高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
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概要
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(100)InAs基板上に単層のGaInAsSb及び多層のInAsSbを液相エピタキシャル成長させた。成長メルトに微量のGdを添加することによりエピ層の純度が向上することをVander Pauw測定,PL測定,SIMS測定によって確認した。成長エピ層を用いてメサ構造のデバイスを作製し,デバイスの分光感度特性をFT-IR分光光度計で測定した結果,感度ピーク波長がInAsデバイスのものより長波長側にシフトし高い感度のものが得られることが分かった。InAsSbエピ層デバイスの分光感度特性及び短絡光電流の温度依存を測定したところ,ある温度で最大感度を与える結果が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-19
著者
-
菅 博文
浜松ホトニクス
-
熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
-
牧野 貴光
浜松ホトニクス(株)中央研究所
-
〓 秀英
浜松ホトニクス(株)中央研究所
-
青山 満
静岡大学電子工学研究所
-
山口 十六夫
静岡大学
-
山口 十六夫
静岡大学電子工学研究所
-
萬行 厚雄
静岡大学電子工学研究所
-
早川 秦弘
静岡大学電子工学研究所
-
Rowell L.
カナダ度量衡研究所
-
Rowell Nelson
Institute For National Measurement Standards National Research! Council
-
青山 満
静岡大学電子工学研究所技術部
-
山口 十六夫
静岡大 電子工研
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