液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
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概要
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さまざまな形状の(100)GaAs基板上にInxGa1-xAs(x=0.06)層を液相成長法により成長させ、それらの成長モホロジーを比較検討した。平坦基板上のInGaAs層はテント構造となった。円形の窓をあけた基板上には、内部がつまったピラミッド構造のInGaAsが成長した。しかし、溝を形成した基板を用いると、成長層は基板の溝側面から<111>方向に斜めに成長し、最終的に{111}面で囲まれた内部に空洞を有するピラミッドが形成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-12
著者
-
早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
-
熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
-
BALAKRISHNAN K.
静岡大
-
Balakrishnan K.
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
電子工学研究所技術部
-
Balakrishnan Krishnan
名城大学理工学部材料機能工学科
-
飯田 晋
静大電研
-
飯田 晋
静岡大学電子工学研究所
-
K バラクリシュナン
静岡大学電子工学研究所
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