InGaAs三元混晶半導体バルク結晶成長(II)

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概要

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均一組成比のIn_xGa_<1-x>Asバルク結晶を回転ブリッジマン法を用いて成長させた。GaAs種結晶上にIn_xGa_<1-x>Asを直接成長させた場合、x=0.1以下の試料では均一組成比の単結晶成長が可能であった。x=0.15以上では多数の異方位結晶が発生した。x=0.05以上の試料にはマクロステップが発生し、組成的過冷却の影響を受けることがわかった。そこでIn組成比をx=0.03、0.05、0.07と段階的に変えてIn_xGa_<1-x>Asを成長させたところx=0.05の領域ではマクロステップは発生しなかった。さらにGaAs種結晶に直接成長させた場合よりも、X線回折の半値が半分に減少しており、段階成長により格子不整合の影響を緩和できた。
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-05-23

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