Study on the LPE growth of InGaAS pyramidal layers on (100) GaAs substrates
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概要
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Growth of In_xGa_<1-x>As (x=0.06) layers with pyramid like structures on various types of patterned (100) GaAs substrates by liquid phase epitaxy (LPE) has been investigated.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
-
早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
-
熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
-
BALAKRISHNAN K.
静岡大
-
Balakrishnan K.
静岡大学電子工学研究所
-
Balakrishnan Krishnan
名城大学理工学部材料機能工学科
-
飯田 晋
静大電研
-
飯田 晋
静岡大学電子工学研究所
-
K バラクリシュナン
静岡大学電子工学研究所
-
Balakrishnan Krishnan
Electrotechnical Laboratory
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