Coalescence of ELO layers of InGaAS grown on patterned (111) GaAs by LPE
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概要
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In_xGa_<1-x>As (x=0.06) epitaxial lateral overgrown (ELO) layers were grown on (111)B GaAs patterned substrates covered with SiN_x mask by LPE. When the layers with {111}A and {111}B growth coalesced, dislocations got generated. For the coalesced ELO layers in constant touch with the basal SiN_x mask, the surface became concave due to thickness decrease of the layers. This problem of thickness decrease was not present when a big enough void structure was present in the grown InGaAS ELO layers.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
-
早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
-
熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
-
BALAKRISHNAN K.
静岡大
-
Balakrishnan K.
静岡大学電子工学研究所
-
Balakrishnan Krishnan
名城大学理工学部材料機能工学科
-
飯田 晋
静大電研
-
飯田 晋
静岡大学電子工学研究所
-
K バラクリシュナン
静岡大学電子工学研究所
-
Balakrishnan Krishnan
Electrotechnical Laboratory
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