InAs組成変換基板上への高In組成比InGaAs成長 : エピキタシャル成長IV
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概要
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The In_xGa_<1-x> As layers were grown on composition converted InAs(111)B patterned substrates by liquid phase epitaxy. Grown layer with flat and mirror-like surface was obtained. Ga compositions of the depth direction on InAs substrates was decreasing. Ga and In compositions of the In_xGa_<1-x>(x=0.8) layers were found to be uniform.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
-
早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
静大電研
-
熊川 征司
静大電研
-
早川 泰弘
静大電研
-
小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
-
BALAKRISHNAN K.
静岡大
-
Balakrishnan K.
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
電子工学研究所技術部
-
Balakrishnan Krishnan
名城大学理工学部材料機能工学科
-
飯田 晋
静大電研
-
熊川 征司
静岡大学 電子研
-
永井 洋希
静大電研
-
Balakrishnan K.
静大電研
-
K バラクリシュナン
静岡大学電子工学研究所
-
Balakrishnan Krishnan
Electrotechnical Laboratory
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