-4 走査電子密度分布と解像度及び残像