熊川 征司 | 静岡大学 電子研

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概要

• 同名の論文著者
• 静岡大学 電子研の論文著者

関連著者

• 熊川 征司

  静岡大学 電子研

• 早川 泰弘

  静岡大学電子工学研究所

• 熊川 征司

  静岡大学電子工学研究所

• 小山 忠信

  静岡大学電子工学研究所

• 小山 忠信

  電子工学研究所技術部

• 小澤 哲夫

  静岡理工科大学

• 村上 倫章

  静大電研

• BALAKRISHNAN K.

  静岡大

• Balakrishnan K.

  静岡大学電子工学研究所

• Balakrishnan Krishnan

  名城大学理工学部材料機能工学科

• K バラクリシュナン

  静岡大学電子工学研究所

• Balakrishnan Krishnan

  Electrotechnical Laboratory

• 岡野 泰則

  静岡大学電子工学研究所

• Okano Y

  Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn

• 村上 倫章

  静岡大学電子工学研究所

• 宮澤 政文

  静大工

• 岡野 泰則

  静岡大学工学部

• ASWAL D.

  バーハ原子センター

• Aswal D

  バーハ原子研究センター

• 宮澤 政文

  静岡大学工学部

• 森 徹

  静岡大学電子工学研究所

• 小松 秀樹

  静岡大学電子工学研究所

• 小松 秀輝

  静岡大

• 中村 徹郎

  静岡大学電子工学研究所

• Aswal D.k.

  バーハ原子研究センター

• 村井 崇志

  静岡大学電子工学研究所

• 百瀬 与志美

  静大電研

• 新船 幸二

  静岡大学電子工学研究所

• 柴田 尚弘

  静岡大学電子工学研究所

• 小松 秀輝

  静岡大学電子工学研究所

• 山田 哲生

  静岡大学電子工学研究所

• 飯田 晋

  静大電研

• Dost S.

  カナダビクトリア大学機械工学科

• Dost S.

  ビクトリア大

• Dost Sadik

  Department Of Mechanical Engineering University Of Victoria

• Koyama T

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• Hayakawa Y

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• 平田 彰

  早稲田大学理工学部

• 平田 彰

  早稲田大学理工学部 応用化学科

• 小山 忠信

  静大電研

• 熊川 征司

  静大電研

• 早川 泰弘

  静大電研

• 百瀬 与志美

  静岡大学電子工学研究所

• DAO Le

  INRS-Energie et materiaux, University du Qubec

• 百瀬 与志美

  静岡大学電子工学研究所技術部

• Dao Le

  Inrs-energie Et Materiaux University Du Qubec

• 飯田 晋

  静岡大学電子工学研究所

• 中村 慎吾

  静大電研

• 熊川 征司

  バーハ原子研究センター

• 新船 幸二

  静岡大

• 岡野 泰則

  静岡大

• 村上 倫章

  静岡大

• 早川 泰弘

  静岡大

• 熊川 征司

  静岡大

• 早川 泰弘

  静大電子研

• 熊川 征司

  静大電子研

• 疋田 卓也

  静大電研

• 岡野 泰則

  静大工

• 鈴木 崇之

  静岡理工科大

• 木村 忠

  静岡大学電子工学研究所

• 岡野 義則

  静岡大学工学部

• Jayavel Pachamuthu

  静大電研

• クァン グエン・ヴァン

  静岡大学 電子研

• 熊川 征司

  静岡大・電子研

• Zhang Guoqiang

  静岡大学電子科学研究科

• 小山 忠信

  静岡大・電研

• 早川 泰弘

  静岡大学 電子研

• 熊川 征司

  静岡大・電子工学研究所

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 佐々木 実

  山形大理

• 大西 彰正

  山形大理

• 章 国強

  静岡大学電子工学研究所

• 木村 忠

  静岡大

• BALAKRISHNAN Krishnan

  静岡大

• 安達 広樹

  静岡大

• 久留 勇

  東芝総研

• 今野 有希子

  静大電研

• 新船 幸二

  静大電子研

• 中村 徹郎

  静岡大

• DOST S.

  ビクトリヤ大

• DAO Le

  ケベック大

• 早川 泰弘

  静岡大電子研

• 熊川 征司

  静岡大電子研

• BALAKRISHNAN Krishnan

  静岡大学電子工学研究所

• KRISHNAMURTHY Daivasigamani

  静岡大学電子工学研究所

• 新船 幸二

  早稲田大学理工学部

• DOST Sadic

  University of Victoria

• BALAKRISHNAN K.

  静大電子研

• 今石 宣之

  九大機能研

• DOST S.

  ヴィクトリア大

• DAO LE.

  ケベック大

• 疋田 卓也

  静岡大学電子工学研究所

• 今石 宣之

  九州大学

• 木村 忠

  静岡大 電子工研

• 西浦 正昭

  静岡大学電子研

• 皆川 重量

  日立・中研

• 赤崎 勇

  松下技研

• 久留 勇

  東芝・総研

• 早川 泰弘

  静岡大・電子研

• 西浦 正昭

  東京芝浦電気(株)

• 永井 洋希

  静大電研

• Balakrishnan K.

  静大電研

• Koyama Tadanobu

  静岡大学電子工学研究所

• Kumagawa Masashi

  静岡大学電子科学研究科

• Hayakawa Yasuhiro

  静岡大学電子科学研究科

• 中村 慎吾

  静岡大・電子研

• Jayavel Pachamuthu

  静岡大・電子研

• 中村 慎吾

  静岡大学電子科学研究科

• 新船 幸二

  岡大学電子工学研究所

• 新船 幸二

  静大・電子研

• 村上 倫章

  静大・電子研

• 小山 忠信

  静大・電子研

• 早川 泰弘

  静大・電子研

• 熊川 征司

  静大・電子研

• 章国 強

  静岡大学電子工学研究所

• DOST Sadik

  カナダビクトリア大学機械工学科

• 鳥居 尚哉

  静岡大学電子工学研究所

• Aswal D.K

  バーハ原子研究センター

• ASWAL Dinesh

  Technical Physics and Prototype Engineering Division, Bhabha Atomic Research Center

• 名倉 雅彦

  静岡大学電子工学研究所

• 佐々木 実

  山形大学理学部

• 名倉 雅彦

  静岡大学 電子工学研究所

• 平田 彰[他]

  早稲田大学理工学部 応用化学科

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著作論文

• GaSb/InSb/GaSbサンドウィッチ構造における溶解過程に及ぼす重力対流の役割
• 29aZK-8 ナローギャップ半導体における過渡熱起電力効果
• 温度差法による任意組成の均一組成InGaSb結晶成長
• 回転ブリッジマン法によるIII-V族混晶半導体結晶成長(基板結晶)
• InGaSb結晶成長における重力効果と組成的過冷却の数値解析
• InGaSb結晶成長における重力効果の数値解析(半導体結晶成長II)
• InGaSb結晶成長における溶液相形成過程の数値解析(半導体結晶成長I)
• 回転ブリッジマン法を用いた高品質InGaAs混晶の結晶成長
• 落下塔利用の微小重力環境下におけるInGaSb突起物形成過程のその場観察
• 酸化物高温超伝導の結晶成長その場観察
• 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
• 落下塔利用による微小車力環境下における半導体の融解と凝固実験
• 航空機利用による微小重力環境下におけるInGaSb 半導体の結晶成長
• 酸化物高温超伝導体の核形成と結晶成長その場観察(2) (微小重力科学)
• InSb融液中へのGaSb溶解に対する自然対流とマランゴニ対流効果
• 01aA02 熱パルス法を用いた均一組成InGaSb結晶成長(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
• InGaSb結晶成長における重力効果
• GaSb回転引上げ結晶中のミクロンサイズのfacet : III-V族化合物半導体など
• 結晶引上げ時の固液界面形状の計算機シミュレーション
• 気相成長
• InAs組成変換基板上への高In組成比InGaAs成長 : エピキタシャル成長IV
• 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
• 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
• 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
• Growth of homogeneous InGaSb ternary alloy semiconductors on InSb seed
• Influence of Te impurity on morphology of GaSb epilayer grown on GaSb (001) patterned substrate by liquid phase epitaxy
• LPE growth of In_xGa_1-xSb pyramidal epilayer on GaSb(001) patterned substrate
• Growth of In_xGa_As Epilayers on Different Types of Patterned GaAs(100) Substrates
• 17aB06 ホットウォールエピタキシー法によるバッファ層上へのInAs_xSb_結晶成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
• 25aB07 ホットウォール法によるInAs_xSb_結晶成長(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
• ホットウォール法によるInAsとInAsSb結晶成長
• 温度差法によるIn_xGa_Sb結晶成長
• Defect Filtration of Hollow Pyramidal Structured GaSb Epilayers Grown on GaSb (100) Patterned Substrates by Liquid Phase Epitaxy
• 落下塔を利用した微小重力環境下におけるInGaSb三元混晶半導体の凝固実験
• 温度差法によるIn_xGa_Sb結晶成長の一次元モデル解析
• GaSb回転引上げ結晶中の特徴的なfacet- off facet境界帯 : III-V族化合物半導体など
• 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
• GaSb/InSb/GaSbサンドイッチ構造試料溶融に及ぼす自然対流,マランゴニ対流の影響に関する数値解析
• (Nd_Eu_Gd_)Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長 : 溶液成長II
• (Nd_Eu_Gd_)Ba_2Cu_3O_X酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長
• (Nd_Eu_Gd_)Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長
• (Nd_Eu_Gd_)Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長
• 高温光学顕微鏡を用いたY_yNd_Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長
• 微小重力環境下結晶成長実験を振り返って
• InSb CZ結晶に対する回転振動の効果 : 融液成長II

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