InSb基板中へのGa高速混入機構
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概要
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permeation mechanism of Ga Into an InSb substrate was Investlgated. The direct observation of the Ga incorporation on an InSb substrate clearly showed that the{111}planes appeared at the front of the layer and the InGaSb crystal was grown after the movement of liquid belt.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1997-07-01
著者
-
高橋 克巳
石川島播磨重工業(株)技術研究所先端技術研究部
-
小山 忠信
静大電子研
-
高橋 克己
IHI 技研
-
早川 泰弘
静大電子研
-
熊川 征司
静大電子研
-
大津 弘毅
静大電子研
-
正木 みゆき
石川島播磨技研
-
正木 みゆき
石川島播磨重工業(株)技術研究所先端技術研究部
-
高橋 克己
石川島播磨重工業(株)技術研究所先端技術研究部
-
高橋 克巳
石川島播磨重工業技術研究所
-
高橋 克巳
石川島播磨重工業(株)
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