23aB8 InGaAs/GaAsのブリッジ成長機構の検討(エピタキシャル成長II)
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概要
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In order to investigate the formation mechanism of the bridge, InGaAs layer were grown on line-seed substrate alined with <110>. When InGaAs grew laterally with {111} B plane appeared at growth front, InGaAs formed a bridge. This results indicated that Berg effect greatly affected on the formation mechanism of the bridge.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
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