小澤 哲夫 | 静岡理工科大学
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概要
関連著者
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小澤 哲夫
静岡理工科大学
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早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
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熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
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小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
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岡野 泰則
静岡大学電子工学研究所
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Okano Y
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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熊川 征司
静岡大学 電子研
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小山 忠信
電子工学研究所技術部
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宮澤 政文
静大工
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村上 倫章
静大電研
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田中 昭
静岡大学電子工学研究所
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部 宇宙環境利用科学研究系
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小松 秀樹
静岡大学電子工学研究所
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BALAKRISHNAN K.
静岡大
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小松 秀輝
静岡大
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Balakrishnan K.
静岡大学電子工学研究所
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Balakrishnan Krishnan
名城大学理工学部材料機能工学科
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K バラクリシュナン
静岡大学電子工学研究所
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Balakrishnan Krishnan
Electrotechnical Laboratory
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安藤 正彦
静岡大学電子工学研究所
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柴田 尚弘
静岡大学電子工学研究所
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百瀬 与志美
静岡大学電子工学研究所技術部
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アリバナンドハン ムカンナン
静岡大学電子工学研究所
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青木 徹
静岡大学電子工学研究所
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岡野 泰則
静大工
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村上 倫章
静岡大学電子工学研究所
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森井 久史
静岡大学電子工学研究所
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構
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宮澤 政文
静岡大学工学部
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小澤 哲夫
静岡大学電子工学研究所
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青木 徹
静岡大学・電子工学研究所
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百瀬 与志美
静大電研
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岡野 泰則
静岡大学工学部
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木村 忠
静岡大学電子工学研究所
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中村 徹郎
静岡大学電子工学研究所
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今石 宣之
九大機能研
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部宇宙環境利用科学研究系
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今石 宣之
九州大学
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ラジェッシュ ゴビンダサミー
静岡大学電子工学研究所
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木村 忠
静岡大
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小山 忠信
静大電研
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熊川 征司
静大電研
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早川 泰弘
静大電研
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百瀬 与志美
静岡大学電子工学研究所
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小松 秀輝
静岡大学電子工学研究所
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山田 哲生
静岡大学電子工学研究所
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木村 忠
静岡大 電子工研
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山口 十六夫
静岡大学
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ラジェツシュ ゴビンダサミー
静岡大学電子工学研究所
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山口 十六夫
静岡大 電子工研
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平田 彰
早稲田大学理工学部
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早川 泰弘
静大電子研
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熊川 征司
静大電子研
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平田 彰
早稲田大学理工学部 応用化学科
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森井 久史
静岡大学・電子工学研究所
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DAO Le
INRS-Energie et materiaux, University du Qubec
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平田 彰
早大理工
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Dao Le
Inrs-energie Et Materiaux University Du Qubec
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Dost S.
カナダビクトリア大学機械工学科
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Dost S.
ビクトリア大
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Dost Sadik
Department Of Mechanical Engineering University Of Victoria
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山口 十六夫
静大電研
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柴田 尚弘
静大電研
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木村 忠
静大電研
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榎本 祥一
静大工
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勝又 政光
静大工
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阿部 悟
静大工
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小松 秀樹
静大電研
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大西 佳文
静岡大学電子工学研究所
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新船 幸二
静岡大
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岡野 泰則
静岡大
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村上 倫章
静岡大
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早川 泰弘
静岡大
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熊川 征司
静岡大
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岡野 泰則
静岡大学創造科学技術大学院
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鈴木 崇之
静岡理工科大
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新船 幸二
静岡大学電子工学研究所
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岡野 義則
静岡大学工学部
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新船 幸二
早稲田大学理工学部
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岡野 泰則
静岡大学
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早川 泰弘
静岡大学
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
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田中 昭
静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
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BALAKRISHNAN Krishnan
静岡大
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安達 広樹
静岡大
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藤田 哲雄
静岡理工科大
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藤田 哲雄
静岡理工科大学理工学部
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土肥 稔
静岡理工科大学理工学部
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中野 学
静岡大学電子工学研究所
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RAJESH Govindasamy
静岡大学
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ARIVANANDHAN Mukannan
静岡大学
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田中 智之
静岡大学
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疋田 卓也
静大電研
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今野 有希子
静大電研
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新船 幸二
静大電子研
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中村 徹郎
静岡大
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DOST S.
ビクトリヤ大
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DAO Le
ケベック大
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早川 泰弘
静岡大電子研
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ASWAL D.
バーハ原子センター
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熊川 征司
静岡大電子研
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BALAKRISHNAN Krishnan
静岡大学電子工学研究所
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KRISHNAMURTHY Daivasigamani
静岡大学電子工学研究所
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DOST Sadic
University of Victoria
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BALAKRISHNAN K.
静大電子研
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DOST S.
ヴィクトリア大
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DAO LE.
ケベック大
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山口 十六夫
静大電子研
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土肥 稔
名大・理
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清水 英利
静岡理工科大学
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小澤 哲夫
静岡工科大学
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熊川 征司
静岡大・電子研
-
早川 泰弘
静岡大・電子研
-
小山 忠信
静岡大・電研
-
Pathangey B.
Univ. Of Florida
-
Aswal D
バーハ原子研究センター
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小澤 哲夫
静岡理工大
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織 浩介
静岡理工大
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小川 剛広
静岡理工大
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石神 直人
静岡理工科大学
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小野 博明
静岡大学電子工学研究所
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土肥 稔
静岡理工科大 理工
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小澤 哲夫
静岡大学大学院電子科学研究科
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大石 明良
静岡大学大学院工学研究科
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小澤 哲夫
静岡大・電子研
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土肥 稔
静岡理工科大
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熊川 征司
静岡大・電子工学研究所
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岡野 泰則
大阪大学大学院基礎工学研究科
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ARIVANANDHAN Mukannan
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
著作論文
- GaSb/InSb/GaSbサンドウィッチ構造における溶解過程に及ぼす重力対流の役割
- 29a-YL-1 ポーラスシリコンの常磁性欠陥
- 回転温度差法によるInGaAsバルク結晶成長 : 融液成長(一般)I
- 温度差法によるInGaAs結晶成長と溶液対流の数値解析 : 融液成長(一般)I
- InGaAs三元混晶の温度差法による結晶成長と溶液対流の数値解析
- InGaAsSb四元混晶半導体のバルク結晶成長 : 融液成長IV
- InGaAs三元混晶半導体のパルク結晶成長 : 融液成長IV
- 温度差法,縦型ブリッジマン法及び回転ブリッジマン法によるInGaAs三元混晶半導体の結晶成長
- 宇宙ステーシヨン内における混晶半導体バルク結晶成長の予備実験
- InGaSb混晶半導体バルク結晶成長に対する結晶面方位効果の予備計測実験
- 温度差法による任意組成の均一組成InGaSb結晶成長
- 回転ブリッジマン法によるIII-V族混晶半導体結晶成長(基板結晶)
- InGaSb結晶成長における重力効果と組成的過冷却の数値解析
- InGaSb結晶成長における重力効果の数値解析(半導体結晶成長II)
- InGaSb結晶成長における溶液相形成過程の数値解析(半導体結晶成長I)
- 回転ブリッジマン法を用いた高品質InGaAs混晶の結晶成長
- InGaSb半導体育成における重力の影響に関する数値解析
- 落下塔利用の微小重力環境下におけるInGaSb突起物形成過程のその場観察
- 酸化物高温超伝導の結晶成長その場観察
- 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 落下塔利用による微小車力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 航空機利用による微小重力環境下におけるInGaSb 半導体の結晶成長
- 51回 IAF 国際会議の報告
- 酸化物高温超伝導体の核形成と結晶成長その場観察(2) (微小重力科学)
- InSb融液中へのGaSb溶解に対する自然対流とマランゴニ対流効果
- 微小重力環境下と地上におけるInSb融液中へのGaSb溶解実験
- 回転ブリッジマン法を用いたInGaSb結晶成長における炉内温度に対するアンプル回転効果の数値解析 : バルク成長III
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- InGaAs三元混晶の温度差法による結晶成長と溶液対流の数値解析
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 酸化物高温超伝導体の核形成と結晶成長その場観察 (微小重力科学)
- 3-5族多元混晶半導体のバルク単結晶成長技術 (特集 情報・通信の変革に伴う 基板材料の新展開) -- (半導体応用基板)
- 24aB5 地上および微小重力下でのInGaSb結晶成長における溶液対流解析(バルク成長VII)
- 回転ブリッジマン法における成長溶液内の熱伝導シミュレーション : 溶液成長
- 回転ブリッジマン法における回転効果の数値解析
- 回転ブリッジマン法における回転効果の数値解析
- 回転ブリッジマン法における回転効果の数値解析
- InGaAs三元混晶半導体バルク結晶成長(II)
- InGaAs三元混晶半導体バルク結晶成長(II)
- InGaAs三元混晶半導体バルク結晶成長
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- 回転ブリッジマン法による四元混晶成長と熱力学的計算 : 溶液成長II
- 回転ブリッジマン法による化合物半導体混晶結晶成長
- Ga_1-xIn_xAs_ySb_1-y四元混晶半導体の単結晶成長(第1報)
- 高速回転ブリッジマン法によるGaInAsSb四元混晶成長 : 融液成長III
- 回転ブリッジマン法による三元混晶半導体の結晶成長(第2報)
- 高速回転ブリッジマン法による三元混晶成長
- 回転ブリッジマン法による三元混晶液相エピタキシー : 液相エピキタシー
- 回転ブリッジマン法による三元混晶半導体の結晶成長(第1報)
- 微小重力環境下における混晶半導体バルク結晶成長