窒化シリコン膜付きGaAs基板上へにInGaAs横方向成長(III)
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概要
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SiN_x膜で覆ったGaAs(111)B基板に円形の窓を開け、さらに溝を形成した基板上に成長させたInGaAsの結晶性を顕微フォトルミネッセンス(PL)で測定した。その結果SiN_x膜上の横方向長層と溝内部のブリッジ状の成長層のPL半値幅が狭くピーク強度が強いことが分かった。また、GaAs(111)A基板上に同様の溝を形成し、さらに溝底面にもSiN_x膜を堆積させ成長を行った。溝底面にSiN_x膜を堆積させずに成長させた成長層と比べエッチビット密度の小さい結晶性のよい結晶が得られた。
- 1998-05-21
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