山口 十六夫 | 静岡大 電子工研
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概要
関連著者
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山口 十六夫
静岡大学
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山口 十六夫
静岡大 電子工研
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山口 十六夫
静岡大学電子工学研究所
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青山 満
静岡大学電子工学研究所技術部
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仲秋 勇
静岡県静岡工業技術センタ
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斎藤 順雄
宮崎大学
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齋藤 順雄
高松工業高等専門学校
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高橋 秀年
静岡大学電子科学研究科
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Okano Y
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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青山 満
静岡大学電子工学研究所
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菅 博文
浜松ホトニクス
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岩田 弘
香川高等専門学校機械工学科
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吉岡 捷爾
香川大学
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早川 泰弘
静大電研
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岡野 泰則
静大工
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中村 茂昭
高松工業高等専門学校
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斎藤 順雄
高松工専
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仲秋 勇
静岡県富士工業技術センタ
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山口 十六夫
静大電研
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中村 茂昭[他]
高松工専
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仲秋 勇
静岡県富士工技センタ
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熊川 征司
静大電研
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今石 宣之
九大機能研
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平田 彰
早大理工
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ゴン 秀英
浜松ホトニクス(株)中央研究所
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中村 茂昭
高松工専
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興津 和彦
静大電研
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小澤 哲夫
静岡理工科大学
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平田 彰
早稲田大学理工学部
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熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
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平田 彰
早稲田大学理工学部 応用化学科
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牧野 貴光
浜松ホトニクス(株)中央研究所
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今石 宣之
九州大学
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〓 秀英
浜松ホトニクス(株)中央研究所
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斉藤 順雄
高松工専
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岩田 弘
香川県工技センタ
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今石 宣之
九州大学機能物質科学研究所
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木村 忠
静岡大
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早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
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小松 秀樹
静岡大学電子工学研究所
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小山 忠信
静大電研
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宮澤 政文
静大工
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木村 忠
静岡大学電子工学研究所
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小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
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小松 秀輝
静岡大
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柴田 尚弘
静岡大学電子工学研究所
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山口 十六夫
静大電子研
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橘 正人
早稲田大学理工学部
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木村 忠
静岡大 電子工研
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吉岡 捷爾
高松工専
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仲秋 勇
静岡県工業技術センター
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柴田 尚弘
静大電研
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木村 忠
静大電研
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榎本 祥一
静大工
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勝又 政光
静大工
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阿部 悟
静大工
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小松 秀樹
静大電研
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萬行 厚雄
静岡大学電子工学研究所
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Rowell L.
カナダ度量衡研究所
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Rowell Nelson
Institute For National Measurement Standards National Research! Council
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岩田 弘
香川県産業技術センター
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安濃 英治
旭川医大物理
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小川 正俊
静岡大電研
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岡野 泰則
静岡大学電子工学研究所
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酒井 誠
日本電装(株)
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神田 洋三
東洋大学工学部電気電子工学科
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大井田 俊彦
宇宙開発事業団
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早川 秦弘
静岡大学電子工学研究所
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Chauvaux Regis
(株)クレステック
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乾 靖彦
静大電子研
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新船 幸二
早大理工
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安濃 英治
旭川医科大
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Rowell N
カナダ度量衡研究所
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須藤 彰良
東京三洋電機 半導体事業部
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兼子 勇一
静岡大学電子工学研究所
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Chauvaux R
クレステック
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POSTAVA Kamil
静岡大学電子工学研究所
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Postava K
Technical Univ. Ostrava Ostrava‐poruba Cze
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乾 靖彦
静岡大学工学部
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[ゴン] 秀英
浜松ホトニクス(株)
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滝口 雅夫
松下電器
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森本 茂豊
静岡大学電子工学研究所
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依田 真一
宇宙開発事業団
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廣瀬 大介
静大電研
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田部 道晴
静岡大学電子工学研究所
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大井田 俊彦
宇宙開発事業団宇宙環境利用システム本部宇宙環境利用研究センター
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安田 安生
静岡大学電子工学研究所
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福田 安生
静岡大学電子工学研究所
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福田 安生
静岡大学電子科学研究科
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畑中 義式
静岡大
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市川 祐永
鋼管計測(株)
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鈴木 佳子
静岡大学電子工学研究所
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福田 安生
日本鋼管(株)中央研究所
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武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
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鈴木 佳子
静大
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早川 泰弘
静大電子研
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熊川 征司
静大電子研
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杉山 治
静岡県富士工業技術センター
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岡野 泰則
静岡大学工学部
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新船 幸二
早稲田大学理工学部
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依田 真一
Nasda
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野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
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魚住 清彦
青山学院大学理工学部
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山田 武志
イビデン株式会社
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Gong Xiuying
浜松ホトニクス(株)中央研究所
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今石 宣之
九州大機能研
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小川 政俊
東芝
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岩田 弘
香川県産技センター
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後藤 智弘
静岡大学電子工学研究所
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岡野 泰則
東北大学金属材料研究所
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興津 和彦
静岡大学電子工学研究所
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中村 茂明
高松工専
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ROWELL Nelson
Institute for National Measurement Standards, National Research Council
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密岡 久仁彦
静岡大
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興津 和彦
静岡大学大学院電子科学研究科
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熊川 征司|
静岡大学電子工学研究所
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平田 彰
早稲田大理工
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橘 正人
静大電研
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岡野 泰則
静大工学部
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太坂 敏明
早稲田大学
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Chauvaux Regis
株式会社クレステック
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野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
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多賀 史朗
シャープ(株)A1129C緊急プロジェクトチーム
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飯田 剛史
浜松ホトニクス(株)中央研究所
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滝口 雅夫
松下電器産業株式会社半導体社
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三宮 仁
シャープ株式会社中央研究所
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田中 孝彦
静岡県工業技術センター
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仲秋 勇
静岡県工技センタ
-
冨岡 雄吾
新日本製鉄株式会社中央研究本部エレクトロニクス研究所
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河村 和彦
静岡理工科大学電子工学科
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清水 順
静大工
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熊切 康雄
丸紅
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和田 哲也
静大電研
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今石 宣之
丸大機能研
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Zhong X
IS
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Xie X
LIP
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Yuan B
CGWI
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Wu F
CAST
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H Liu
CAST
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藤岡 総一郎
松下電器
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杉山 治
静岡県静岡工業技術センタ
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牧田 繁典
静岡大学 電子工学研究所
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滝口 雅夫
静岡大電研
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山口 十六夫
静岡大電研
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酒井 奨
静大工
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大井田 俊彦
NASDA
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興津 和彦
豊田工業大学
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林 尚久
大日本スクリーン製造(株)技術研究所
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福田 安生
静岡大 電子工研
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酒井 奨
静大院
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MISTRIK Jan
静岡大学電子工学研究所
-
ANTOS Roman
静岡大学電子工学研究所
-
Lafait Jacques
Laboratoire d'Optique des Solides, Universite Pierre et Marie Curie
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土屋 正剛
日本電装(株)
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中務 俊之
静岡大学電子工学研究所
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Postava K
Research Institute Of Electronics Shizuoka University:department Of Physics Technical University Ost
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ジャヤティッサ A.H.
静岡大学電子工学研究所
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熊切 康雄
静岡大 電子工研
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Lafait Jacques
Laboratoire D'optique Des Solides Universite Pierre Et Marie Curie
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多賀 史朗
シャープ(株)
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近江 武史
高岳製作所・静岡大学電子工学研究所
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市川 祐永
静岡大 電子工研
-
Zhong X
静岡大 電子工研
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江尻 哲夫
静岡大学電子工学研究所
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Postava Kamil
Research Institute Of Electronics Shizuoka University:department Of Physics Technical University Ostrava
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高橋 秀年
静岡大学電子工学研究所
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武山 真弓
北見工業大学
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野矢 厚
北見工業大学
著作論文
- X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InSb(001)表面の研究
- 微小重力環境下と地上におけるInSb融液中へのGaSb溶解実験
- スパッタ法によるa-GeC:H薄膜の微結晶化
- SF_6を用いた高周波スパッタ法によるa-SiCS:H:F薄膜特性への高周波電力の効果
- 硫化水素とメタンを用いたマグネトロンスパッタ法による a-SiCS : H 薄膜
- メタンとフッ化硫黄を用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiCS:H:F薄膜
- 二酸化炭素とメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製した a-SiC:O:H 薄膜の特性
- 三元系水素化アモルファス薄膜a-SiCO:Hの作成と特性
- スパッタ法によるアモルファスGeCO:H薄膜
- 反応性スパッタ法による酸素添加a-GeC : H薄膜
- Co-sputter法によるGe添加a-Si_xC_y:H薄膜の特性
- アンモニアとメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiC:N:H薄膜の特性
- 分光エリプソメトリによるa-SiN_x薄膜の光学的特性評価
- 分光エリプソメトリによるInAs陽極酸化層の光学的特性評価
- 高周波スパッタ法によるゲルマニウム-炭素系非晶質薄膜
- エリプソメトリによる薄膜堆積初期過程の「その場」計測
- μg環境下におけるInGaSb結晶成長に関する研究 : (1)地上参照実験
- In-Ga-Sb融液の均一分散混合の地上実験 : 融液成長(一般)II
- 微小重力下でのInGaSb結晶成長の数値解析 : 基礎II
- 4ゾーン消光型分光エリプソメータの試作と応用
- サーメットの光吸収
- シリコン共鳴トンネル構造の作製と評価
- 半導体の光学特性のサイズ依存性(II) : SIMOXの上部Si層
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- 戻り光の誘導変調による複合干渉計型ファイバ-センサ-
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 分光エリプソメトリによるRFスパッタa-Sin薄膜の堆積過程モニタリング
- 非晶質材料のモデル誘電率関数
- マグネトロンスパッタ法によって作製したSi系水素化非晶質半導体薄膜の特性
- 複合ターゲット法によるGa添加a-SiC:H薄膜
- InAs基板上に成長させたGaInAsSbのキャリア移動度の評価法
- 高品質GaInAsSb/InAsの液相成長
- Co-sputter法によるAl及びIn添加a-SiC:H薄膜の作製と光学的特性
- 中国の回収衛星利用による多元系化合物半導体の溶解と成長
- 金属微粒子物性の粒子サイズ依存
- 硫黄不活性化処理による室温動作InAsPSb/InAs中赤外光検出器の感度向上
- 多重減衰全反射分光測光に於けるパーソナルコンピュータの利用
- 金属膜成長初期過程の高感度測定法--薄膜光導波路の一応用法
- 金属微粒子二次元分散系の光学的性質
- 金属膜成長初期過程及び金属微粒子光物性の研究への多重減衰全反射分光法の応用
- 円環マグネットによるrfスパッタ特性の改善
- 透明膜の屈折率と膜厚が分離測定可能な偏光解析法
- オートコリメーション型エリプソメーターによるRFスパッタガラス薄膜の膜厚監視
- 室温動作高感度InAs/InAsPSb中赤外光検出器
- SiC表面分解法によるカーボンナノチューブの生成初期過程
- 1p-N-9 貴金属微粒子のd-バンドの粒径依存
- 微小重力下(IML-2実験)でのIn/GaSb/Sb混合と凝固
- 微小重力環境下(IML-2)におけるIn-GaSb-Sb融液混合実験
- エリプソメトリとその応用
- NiとPd微粒子の光吸収 : 伝導電子間の強い相関相互作用
- ULSIプロセス用薄膜の分光エリプソメトリ : 遷移金属窒化物バリア層の光学的性質(電子部品・材料, 及び一般)
- 分光エリプソメトリによる表面・薄膜の解析
- 分光エリプソメトリによるエピタキシャルZnO層の光学的特性(ドーピング効果)
- 低誘電率(low-k)層間絶縁膜の光学特性
- 分光エリプソメトリによるエピタキシャルZnO層の光学的特性(ドーピング効果)
- 非晶質材料の経験的誘電関数と膜厚揺らぎモデル
- 分光エリプソメトリによるSi基板の温度と表面層厚さのその場計測
- 膜厚測定 (VLSIプロセスにおける検査(技術ノ-ト))
- 二縦モード横ゼーマンレーザによる距離測定
- 対称周期構造多層膜と光学的に等価な均質媒質
- 多層光学薄膜素子の界面光吸収
- InAs基板上の液相エピタキシャルGa_1-xIn_xAs_1-ySb_y層の光学的性質
- 分光エリプソメトリにおける多変数解析の解の単一性
- 分光エリプソメトリ解析に有用な非晶資材料の経験的誘電率関数
- 分光エリプソメトリー解析に有用な非晶質材料の経験的誘電率関数とその応用
- SOI構造の光学的評価
- 経験的誘電関数による非晶質材料の分光エリプソメトリ解析
- 高純度GaInAsSb/InAs液相エピタキシャル層の電気的特性
- 半導体の光学特性のサイズ依存性(I)Ge
- 金属微粒子分散系の光吸収と微粒子物性のサイズ依存
- RFスパッタガラス薄膜の膜厚監視