μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
GaSb/InSb/GaSbサンドイッチ状試料を用いてGaSbの溶解実験を行った。実験は中国回収衛星を用いたμg環境と地上1g環境下で行ない、固液界面形状や溶解距離について比較検討を行った。試料を温度プロファイルに沿って加熱、保温、冷却した後、その後断面観察や定量分析を行った。1g下においてはGaおよびInの融液の密度差に起因した自然対流が起こりGa濃度分布が生じた。結果として固液界面形状は重力方向に末広がりになった。これに対してμg下では対流は起こらず、固液界面形状は試料径方向に対してほば平行になった。また、数値解析を行った結果、実験結果と定性的に一致することがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-05-21

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク