窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(II)
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概要
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ホトリソグラフィー技術等により、SiN_x膜で覆ったGaAs(111)B基板に窓を形成し、さらに化学エッチにより溝を形成した。液相成長法により、In_xGa_<1-x>As層を成長させたところ、溝内部において成長層は溝側面からブリッジ状に横方向成長し、溝底面とは接触しないため、エッチピット密度が非常に低い良資な成長層が得られた。成長層の組成比分布を調べることによりブリッジの成長過程を検討した。In組成比をx=0.06,0.08,0.10と変化させ、GaAs基板との格子不整合率を0.71%まで大きくした場合においても、成長層はブリッジを形成し、良資な結晶が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-05-23
著者
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