InGaSb結晶成長における重力効果の数値解析(半導体結晶成長II)
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概要
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In order to grow InGaSb single crystals of high quality in the microgravity conditions, a numerical analysis has been carried out to clarify growth conditions under different gravity levels. A horizontal sandwich model of GaSb/In-Ga-Sb/GaSb conibination has been used As a result the shape of solid-liquid interface broadens towards the bottom at small cooling rates, and towards the top at large cooling rates under normal gravity. The shape of solid-liquid interface became flatter with the decrease of gravity levels.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
著者
-
小澤 哲夫
静岡理工科大学
-
早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
-
熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
-
村上 倫章
静大電研
-
鈴木 崇之
静岡理工科大
-
村上 倫章
静岡大学電子工学研究所
-
新船 幸二
静岡大学電子工学研究所
-
岡野 泰則
静岡大学工学部
-
岡野 泰則
静岡大学電子工学研究所
-
熊川 征司
静岡大学 電子研
-
Okano Y
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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