畑中 義式 | 静岡大学電子工学研究所

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概要

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• 同名の論文著者
• 静岡大学電子工学研究所の論文著者

関連著者

• 畑中 義式

  静岡大学電子工学研究所

• 中西 洋一郎

  静岡大学電子工学研究所

• 畑中 義式

  静岡大

• 小南 裕子

  静岡大学電子工学研究所

• 青木 徹

  静岡大学電子工学研究所

• 畑中 義式

  愛知工科大学

• 中村 高遠

  静岡大学工学部

• Nakamura Tomohiko

  The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University

• Nakamura T

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• 中村 篤志

  静岡大学電子工学研究所

• 立岡 浩一

  静岡大学工学部

• 桑原 弘

  静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部

• 中西 洋一郎

  静岡大学

• 立岡 浩一

  静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部

• 河合 敏昭

  浜松ホトニクス

• 畑中 義式

  静岡大学 電子科学研究科

• Nakamura Tomoyuki

  Fine Chemicals And Polymers Research Laboratory Nof Corporation

• 中西 洋一郎

  静岡大学 電子科学研究科

• 三宅 亜紀

  静岡大学電子科学研究科

• 桑原 弘

  静岡大学工学部

• 中村 高遠

  静大院理工

• 原 和彦

  静岡大学電子工学研究所

• 小南 裕子

  静岡大学 電子工学研究所

• Niraula Madan

  静岡大学電子科学研究科

• ニラウラ マダン

  名古屋工業大学・電気情報工学科

• Niraula M

  名古屋工大

• 中西 洋一郎

  静岡大

• ニラウラ マダン

  名古屋工大 大学院

• ニラウラ マダン

  名古屋工業大学工学部

• 堀河 敬司

  静岡大学電子工学研究所

• 清野 俊明

  日本製鋼所

• 高橋 秀年

  静岡大学電子科学研究科

• 青木 徹

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 安藤 隆男

  静岡大学電子工学研究所

• 原 和彦

  静岡大学 電子工学研究所

• 富田 康弘

  浜松ホトニクス(株)

• 東 直人

  静岡大学工学部

• 東 直人

  静岡大学地域共同研究センター

• 原 和彦

  静岡大学

• 西田 亮三

  静岡大学電子工学研究所

• 河合 敏昭

  浜ホト

• 安藤 隆男

  静岡大学

• 野田 大二

  静岡大学電子工学研究所

• 野田 大ニ

  静岡大学大学院電子科学研究科電子応用工学専攻画像電子デバイス講座

• 安藤 隆男

  静岡大学電子工学研究所 テレビジョン学会画像入力シンポジウム実行委員会

• Kottaisamy M.

  静岡大学電子工学研究所

• Nakamura T

  Sumitomo Electric Industries Ltd.

• 小南 裕子

  静岡大学

• 奥村 佳弘

  ミノルタ株式会社研究開発本部

• 小南 裕子

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 青木 徹

  静岡大学 電子工学研究所

• 曽和 国容

  デンソー工業技術短期大学校

• 山崎 貴久

  静岡大学

• 佐野 慶一郎

  スズキ(株) 技術本部開発第二部

• 河合 敏昭

  浜松ホトニクス株式会社

• 野村 雅也

  スズキ(株) 技術本部開発第二部

• 中西 洋一郎

  静大電子研

• 玉巻 宏章

  スズキ(株)技術本部開発第二部

• 三村 秀典

  静岡大学電子工学研究所

• 浅野 浩司

  静岡大学電子工学研究所

• 安藤 隆男

  財団法人浜松地域テクノポリス推進機構浜松地域知的クラスター本部

• 中島 宏佳

  静岡大学電子科学研究科

• 澤田 和明

  静岡大学電子工学研究所

• 三村 秀典

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 中島 徹

  静岡大学電子工学研究所

• 青山 満

  静岡大学電子工学研究所

• 川角 明人

  静岡大学電子工学研究所

• 山崎 貴久

  静岡大学電子工学研究所

• 新井 裕子

  (株)日本製鋼所

• Jeyakumar D.

  Central Electrochemical Research Institute

• 水野 武志

  静岡大学電子工学研究所

• 原川 崇

  静岡大学電子工学研究所

• 新井 裕子

  静岡大学 電子工学研究所

• 中村 高遠

  静岡大学 電子工学研究所・工学部

• D Jeyakumar

  Central Electrochemical Research Institute

• Jeyakumar D.

  Central Electrochemical Res. Inst. Cecri‐csir Karaikudi Ind

• 澤田 和明

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 栗田 誠

  静岡大学電子工学研究所

• 寺田 享右

  静岡大学電子工学研究所

• 三上 昌義

  三菱化学科技研センター

• 和田 英樹

  静岡大学電子工学研究所

• 松井 宏樹

  株式会社シーエムディーラボ

• 松井 宏樹

  静岡大学電子工学研究所

• 松井 宏樹

  北陸先端科学技術大学院大学情報科学研究科

• 加藤 雅俊

  静岡大学電子工学研究所

• Rao M.mohan

  Central Electrochemical Research Institute

• 澤田 和明

  豊橋技術科学大学

• Mohan Rao

  Central Electrochemical Research Institute

• 清水 克美

  静岡大学電子工学研究所

• 桑原 弘

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 寺田 享右

  静岡大学 電子工学研究所

• 富田 康弘

  静岡大学浜松ホトニクス

• NIRAULA M.

  静岡大学電子科学研究科

• 三上 昌義

  三菱化学科学技術研究センター

• 奥村 佳弘

  静岡大学電子工学研究所

• 澤田 和明

  静岡大学・電子工学研究所

• 国府田 修一

  静岡大学

• 纐纈 直行

  静岡大学 電子工学研究所

• 上倉 直喜

  静岡大学電子工学研究所

• Nakanishi Y

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• Nakanishi Yoichiro

  Research Institute Of Electronics Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka Univ

• 河合 敏昭

  静岡大学

• 河合 敏昭

  静岡大学電子工学研究所

• 清野 俊明

  (株)日本製鋼所

• 北村 健

  ミノルタ株式会社研究開発本部

• 岡本 忍

  静岡大学電子工学研究所

• 助川 徳三

  静岡大学電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所

• 畑中 義式

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 澤田 和明

  静岡大

• 高田 健司

  静岡大学電子工学研究所

• 望月 大介

  静岡大学 電子工学研究所

• 高橋 秀年

  静岡大学 電子科学研究科

• 二橋 得明

  浜松ホトニクス

• 望月 大介

  静岡大学電子工学研究所

• 二橋 得明

  静岡大学浜松ホトニクス

• 藤波 達雄

  静岡大学工学部工業化学科

• 池田 武

  静岡大学電子工学研究所

• 三村 秀典

  静岡大学電子科学研究科

• 奥村 佳弘

  静岡大学・電子工学研究所

• 大原 賢治

  電子科学研究科

• 浅井 義裕

  東芝

• 桑原 弘

  静岡大学 電子科学研究科

• 桑原 弘

  静岡大学電子科学研究科

• 中野 文樹

  静岡大学電子工学研究所

• 伊藤 達也

  静岡大学電子工学研究所

• 長谷 智弘

  静岡大学

• 森田 元彦

  Central Electrochemical Research Institute

• 大原 賢治

  静岡大学電子科学研究科

• 尾関 芳孝

  静岡大学電子工学研究所

• Wickramanayaka Sunil

  静岡大 電子工研

• Wickramanayaka S

  Anelva Corporation

• ウィクラマナヤカ スニル

  静岡大学電子工学研究所

• スニル ウィクラマナヤカ

  静岡大学 電子工学研究所

• 密岡 久仁彦

  静岡大

• 加藤 泰樹

  静岡大学電子工学研究所

• 清野 俊明

  JSW株式会社 日本製鋼所

• 堀河 敬司

  静岡大学 電子工学研究所

• 高橋 浩之

  東京大学人工物工学研究センター

• 森本 隆史

  ミノルタ株式会社

• 宮武 茂博

  ミノルタ株式会社

• 石田 耕一

  ミノルタ株式会社

• 増田 敏

  ミノルタ株式会社研究開発本部

• 増田 剛

  静岡大学 電子工学研究所

• 鈴木 佳子

  静岡大学電子工学研究所

• 鈴木 佳子

  静大

• 大庭 弘一郎

  浜松ホトニクス株式会社

• 安藤 隆男

  静岡大

• 中島 宏佳

  静岡大学 電子科学研究科

• 野田 大ニ

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 中村 正俊

  (株)村上開明堂開発部

• SIRGHI Lucel

  静岡大学電子工学研究所

• 百瀬 与志美

  静大電研

• 百瀬 与志美

  静岡大学電子工学研究所

• 立岡 浩一

  静岡大

• Kottaisamy M.

  静岡大学サテライト・ベンチャービジネス・ラボラトリー

• Kottaisamy M.

  静岡大学 電子工学研究所

• 藤波 達雄

  静岡大

• 白柳 雄二

  浜松ホトニクス株式会社 電子管技術部 電子管開発G

• 松井 信二郎

  浜松ホトニクス株式会社 電子管技術部 電子管開発G

• 三澤 雅樹

  産業技術総合研究所

• 高橋 浩之

  東京大学 人工物工学研究センター

• 山崎 貴久

  静岡大学 電子工学研究所

• Niraula Madan

  静岡大学 電子科学研究科

• 百瀬 与志美

  静岡大学電子工学研究所技術部

• Korzec C.

  静岡大学工学部

• 伊藤 達也

  静岡大学大学院工学研究科

• 畑中 義式

  静岡大学・電子工学研究所

• 安藤 隆男

  静岡大学・電子工学研究所

• 真鍋 洋明

  静岡大学電子工学研究所

• 曽柏 川

  静岡大学電子工学研究所

• 渡辺 圭紀

  静岡大学電子工学研究所

• 鈴木 正和

  静岡大学電子工学研究所

• 浅井 義裕

  東芝電子技術研究所

• 島岡 五朗

  オーストラリア・ニューサウスウェルズ大学

• 浅井 義裕

  静岡大学電子工学研究所

• 川角 明人

  静岡大学 電子工学研究所

• 立岡 浩一

  静岡大学 電子科学研究科

• 立岡 浩一

  静岡大学電子科学研究科

• 芝 文広

  静岡大学電子工学研究所

• 芝 文広

  静岡大学 電子工学研究所・工学部

• 森 晋也

  静岡大

• 立岡 浩一

  静大工業短大

• 桑原 弘

  静大工業短大

• M Kottaisamy

  静岡大学サテライト・ベンチャービジネス・ラボラトリー

• M Mohan

  Central Electrochemical Research Institute

• 森田 元彦

  静岡大学電子工学研究所

• 木下 治久

  静岡大学電子工学研究所

• 東 直人

  静岡大学 工学部

• Kottaisamy M.

  静岡大学SVBL

• M Kottaisamy

  静岡大学SVBL

• Kottaisamy M

  静岡大学サテライトベンチャービジネスラボラトリー

• 掘河 敬司

  静岡大学電子工学研究所

• M.mohan Rao

  Central Electrochemical Research Institute

• D. Jeyakumar

  Central Electrochemical Research Institute

• 密岡 久仁彦

  静岡大学電子工学研究所

• 長谷 智弘

  静岡大学電子工学研究所

• 増田 剛

  静岡大学電子工学研究所

• 鈴木 勝実

  静岡大学電子工学研究所

• 高橋 遵

  静岡大学電子工学研究所

• Jayatissa A.H.

  静岡大学電子工学研究所

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著作論文

• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• プラズマ励起化学気相堆積法により作製した水酸基終端型アモルファスTiO_X膜の親水特性
• 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• ZnO-Al_2O_3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
• SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
• a-Si/c-Si積層構造における光電流増倍現象
• 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
• 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
• EID2000-11 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
• 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
• 有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成
• 均質沈殿法によって合成したY_2O_3:Eu赤色蛍光体のモフォロジー及び発光特性に対する焼結の効果
• 燃焼法による蛍光体の合成
• Y_2O_2S : Eu^赤色微粒子蛍光体の合成
• エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
• エネルギー弁別型フォトンカウンティング放射線ラインセンサ(X線カラースキャナ)
• Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の形成と励起子発光特性
• Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
• フレッシュパーソン12-8 Si基板上にエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
• 真空蒸着法によるZnO薄膜の作製
• 18-2 電子ビーム蒸着法により作製したZnO薄膜の発光特性
• 電子ビーム蒸着法で作製したZnO薄膜の発光特性
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化
• 高エネルギー放射線画像検出器のためのパターンレーザードーピングの研究
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
• ガラス管内部形状の高精度加工 : ホロ・カソードジェット型プラズマ源の制作
• エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
• エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
• Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
• 真空蒸着法によるZnO薄膜の作製
• 電子ビーム蒸着法で作製したZnO薄膜の発光特性
• 12-6 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオード
• 5)α-Si : H/α-Si_Cx : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍(情報センシング研究会)
• a-SiC:H/c-Siヘテロ接合バンドオフセットを利用したアバランシェフフォトダイオード
• Si : H/a-Si_C_x : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍
• 2-2 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオードの光電変換特性
• a-Si:H/a-Si_1-xC_x:H傾斜構造を用いた光電変換膜による光電流増倍
• SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果
• SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性
• SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性
• 22-1 a-SiC : H/a-Si : Hヘテロ接合を用いた光電流増倍型フォトセンサーと新しいスイッチング素子
• アモルファスシリコン受光デバイスにおけるMIS接合 : 電子装置 : 画像表示(画像デバイス)
• 2-7 アモルファスシリコン紫外線イメージセンサー
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
• 青色発光CaS:Cu, F薄膜の発光特性
• 青色発光CaS:Cu,F薄膜の発光特性
• 18-3 CaS : Cu, F薄膜の構造及び発光特性
• 青色発光CaS : Cu, F薄膜の熱処理と発光特性
• 青色発光CaS:Cu, F薄膜の熱処理と発光特性
• 4-3 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Ce薄膜の構造及び発光特性
• 多元蒸着法による青色発光SrGa_2S_4 : Ce薄膜の作製
• 6)多元蒸着により作製したSrSe : Ce薄膜の構造および発光特性(情報ディスプレイ研究会)
• 5)ZnS : Tm, F薄膜の電荷補償(情報ディスプレイ研究会)
• 多元蒸着により作製したSrSe:Ce薄膜の構造及び発光特性 : 発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ
• 燃焼法による蛍光体の合成
• 水素ラジカル励起MOCVD法による Si 上への ZnSe の成長
• Zn添加酸化物蛍光体の作製と低速電子線励起発光特性
• 中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
• 低電圧駆動ディスプレイ用微粒子蛍光体の合成
• 中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
• SrTiO_3:Pr, Al赤色蛍光体のCL特性に対するAl添加効果
• SrTiO_3:Pr, Al赤色蛍光体のCL特性に対するAl添加効果
• ゾル-ゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光特性
• 赤色発光SrTiO_3:PrAl蛍光体におけるAl添加効果
• ゾルーゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光
• 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_xTe_混晶の成長(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_XTe_混晶の成長
• 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_xTe_混晶の成長
• 1)アモルファスシリコン受光デバイスにおける電極界面の検討(情報入力研究会)
• アモルファスシリコン受光デバイスにおける電極界面の検討
• 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
• ガス滴定法による中性原子ラジカルの計測
• 8)NEA冷陰極を用いた電子ビームの密度分布の測定(〔テレビジョン電子装置研究会(第80回)画像表示研究会(第37回)〕合同)
• NEA冷陰極を用いた電子ビームの密度分布の測定
• アルキルシラン単一原料を用いた原子状水素励起化学気相堆積
• 希土類付活SrGa_2S_4蛍光体薄膜の発光特性
• 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価
• 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価
• 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
• Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
• ECRプラズマCVDによるプラスチック材料への硬質SiC薄膜の低温形成 -第2報-
• ECRプラズマCVDによるプラスチック材料への硬質SiO_2薄膜の低温形成 -第3報-
• ECRプラズマCVDによるプラスチック材料への硬質SiC薄膜の低温形成 -第1報-
• ECRプラズマを利用したプラスチックへの薄膜形成について
• TEOS/O_2プラズマCVDによるプラスチック材料への硬質SiO_2薄膜の低温形成 -第二報-
• TEOS/O_2プラズマCVDによるプラスチック材料への硬質SiO_2薄膜の低温形成 -第1報-
• 2-1 堆積ボルカノ型エミッタの電子放出特性
• 14)蛍光体へ被覆した導電層の膜厚と低速電子線励起発光に関する考察(情報ディスプレイ研究会)
• 蛍光体表面の改質による低速電子励起発光特性の向上
• 蛍光体へ被覆した導電層の膜厚と低速電子線励起発光に関する考察
• 15)ゾル-ゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• ゾル-ゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化
• ゾルーゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化
• 遷移金属付活Ga_2O_3薄膜の製法と構造及び発光特性
• 遷移金属付活Ga_2O_3薄膜の製法と構造及び発光特性
• 希土類添加Y_2O_3薄膜の低速電子線励起発光
• 希土類添加Y_2O_3薄膜の低速電子線励起発光
• フレッシュパーソン12-9 青色発光Y_2O_3:Tm薄膜のカソードルミネッセンス
• ZnS:Tm,F薄膜の電荷補償 : 発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ
• 3-11 a-Siを用いた撮像管
• 13)集積型EL素子の作製と発光特性(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 集積型EL素子の作製と発光特性
• 高周波スパッタ法で作成された酸化チタン薄膜における光励起電流の再結合過程
• 酸化チタン薄膜の光伝導と交流伝導
• ZnO-Al_2O_3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性
• レーザーディスプレイによる感情表現
• (Sr_Ca_x)Cl_2:Eu蛍光体の発光特性
• 固相合成法により作製したSrY_2S_4:Euの発光特性
• 赤色発光(Sr_Ba_x)S:Eu薄膜EL素子の作製
• (Sr_Ca_x)Cl_2:Eu蛍光体の発光特性
• プラズマCVDによる紫外線カット膜のプラスチック上への低温形成
• プラズマCVDによるZnO膜のプラスチック上への低温形成
• 凹凸プラスチック表面上への均一SiC膜の形成
• リモートプラズマCVD法を用いたHMDSからのSi系薄膜形成過程の検討
• p-i-na-Si : H光導電層と画素分離されたアルミ反射鏡を持つ液晶空間光変調器
• P-i-na-Si:H光導電層と画素分離されたアルミ反射鏡を持つ液晶空間光変調器
• p-i-n a-Si:H光導電層と画素分離されたアルミ反射鏡を持つ液晶空間光変調器
• 液晶空間光変調器の構造及び動作
• 2-8 液晶空間光変調器の光導電層の検討
• 高感度CdTe光導電膜を用いたビジコン型X線イメージセンサ
• 3)スパッタ法によるCdS/CdTeヘテロ接合を用いたX線ビジコン(情報入力研究会)
• スパッタ法によるCdS/CdTeヘテロ接合を用いたX線ビジコン : 不可視情報入力(X線) : 情報入力
• 1)スパッタ法によるCdS/CdTeヘテロ接合X線イメージセンサ(情報入力研究会)
• スパッタ法によるCdS : CdTeヘテロ接合X線イメージセンサー
• 19)第9回光電画像電子装置シンポジウム報告(〔テレビジョン電子装置研究会 画像表示研究会〕合同)
• 2-4 PC-CdTe/a-Si : Hヘテロ接合を用いたX線撮像デバイス
• 2-4 シリコンNEA冷陰極素子の電子ビーム特性(II)
• 1)NEA冷陰極を用いたビジコン電子銃の基礎実験((テレビジョン電子装置研究会(第73回) 画像表示研究会(第30回))合同)
• NEA冷陰極を用いたビジコン電子銃の基礎実験
• 窒素リモートプラズマCVD法によるSiCxNy薄膜の形成
• 1)NEA冷陰極の放出電子密度分布(テレビジョン電子装置研究会(第87回)画像表示研究会(第46回))
• NEA冷陰極の放出電子密度分布
• 8)SrSe : Ce/ZnS : Mn積層薄膜の白色ELとRGB化(〔情報入力研究会 情報ディスプレイ研究会〕合同)
• 1-5 白色発光SrSe : Ce/ZnS : Mn積層薄膜EL素子
• SrSe:Ce/ZnS:Mn積層薄膜の白色ELとRGB化
• 均質沈殿法によって合成したY_2O_3:Eu赤色蛍光体のモフォロジー及び発光特性に対する焼結の効果
• 高エネルギー放射線画像検出器のためのパターンレーザードーピングの研究
• CCDラインセンサとレーザスキャナを用いた3次元形状計測
• 1-9 CCDラインセンサとレーザスキャナを用いた三次元形状計測
• 3-11 CCDラインセンサとレーザスキャナを用いた三次元形状計測
• レーザスキャナとCCDカメラを用いたモアレ法による3次元形状計測 : "画像変換装置"合同研究会 : 電子装置 : 画像表示
• 2-6 アモルファスシリコンのシリコンビジコン用半絶縁膜への応用
• 内部電子放出法によるa-Si:H/c-Siヘテロ接合におけるバンドの不連続測定
• 2-8 アモルファスシリコンと単結晶シリコンとのヘテロ接合ターゲット
• a-Si : H/c-Siヘテロ接合を用いた撮像デバイス
• 12) N形c-SiとP形a-Siのヘテロ接合ターゲット(〔テレビジョン電子装置研究会(第121回)画像表示研究会(第82回)〕合同)
• 2-3 a-Si : Hの軟X線撮像デバイスへの応用
• エキシマレーザープロセッシングによるCdTe高エネルギー放射線マルチピクセル検出器(画像変換技術)
• エキシマレーザープロセッシングによるCdTe高エネルギー放射線マルチピクセル検出器
• エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
• エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
• エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
• レーザープロセスによるマルチピクセルp-i-n CdTeアレイ
• 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
• 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
• EID2000-18 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
• N^+-i-p^+光導電層を用いた液晶空間光変調素子 : 情報入力,情報ディスプレイ
• n^+-i-p^+光導電層を用いた液晶空間光変調素子
• CdZnTe系化合物半導体のエピタキシャル成長と窒素ラジカルドーピング
• (Sr_Ca_x)Cl_2:Eu蛍光体の発光特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 赤色発光(Sr_Ba_x)S:Eu薄膜EL素子の作製(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 青色発光SrGa_2S_4 : Ce薄膜のCe濃度と発光特性
• SrS:Cu,F薄膜EL素子の発光特性
• SrS:Cu, F薄膜EL素子の発光特性
• CaS:Cu, F薄膜の熱処理とEL特性
• C-9-3 CaS:Cu,F薄膜のアニールと発光特性
• 青色発光SrS:Cu,F薄膜EL素子のCu濃度依存性
• PPVを配位子とした(π-アレーン)ルテニウム錯体の発光特性
• 4-2 有機EL素子の発光特性に及ぼすTPD薄膜の構造特性の影響
• 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
• 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
• 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
• リモートプラズマMOCVDによるCdZnTeのエピタキシャル成長とドーピング法
• 酸素プラズマ流における励起酸素原子の密度
• 3-1 a-Si : H受光デバイスにおけるa-SiNx, A-SiCxのバンドエネルギーレベルの検討
• 第9回光電画像電子装置シンポジウム
• 5-5 平面状電子源の検討(II)
• 2-7 アモルファスシリコン撮像管(IV)
• 5-2 平面状電子源の検討
• a-SiC : H膜の高精細撮像デバイスへの応用
• 28-5 高感度CdTe光導電膜を用いた高解像度X線ビジコン
• プラズマCVD法によるSiC薄膜の形成
• プラズマCVD法によるSiC薄膜の形成
• 有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成
• 4-1 集積型薄膜EL素子の作製
• Si基板上のEL素子の集積化
• 4-5 ゾル-ゲル法による蛍光体の発光特性改善
• Euを発光中心とするY_2O_3,Y_2O_2Sの薄膜のエレクトロルミネセンス
• Euを添加したY_2O_3,Y_2O_2S薄膜のエレクトロルミネセンス : 発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ
• 7)Y_2O_3 : Eu/ZnS/Y_2O_3 : Eu構造の赤色EL(情報ディスプレイ研究会)
• Y_2.O_3:Eu/ZnS/Y_2.O_3:Eu構造の赤色EL : 情報ディスプレイ
• マグネトロンスパッタ法により作成したY_2O_2S : Eu薄膜(情報ディスプレイ研究会)(波形等化技術)
• マグネトロンスパッタ法により作成したY_2O_2S : Eu薄膜
• 7)PVF_2焦電型ビジコンの実験報告(テレビジョン電子装置研究会(第67回) 画像表示研究会(第23回) 同合)
• 1)シリコンを用いたNEA冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第67回) 画像表示研究会(第23回) 同合)
• 3-3 PVF_2フイルムを用いた焦電型ビジコンターゲットの基礎実験
• 酸化チタン薄膜の光電流における拡張指数関数

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