熊川 征司 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
-
早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
-
小澤 哲夫
静岡理工科大学
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熊川 征司
静岡大学 電子研
-
小山 忠信
電子工学研究所技術部
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飯田 晋
静大電研
-
飯田 晋
静岡大学電子工学研究所
-
BALAKRISHNAN K.
静岡大
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Balakrishnan K.
静岡大学電子工学研究所
-
Balakrishnan Krishnan
名城大学理工学部材料機能工学科
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K バラクリシュナン
静岡大学電子工学研究所
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ASWAL D.
バーハ原子センター
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Aswal D.k.
バーハ原子研究センター
-
Aswal D
バーハ原子研究センター
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Balakrishnan Krishnan
Electrotechnical Laboratory
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村上 倫章
静大電研
-
村上 倫章
静岡大学電子工学研究所
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森 徹
静岡大学電子工学研究所
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Okano Y
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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岡野 泰則
静岡大学工学部
-
Aswal D.K.
静岡大学電子工学研究所
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宮澤 政文
静岡大学工学部
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小松 秀樹
静岡大学電子工学研究所
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疋田 卓也
静大電研
-
宮澤 政文
静大工
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小松 秀輝
静岡大
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柴田 尚弘
静岡大学電子工学研究所
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小松 秀輝
静岡大学電子工学研究所
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中村 徹郎
静岡大学電子工学研究所
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山田 哲生
静岡大学電子工学研究所
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佐野 信
静岡大学大学院電子科学研究科
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岡野 泰則
静岡大学電子工学研究所
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安藤 正彦
静岡大学電子工学研究所
-
佐野 信
静岡大学電子工学研究所
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平田 彰
早稲田大学理工学部
-
小澤 哲夫
静岡大学電子工学研究所
-
平田 彰
早稲田大学理工学部 応用化学科
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鶴田 卓也
静岡大学電子工学研究所
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村井 崇志
静岡大学電子工学研究所
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大津 弘毅
静大電子研
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山口 十六夫
静岡大学
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山口 十六夫
静岡大学電子工学研究所
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浜川 恵美
静岡大学電子工学研究所
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新村 光世
静岡大学電子工学研究所
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山口 十六夫
静岡大 電子工研
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菅 博文
浜松ホトニクス
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今石 宣之
九州大学機能物質科学研究所
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山下 圭一
静岡大学電子工学研究所
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高橋 克巳
石川島播磨重工業(株)技術研究所先端技術研究部
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高橋 克己
IHI 技研
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百瀬 与志美
静大電研
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新船 幸二
静岡大学電子工学研究所
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百瀬 与志美
静岡大学電子工学研究所
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新船 幸二
早稲田大学理工学部
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百瀬 与志美
静岡大学電子工学研究所技術部
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〓 秀英
浜松ホトニクス(株)中央研究所
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青山 満
静岡大学電子工学研究所
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興津 和彦
静岡大学電子工学研究所
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正木 みゆき
石川島播磨技研
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大津 弘毅
静岡大学電子工学研究所
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興津 和彦
静大電研
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Rowell L.
カナダ度量衡研究所
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Rowell Nelson
Institute For National Measurement Standards National Research! Council
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青山 満
静岡大学電子工学研究所技術部
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麻川 和裕
静岡大学大学院電子科学研究科
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正木 みゆき
石川島播磨重工業(株)技術研究所先端技術研究部
-
大槻 淳
静岡大学電子工学研究所
-
大西 佳文
静岡大学電子工学研究所
-
高橋 克己
石川島播磨重工業(株)技術研究所先端技術研究部
-
高橋 克巳
石川島播磨重工業技術研究所
-
柳田 浩行
静岡大学電子工学研究所
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熊川 征司
バーハ原子研究センター
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依田 真一
宇宙開発事業団
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大井田 俊彦
宇宙開発事業団宇宙環境利用システム本部宇宙環境利用研究センター
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牧野 貴光
浜松ホトニクス(株)中央研究所
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木村 忠
静岡大学電子工学研究所
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岡野 義則
静岡大学工学部
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藤原 省悟
早稲田大学理工学部
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酒井 奨
静岡大学工学部
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Dost S.
カナダビクトリア大学機械工学科
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Dost S.
ビクトリア大
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Dost Sadik
Department Of Mechanical Engineering University Of Victoria
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バラクリシュナン K.
静岡大学電子工学研究所
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南 里江
静岡大学電子工学研究所
-
大井田 俊彦
宇宙開発事業団
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萬行 厚雄
静岡大学電子工学研究所
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早川 秦弘
静岡大学電子工学研究所
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ASWAL Dinesh
Technical Physics and Prototype Engineering Division, Bhabha Atomic Research Center
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Rowell N
カナダ度量衡研究所
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酒井 奨
静大院
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名倉 雅彦
静岡大学電子工学研究所
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麻川 和裕
静岡大学電子工学研究所
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菊澤 充男
静大電子
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菊澤 充男
静岡大学電子工学研究所
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高橋 克巳
石川島播磨重工業(株)
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大坂 敏明
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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佐々木 実
山形大理
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大西 彰正
山形大理
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章 国強
静岡大学電子工学研究所
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木村 忠
静岡大
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中野 学
静岡大学電子工学研究所
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中山 顕
静岡大学工学部機械工学科
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西村 隆司
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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鈴木 崇之
静岡理工科大
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BALAKRISHNAN Krishnan
静岡大学電子工学研究所
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KRISHNAMURTHY Daivasigamani
静岡大学電子工学研究所
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DOST Sadic
University of Victoria
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DAO Le
INRS-Energie et materiaux, University du Qubec
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西村 隆司
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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木村 忠
静岡大学大学院電子科学研究科・三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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室谷 利夫
菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
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大坂 敏明
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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大坂 敏明
早稲田大学理工学部
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大坂 敏明
早稲田大学
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橘 正人
早稲田大学理工学部
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宮田 忠幸
静岡大学電子工学研究所
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疋田 卓也
静岡大学電子工学研究所
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清水 英利
静岡理工科大学
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安廣 祥一
九大
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安廣 祥一
九州大学機能物質科学研究所
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木村 忠
静岡大 電子工研
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岡野 泰則
東北大学金属材料研究所
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西浦 正昭
静岡大学電子研
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西澤 伸一
電総研
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西澤 伸一
早稲田大学理工学部
-
Dao Le
Inrs-energie Et Materiaux University Du Qubec
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ROWELL Nelson
Institute for National Measurement Standards, National Research Council
-
大津 弘穀
静岡大学電子工学研究所
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正木 みゆき
静岡大学電子工学研究所
-
高橋 克巳
静岡大学電子工学研究所
-
西浦 正昭
東京芝浦電気(株)
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飯田 晋
静岡大学大学院電子科学研究科
-
太坂 敏明
早稲田大学
-
中村 慎吾
静大電研
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斉藤 幸夫
静岡大学電子工学研究所
-
中村 慎吾
静岡大学電子科学研究科
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新船 幸二
岡大学電子工学研究所
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章国 強
静岡大学電子工学研究所
-
Krishnamurthy D.
静岡大学電子工学研究所
-
DOST Sadik
カナダビクトリア大学機械工学科
-
毛 倫
静岡大学大学院電子科学研究科
-
浅井 誠
静岡大学電子工学研究所
-
関島 雄徳
静岡大学電子工学研究所
-
鳥居 尚哉
静岡大学電子工学研究所
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Aswal D.K
バーハ原子研究センター
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鶴田 卓也
静岡大学大学院電子科学研究科
-
水野 真
静岡大学電子工学研究所
-
杉本 祐司
静岡大学電子工学研究所
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祖父江 哲也
静岡大学電子工学研究所
-
中山 顕
静岡大学工学部
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桜井 孝子
静岡大学電子工学研究所
-
小澤 哲夫
静岡理工大
-
織 浩介
静岡理工大
-
小川 剛広
静岡理工大
-
石神 直人
静岡理工科大学
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小野 博明
静岡大学電子工学研究所
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大槻 淳
静岡大電子研
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中務 俊之
静岡大学電子工学研究所
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[ゴン] 秀英
浜松ホトニクス(株)
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佐々木 実
山形大学理学部
-
小澤 哲夫
静岡大学大学院電子科学研究科
-
大石 明良
静岡大学大学院工学研究科
-
Aswal DineshK
Technical Physics and PrototypeEngineering Division,Bhabha Atomic Research Center
-
Aswal Dineshk
Technical Physics And Prototypeengineering Division Bhabha Atomic Research Center
-
平田 彰[他]
早稲田大学理工学部 応用化学科
-
西村 隆司
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
吉上 孝行
静岡大学電子工学研究所
著作論文
- 回転温度差法によるInGaAsバルク結晶成長 : 融液成長(一般)I
- 温度差法によるInGaAs結晶成長と溶液対流の数値解析 : 融液成長(一般)I
- InGaAs三元混晶の温度差法による結晶成長と溶液対流の数値解析
- InGaAsSb四元混晶半導体のバルク結晶成長 : 融液成長IV
- InGaAs三元混晶半導体のパルク結晶成長 : 融液成長IV
- 29aZK-8 ナローギャップ半導体における過渡熱起電力効果
- 回転ブリッジマン法によるIII-V族混晶半導体結晶成長(基板結晶)
- InGaSb結晶成長における重力効果の数値解析(半導体結晶成長II)
- InGaSb結晶成長における溶液相形成過程の数値解析(半導体結晶成長I)
- 回転ブリッジマン法を用いた高品質InGaAs混晶の結晶成長
- 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 落下塔利用による微小車力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 航空機利用による微小重力環境下におけるInGaSb 半導体の結晶成長
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へにInGaAs横方向成長(III)
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(III)
- スペースシャトル内封管InP気相エピタキシャル成長における安全性保証試験
- 超音波振動導入チョクラルスキー法による大型In_xGaSb混晶成長 (II)
- 01aA02 熱パルス法を用いた均一組成InGaSb結晶成長(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
- InGaSb結晶成長における重力効果
- 回転ブリッジマン法を用いたInGaSb結晶成長における炉内温度に対するアンプル回転効果の数値解析 : バルク成長III
- 結晶引上げ時の固液界面形状の計算機シミュレーション
- 濃度差マランゴニ対流に基づく多元系化合物半導体融液の均一分散・混合化
- In-Sb系融液の均一分散・混合化実験(IML-2)の評価
- InSb基板中へのGa混入機構(II)
- InSb基板中へのGa混入機構(II)
- InSb基板中へのGa混入機構
- InSb結晶中へのGaの高速拡散とInの析出 : 半導体液相成長I
- InGaAs三元混晶の温度差法による結晶成長と溶液対流の数値解析
- 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
- 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
- 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
- Study on the LPE growth of InGaAS pyramidal layers on (100) GaAs substrates
- Coalescence of ELO layers of InGaAS grown on patterned (111) GaAs by LPE
- 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
- 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
- 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(III)
- 溝付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長と評価
- 微小重力下でのInGaSb結晶成長の数値解析 : 基礎II
- ホットウォール法によるInAsとInAsSb結晶成長
- Defect Filtration of Hollow Pyramidal Structured GaSb Epilayers Grown on GaSb (100) Patterned Substrates by Liquid Phase Epitaxy
- 落下塔を利用した微小重力環境下におけるInGaSb三元混晶半導体の凝固実験
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 航空機利用による微小重力環境下と地上におけるInGaSb半導体の結晶成長
- 航空機利用による微小重力環境下と地上におけるInGaSb半導体の結晶成長
- 航空機利用による微小重力環境下と地上におけるInGaSb半導体の結晶成長
- GaSb/InSb/GaSbサンドイッチ構造試料溶融に及ぼす自然対流,マランゴニ対流の影響に関する数値解析
- Yba_2Cu_3Ox及びSmBa_2Cu_3Ox高温超伝導体におけるMn添加効果
- SmBa_2Cu_3O_x高温超伝導体におけるBaサイトへのSm置換効果 : 超伝導I
- 横長のボート型坩堝を用いたYBa_2Cu_3O_x結晶成長 : 超伝導I
- SmBa_2Cu_3O_x高温超伝導体のMn添加効果 : 超伝導酸化物
- YBa_2Cu_3O_x高温超伝導体のMn添加効果 : 超伝導酸化物
- Bi系高温超伝導体への不純物添加効果(I) : 超伝導酸化物
- Y-Ba-Cu-O系超伝導体への不純物添加効果 : 溶液成長I
- (Nd_Eu_Gd_)Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長 : 溶液成長II
- (Nd_Eu_Gd_)Ba_2Cu_3O_X酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長
- (Nd_Eu_Gd_)Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長
- (Nd_Eu_Gd_)Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長
- 高温光学顕微鏡を用いたY_yNd_Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長
- Y_yND_Ba_2Cu_3O_x高温酸化物超伝導体の相図作成と結晶成長 : バルク成長VI
- 高温顕微鏡を用いたY_yNd_Ba_2Cu_3O_x酸化物超伝導体の相図作製と結晶成長
- 高温顕微鏡を用いたY_yNd_Ba_2Cu_3O_x酸化物超伝導体の相図作成と結晶成長
- 高温顕微鏡を用いたY_yNd_Ba_2Cu_3O_x酸化物超伝導体の相図作成と結晶成長
- 23aA1 Y_yNd_Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の結晶成長(バルク成長III)
- InSb結晶中へのGaの高速拡散
- InSb結晶中へのGaの高速拡散
- 融液温度への超音波振動導入効果 : 融液成長IV
- 超音波振動導入融液からのInGaSb混晶成長
- E-6 大型In_xGa_Sb混晶成長に及ぼす超音波振動の効果(II)(音波物性)
- E-5 大型In_xGa_Sb混晶成長に及ぼす超音波振動の効果(音波物性)
- 23aA3 YBa_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の結晶成長その場観察(バルク成長III)
- 23aA2 低酸素分圧下におけるNd123-Ba_3Cu_O_擬似二元相図と結晶成長(バルク成長III)
- NdBa_2Cu_3O_x結晶成長のその場観察 : 結晶成長のその場観察II
- Ag添加自己fluxからのYBa_2Cu_3O_x結晶成長のその場観察 : 結晶成長のその場観察II
- LPE結晶成長に及ぼす溶液対流の効果
- Nucleation and Growth Mechanism of NdBa_2Cu_3O_x
- 回転振動引上げ法によるInGaSb三元混晶成長 : 融液成長IV
- LPE法によるIn_xGa_Sb厚膜結晶成長と電流偏析効果 : エピタキシーII
- 24aB5 地上および微小重力下でのInGaSb結晶成長における溶液対流解析(バルク成長VII)
- 回転ブリッジマン法における成長溶液内の熱伝導シミュレーション : 溶液成長
- 回転ブリッジマン法における回転効果の数値解析
- 回転ブリッジマン法における回転効果の数値解析
- 回転ブリッジマン法における回転効果の数値解析
- InGaAs三元混晶半導体バルク結晶成長(II)
- InGaAs三元混晶半導体バルク結晶成長(II)
- InGaAs三元混晶半導体バルク結晶成長
- CZ結晶における不純物濃度分布の数値解析
- InAs基板上の液相エピタキシャルGa_1-xIn_xAs_1-ySb_y層の光学的性質
- InSb CZ結晶に対する回転振動の効果 (II)
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長
- 気相と液相の二回成長によるPbTeの大型結晶
- エレクトロエピタキシー法によるPb_x Sn_ Teの組成変調効果の有無 : 液相エピキタシー
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(II)
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(II)
- 液相成長法によるInGaAs/GaAsヘテロ エピタキシー
- 液相成長法によるInGaAs/GaAsヘテロエピタキシー
- 回転ブリッジマン法による四元混晶成長と熱力学的計算 : 溶液成長II
- 回転ブリッジマン法による化合物半導体混晶結晶成長
- 高速回転ブリッジマン法による三元混晶成長
- 回転ブリッジマン法による三元混晶液相エピタキシー : 液相エピキタシー
- 微小重力環境下結晶成長実験を振り返って
- Growth and Morphology of YBa_2Cu_3O_x Single Crystals
- 超音波振動導入チョクラルスキー法による大型In_x Ga_ Sb混晶成長 : 融液成長II
- G-15 超音波振動導入回転引上げ法によるInGaSb結晶成長
- 超音波振動導入による溶液温度変化
- 超音波振動導入回転引上げ法によるIII-V族半導体のバルク結晶成長(II)(ソノケミストリーの新しい展開)
- 超音波振動導入回転引上げ法によるIII-V族半導体のバルク結晶成長(I)(ソノケミストリーの新しい展開)
- 音響振動導入回転引き上げ法によるInSbバルク結晶成長
- 超音波振動利用による半導体成長結晶の品質改善(特別講演)