溝付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長層の形成メカニズム

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 静岡大学大学院電子科学研究科の論文

著者

• 飯田 晋

  静大電研

• 南 里江

  静岡大学電子工学研究所

関連論文

• 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へにInGaAs横方向成長(III)
• 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(III)
• InAs組成変換基板上への高In組成比InGaAs成長 : エピキタシャル成長IV
• 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
• 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
• 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
• Study on the LPE growth of InGaAS pyramidal layers on (100) GaAs substrates
• Coalescence of ELO layers of InGaAS grown on patterned (111) GaAs by LPE
• 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
• 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
• 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
• 溝付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長層の形成メカニズム
• 溝付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長層の形成メカニズム
• 23aB8 InGaAs/GaAsのブリッジ成長機構の検討(エピタキシャル成長II)
• 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長
• 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長
• 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長
• 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(II) : 溶液成長
• 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(III)
• 溝付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長と評価
• 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長
• 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長
• 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長
• 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(II)
• 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(II)
• 液相成長法による溝付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長 : 半導体液相成長I

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク