K バラクリシュナン | 静岡大学電子工学研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
BALAKRISHNAN K.
静岡大
-
Balakrishnan K.
静岡大学電子工学研究所
-
Balakrishnan Krishnan
名城大学理工学部材料機能工学科
-
K バラクリシュナン
静岡大学電子工学研究所
-
Balakrishnan Krishnan
Electrotechnical Laboratory
-
早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
-
熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
電子工学研究所技術部
-
熊川 征司
静岡大学 電子研
著作論文
- GaSb/InSb/GaSbサンドウィッチ構造における溶解過程に及ぼす重力対流の役割
- 落下塔利用の微小重力環境下におけるInGaSb突起物形成過程のその場観察
- 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 落下塔利用による微小車力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 航空機利用による微小重力環境下におけるInGaSb 半導体の結晶成長
- InSb融液中へのGaSb溶解に対する自然対流とマランゴニ対流効果
- 回転ブリッジマン法を用いたInGaSb結晶成長における炉内温度に対するアンプル回転効果の数値解析 : バルク成長III
- InAs組成変換基板上への高In組成比InGaAs成長 : エピキタシャル成長IV
- 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
- 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長