青山 満 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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青山 満
静岡大学電子工学研究所
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青山 満
静岡大学電子工学研究所技術部
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畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
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青山 満
静岡大学
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山口 十六夫
静岡大学
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山口 十六夫
静岡大学電子工学研究所
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山口 十六夫
静岡大 電子工研
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橋口 原
静岡大学
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杉山 達彦
静岡大学
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橋口 原
静岡大
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青山 満
静岡大
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安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所
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杉山 達彦
静岡大
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菅 博文
浜松ホトニクス
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西森 勇貴
静岡大学 電子工学研究所
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熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
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西森 勇貴
BEANSプロジェクト
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大磯 秀太
静岡大学
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大磯 秀太
静岡大
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〓 秀英
浜松ホトニクス(株)中央研究所
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萬行 厚雄
静岡大学電子工学研究所
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Rowell L.
カナダ度量衡研究所
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Rowell Nelson
Institute For National Measurement Standards National Research! Council
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POSTAVA Kamil
静岡大学電子工学研究所
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岡本 忍
静岡大学電子工学研究所
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牧野 貴光
浜松ホトニクス(株)中央研究所
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小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
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勝野 廣宣
静岡大学電子工学研究所技術部
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早川 秦弘
静岡大学電子工学研究所
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Rowell N
カナダ度量衡研究所
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岡本 忍
静岡大学 電子工学研究所
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兼子 勇一
静岡大学電子工学研究所
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陳 清亜
中国・宜昌電子管工場
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森本 茂豊
静岡大学電子工学研究所
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青山 満[他]
静岡大学電子工学研究所
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三村 秀典
静岡大学電子工学研究所
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畑中 義式
静岡大
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中山 政勝
静岡大学電子工学研究所
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小山 忠信
電子工学研究所技術部
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水野 武志
静岡大学電子工学研究所
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鈴木 勝順
香川大
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三村 秀典
静岡大学大学院電子科学研究科
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浅井 義裕
東芝
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浅井 義裕
静岡大学電子工学研究所
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ROWELL Nelson
Institute for National Measurement Standards, National Research Council
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勝野 広宣
静岡大学電子工学研究所
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神田 洋三
東洋大学工学部電気電子工学科
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HOSOGI Maho
Kagawa University
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橋口 原
静岡大学電子工学研究所
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村上 健司
静岡大学電子工学研究所
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深沢 淳
静岡大学・電子工学研究所
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高橋 勲
静岡大学電子工学研究所技術部
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犬塚 善久
静岡大学電子工学研究所
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中尾 芳也
静岡大学電子工学研究所
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深沢 淳
静岡大学電子工学研究所
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Postava K
Technical Univ. Ostrava Ostrava‐poruba Cze
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戎 俊男
静岡大学電子工学研究所
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末木 博
静岡大学電子工学研究所
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中務 俊之
静岡大学電子工学研究所
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[ゴン] 秀英
浜松ホトニクス(株)
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ジャヤティッサ A.H.
静岡大学電子工学研究所
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大磯 秀太
名古屋大
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鈴木 雅人
アオイ電子株式会社
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近江 武史
高岳製作所・静岡大学電子工学研究所
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陳 清亜
中国湖北省宜昌電子管工場
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陳 清亜
静岡大学電子工学研究所
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江尻 哲夫
静岡大学電子工学研究所
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大伊 宏育
静岡大学電子工学研究所
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Postava Kamil
Research Institute Of Electronics Shizuoka University:department Of Physics Technical University Ostrava
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杉山 達彦
静岡大学電子工学研究所
著作論文
- 櫛歯振動子用カリウムイオン含有シリコン酸化物エレクトレット
- T1601-1-6 静電型MEMSオシレータの周波数ゆらぎに関する影響の考察(マイクロナノダイナミクスの計測と制御・マイクロナノメカトロニクス(1))
- T0302-2-4 MEMS振動子を用いた昇圧素子(マイクロ・ナノ力学とシステム設計論(2))
- 2-7 アモルファスシリコン紫外線イメージセンサー
- 2117 交流ブリッジ回路による櫛歯アクチュエータの駆動とそのセンサ応用(要旨講演,一般セッション:マイクロナノメカトロニクス)
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 分析機器に関する学内研修の実施
- 分光エリプソメトリによるRFスパッタa-Sin薄膜の堆積過程モニタリング
- 高圧ガスの法規と資格
- 2-3 a-Si : Hの軟X線撮像デバイスへの応用
- 分光エリプソメトリによるフラーレン結晶の評価
- 5-5 平面状電子源の検討(II)
- 5-2 平面状電子源の検討
- a-SiC : H膜の高精細撮像デバイスへの応用
- サファイア基板上のエピタキシャルZnO薄膜の分光エリプソメトリ
- InAs基板上の液相エピタキシャルGa_1-xIn_xAs_1-ySb_y層の光学的性質
- 分光エリプソメトリにおける多変数解析の解の単一性
- 分光エリプソメトリ解析に有用な非晶資材料の経験的誘電率関数
- 分光エリプソメトリー解析に有用な非晶質材料の経験的誘電率関数とその応用
- SOI構造の光学的評価
- 4-14 PVF_2焦電ビジコン電極改良とターゲット熱拡散性の検討
- 3-2 PVF_2焦電ビジコンにおける電子ビーム系の検討
- 櫛歯振動子への酸化物エレクトレット形成に関する検討
- T1601-1-2 MEMS振動子の白色雑音応答解析([T1601-1]マイクロナノメカトロニクス(1))
- 半導体の光学特性のサイズ依存性(I)Ge
- P-2 カリウムイオン含有シリコン酸化物エレクトレット(ポスター要旨講演)
- 平面型熱電子源を有する平面ディスプレイの基礎的検討 : 電子装置 : 画像表示(画像デバイス)
- 4-7 パネルディスプレイ用平面電子源に関するシミョウレーション
- 4-9 アモルファスシリコン膜の電子衝撃電流(EBIC)
- 平面型ディスプレイ用平面状電子源
- 撮像管用ダイオード銃の電子ビーム発散角と電流密度分布
- 2-3 ダイオード銃における電子ビームの電流密度分布(II)
- 3-4 走査電子密度分布と解像度及び残像
- P-1-9 カリウムイオン含有シリコン酸化物エレクトレットに関する検討(マイクロナノメカトロニクス,ポスター要旨講演)
- J161034 櫛歯振動子への酸化膜エレクトレット形成([J16103]マイクロナノメカト口ニクス(3))