25aB07 ホットウォール法によるInAs_xSb_<1-x>結晶成長(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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InAs_xSb_<1-x> ternary layers were grown on GaAs(001) substrate by hot wall epitaxy. When increasing As reservoir temperature, the growth rate decreased from 1.1 to 0.5μm/hr. It is found that three dimensional growth has been observed due to large lattice mismatch between the substrate and the ternary layers. By increasing As reservoir temperature from 220 to 280℃, the compositional ratio (x) of InAs_xSb_<1-x> layers can be controlled in the range between 0.02 and 0.81.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
電子工学研究所技術部
-
Jayavel Pachamuthu
静大電研
-
熊川 征司
静岡大学 電子研
-
熊川 征司
静岡大・電子研
-
早川 泰弘
静岡大・電子研
-
中村 慎吾
静大電研
-
小山 忠信
静岡大・電研
-
中村 慎吾
静岡大・電子研
-
Jayavel Pachamuthu
静岡大・電子研
-
熊川 征司
静岡大・電子工学研究所
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