InSb基板中へのGa混入機構(II)
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概要
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液相成長法の装置を用いて、InSb基板にIn-Ga-Sb溶液を一定温度で接触させ、InSb結晶中へのGaの高速混入機構を調べた。溶液除去後のアニーリング時間が長い程、また冷却速度が遅い程、Ga組成比分布は平坦になった。In_<1-x>Ga_xSb形成領域においても、Gaが移動した。溶液-基板間ヘ電流バルスを導入すると、Ga混入領域にパルス縞が形成された。これは、Ga混入領域に固液が共存することを示唆した。高温顕微鏡によるGa混入の動的観察により、Ga混入は等方的ではなく、{111}面を形成しながら進行することや、In-Ga-Sb溶液が帯状にInSb基板中を移動することがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-05-23
著者
-
高橋 克巳
石川島播磨重工業(株)技術研究所先端技術研究部
-
早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
-
高橋 克己
IHI 技研
-
熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
-
大津 弘毅
静大電子研
-
正木 みゆき
石川島播磨技研
-
大津 弘毅
静岡大学電子工学研究所
-
正木 みゆき
石川島播磨重工業(株)技術研究所先端技術研究部
-
高橋 克己
石川島播磨重工業(株)技術研究所先端技術研究部
-
高橋 克巳
石川島播磨重工業技術研究所
-
高橋 克巳
石川島播磨重工業(株)
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