Influence of Te impurity on morphology of GaSb epilayer grown on GaSb (001) patterned substrate by liquid phase epitaxy
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概要
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- American Institute of Physicsの論文
- 2004-12-27
著者
-
熊川 征司
静岡大学 電子研
-
Koyama T
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
Hayakawa Y
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
Zhang Guoqiang
静岡大学電子科学研究科
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