01aA02 熱パルス法を用いた均一組成InGaSb結晶成長(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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The homogeneous InGaSb ternary alloy crystals were grown by the temperature gradient method. During the InGaSb crystal growth, heat pulses were introduced and the growth rate was measured using impurity striations. The temperature gradient in the solution was estimated from the indium compositional profile of the growth crystal. The appropriate cooling rate was calculated from the growth rate and temperature gradient. The homogeneous InGaSb crystal with aimed composition was grown by the appropriate cooling rate.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
-
熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
-
疋田 卓也
静大電研
-
村上 倫章
静大電研
-
百瀬 与志美
静大電研
-
村上 倫章
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
-
百瀬 与志美
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
電子工学研究所技術部
-
百瀬 与志美
静岡大学電子工学研究所技術部
-
疋田 卓也
静岡大学電子工学研究所
-
熊川 征司
静岡大学 電子研
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