安藤 正彦 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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安藤 正彦
静岡大学電子工学研究所
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小澤 哲夫
静岡理工科大学
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早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
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熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
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高橋 克巳
石川島播磨重工業(株)技術研究所先端技術研究部
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高橋 克己
IHI 技研
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小澤 哲夫
静岡大学電子工学研究所
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高橋 克己
石川島播磨重工業(株)技術研究所先端技術研究部
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高橋 克巳
石川島播磨重工業技術研究所
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浜川 恵美
静大電子研
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安藤 正彦
静大電子研
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小山 忠信
静大電子研
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足立 聡
IHI 技研
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早川 泰弘
静大電子研
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熊川 征司
静大電子研
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中野 学
静岡大学電子工学研究所
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足立 聡
石川島播磨重工業(株)技術研究所航空宇宙開発部
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浜川 恵美
静岡大学電子工学研究所
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Pathangey B.
Univ. Of Florida
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高橋 克巳
石川島播磨重工業(株)
著作論文
- GaとBiのInSb中への拡散と複合物の発生 : 融液成長(一般)I
- 回転温度差法によるInGaAsバルク結晶成長 : 融液成長(一般)I
- 温度差法によるInGaAs結晶成長と溶液対流の数値解析 : 融液成長(一般)I
- InGaAs三元混晶の温度差法による結晶成長と溶液対流の数値解析
- InSb結晶上へのInGaSbBiバルク混晶成長(第1報)
- InGaAsSb四元混晶半導体のバルク結晶成長 : 融液成長IV
- InGaAs三元混晶半導体のパルク結晶成長 : 融液成長IV
- 温度差法,縦型ブリッジマン法及び回転ブリッジマン法によるInGaAs三元混晶半導体の結晶成長
- InGaAs三元混晶の温度差法による結晶成長と溶液対流の数値解析