飯田 晋 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
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飯田 晋
静大電研
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飯田 晋
静岡大学電子工学研究所
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熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
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小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
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BALAKRISHNAN K.
静岡大
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Balakrishnan K.
静岡大学電子工学研究所
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Balakrishnan Krishnan
名城大学理工学部材料機能工学科
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K バラクリシュナン
静岡大学電子工学研究所
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Balakrishnan Krishnan
Electrotechnical Laboratory
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小山 忠信
電子工学研究所技術部
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熊川 征司
静岡大学 電子研
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南 里江
静岡大学電子工学研究所
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バラクリシュナン K.
静岡大学電子工学研究所
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桜井 孝子
静岡大学電子工学研究所
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柳田 浩行
静岡大学電子工学研究所
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南 里江[他]
静岡大学電子工学研究所
著作論文
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へにInGaAs横方向成長(III)
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(III)
- 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
- 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
- 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
- Study on the LPE growth of InGaAS pyramidal layers on (100) GaAs substrates
- Coalescence of ELO layers of InGaAS grown on patterned (111) GaAs by LPE
- 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
- 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
- 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
- 溝付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長層の形成メカニズム
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(III)
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(II)
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(II)