航空機利用による微小重力環境下と地上におけるInGaSb半導体の結晶成長
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概要
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航空機のパラボリックライトの際に生じる微小動環境を利用した実験と、その比較のための地上参照実験を行い、InGaSbの結晶成長に及ぼす重力効果を調べた。電気炉中央部で試料を溶解させた後、10^<-2>G状態に達した時に試料を電気炉の外部に移動させ、冷却することでInGaSbを結晶成長させた。実験後の試料の組成比分布をEPMAを用いて分析した。航空機を利用した微小重力実験試料には大きな針状結晶が存在しているのに対して、地上実験試料の方には非常に小さな針状結晶が多数存在していることがわかった。微小重力環境下と1G環境下では熱対流が異なるためであると考えられる。微小重力環境下において大型のInGaSb単結晶を成長させ得る可能性が判明した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-12
著者
-
宮澤 政文
静岡大学工学部
-
早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
-
熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
-
小松 秀樹
静岡大学電子工学研究所
-
村上 倫章
静大電研
-
宮澤 政文
静大工
-
村上 倫章
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
-
BALAKRISHNAN K.
静岡大
-
小松 秀輝
静岡大
-
Balakrishnan K.
静岡大学電子工学研究所
-
柴田 尚弘
静岡大学電子工学研究所
-
小松 秀輝
静岡大学電子工学研究所
-
中村 徹郎
静岡大学電子工学研究所
-
山田 哲生
静岡大学電子工学研究所
-
Balakrishnan Krishnan
名城大学理工学部材料機能工学科
-
K バラクリシュナン
静岡大学電子工学研究所
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