25aA06 InGaSb均一組成結晶成長のための成長速度測定(バルク,第34回結晶成長国内会議)
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概要
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To grow InGaSb bulk crystals with uniform composition, the relationship between the composition and growth rate were measured. The samples was GaSb(seed)/InSb/GaSb(feed) sandwich structure and Te impurity was doped in the InSb. Thermal pulses were introduced during growth to form the Te striations. Experimental results indicated that lack of GaSb(feed) caused the decrease of growth rate and the increase of In composition. By adjusting the cooling rate, In_<0.03>Ga_<0.97>Sb homogeneous crystal were grown.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
-
村上 倫章
静大電研
-
小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
電子工学研究所技術部
-
早川 泰弘
静岡大・電子研
-
村上 倫章
静岡大・電研
-
小山 忠信
静岡大・電研
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