小山 忠信 | 電子工学研究所技術部

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概要

• 同名の論文著者
• 電子工学研究所技術部の論文著者

関連著者

• 小山 忠信

  静岡大学電子工学研究所

• 小山 忠信

  電子工学研究所技術部

• 早川 泰弘

  静岡大学電子工学研究所

• 熊川 征司

  静岡大学電子工学研究所

• 熊川 征司

  静岡大学 電子研

• BALAKRISHNAN K.

  静岡大

• Balakrishnan K.

  静岡大学電子工学研究所

• Balakrishnan Krishnan

  名城大学理工学部材料機能工学科

• K バラクリシュナン

  静岡大学電子工学研究所

• 村上 倫章

  静大電研

• Balakrishnan Krishnan

  Electrotechnical Laboratory

• 小澤 哲夫

  静岡理工科大学

• 村上 倫章

  静岡大学電子工学研究所

• 宮澤 政文

  静大工

• 岡野 泰則

  静岡大学電子工学研究所

• Okano Y

  Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn

• 宮澤 政文

  静岡大学工学部

• 小松 秀樹

  静岡大学電子工学研究所

• 百瀬 与志美

  静大電研

• 小松 秀輝

  静岡大

• 中村 徹郎

  静岡大学電子工学研究所

• 飯田 晋

  静大電研

• 百瀬 与志美

  静岡大学電子工学研究所

• 柴田 尚弘

  静岡大学電子工学研究所

• 小松 秀輝

  静岡大学電子工学研究所

• 山田 哲生

  静岡大学電子工学研究所

• 百瀬 与志美

  静岡大学電子工学研究所技術部

• 飯田 晋

  静岡大学電子工学研究所

• 森 徹

  静岡大学電子工学研究所

• ASWAL D.

  バーハ原子センター

• Aswal D.k.

  バーハ原子研究センター

• Aswal D

  バーハ原子研究センター

• 田中 昭

  静岡大学電子工学研究所

• 稲富 裕光

  宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部 宇宙環境利用科学研究系

• 森井 久史

  静岡大学・電子工学研究所

• 青木 徹

  静岡大学・電子工学研究所

• 青木 徹

  静岡大学電子工学研究所

• 小山 忠信

  静大電研

• 熊川 征司

  静大電研

• 早川 泰弘

  静大電研

• 岡野 泰則

  静岡大学工学部

• 森井 久史

  静岡大学電子工学研究所

• 稲富 裕光

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部宇宙環境利用科学研究系

• 稲富 裕光

  宇宙航空研究開発機構

• アリバナンドハン ムカンナン

  静岡大学電子工学研究所

• 勝野 廣宣

  静岡大学電子工学研究所技術部

• ラジェツシュ ゴビンダサミー

  静岡大学電子工学研究所

• 勝野 広宣

  静岡大学電子工学研究所

• 中村 慎吾

  静大電研

• 小山 忠信

  静岡大・電研

• Aswal D.K.

  静岡大学電子工学研究所

• 小林 正義

  新潟大学機器分析センター第4部門EPMA室

• 疋田 卓也

  静大電研

• 新船 幸二

  静岡大学電子工学研究所

• 岡野 義則

  静岡大学工学部

• DAO Le

  INRS-Energie et materiaux, University du Qubec

• 田中 高紀

  大阪大学産業科学研究所

• Jayavel Pachamuthu

  静大電研

• ラジェッシュ ゴビンダサミー

  静岡大学電子工学研究所

• Dao Le

  Inrs-energie Et Materiaux University Du Qubec

• Dost S.

  カナダビクトリア大学機械工学科

• Dost S.

  ビクトリア大

• Dost Sadik

  Department Of Mechanical Engineering University Of Victoria

• 早川 泰弘

  静岡大・電子研

• バラクリシュナン K.

  静岡大学電子工学研究所

• 田中 高紀

  大阪大学産業科学研究所技術室

• 小林 正義

  新潟大学機器分析センターepma室

• 喜多 隆介

  静岡大学工学部

• 章 国強

  静岡大学電子工学研究所

• 新船 幸二

  静岡大

• 岡野 泰則

  静岡大

• 村上 倫章

  静岡大

• 早川 泰弘

  静岡大

• 熊川 征司

  静岡大

• 平田 彰

  早稲田大学理工学部

• 平田 彰

  早稲田大学理工学部 応用化学科

• 今野 有希子

  静大電研

• 中村 徹郎

  静岡大

• DOST S.

  ビクトリヤ大

• DAO Le

  ケベック大

• BALAKRISHNAN Krishnan

  静岡大学電子工学研究所

• KRISHNAMURTHY Daivasigamani

  静岡大学電子工学研究所

• 新船 幸二

  早稲田大学理工学部

• DOST Sadic

  University of Victoria

• 疋田 卓也

  静岡大学電子工学研究所

• 清水 英利

  静岡理工科大学

• 青山 満

  静岡大学電子工学研究所

• 小澤 哲夫

  静岡工科大学

• 熊川 征司

  静岡大・電子研

• 大澤 功

  静岡大学電子工学研究所

• 村井 崇志

  静岡大学電子工学研究所

• 藤村 久

  工学部技術部エレクトロニクス応用系

• 馬塚 丈司

  工学部技術部安全衛生支援室

• 桑原 憲弘

  工学部技術部基盤技術支援室

• 鈴木 隆広

  静岡大学工学部

• 永井 洋希

  静大電研

• Balakrishnan K.

  静大電研

• 友田 和一

  静岡大学浜松キャンパス共同利用機器センター技術部

• 村上 倫章

  静岡大・電研

• 中村 慎吾

  静岡大・電子研

• Jayavel Pachamuthu

  静岡大・電子研

• 中村 慎吾

  静岡大学電子科学研究科

• 新船 幸二

  岡大学電子工学研究所

• 新船 幸二

  静大・電子研

• 村上 倫章

  静大・電子研

• 小山 忠信

  静大・電子研

• 早川 泰弘

  静大・電子研

• 熊川 征司

  静大・電子研

• 章国 強

  静岡大学電子工学研究所

• Krishnamurthy D.

  静岡大学電子工学研究所

• ASWAL Dinesh

  Technical Physics and Prototype Engineering Division, Bhabha Atomic Research Center

• 高橋 勲

  静岡大学電子工学研究所技術部

• 藤村 久

  静岡大学工学部技術部安全衛生支援室

• 馬塚 丈司

  静岡大学工学部技術部安全衛生支援室

• 青山 満

  静岡大学電子工学研究所技術部

• 友田 和一

  静岡大学共同利用機器センター技術部

• 熊川 征司

  静岡大・電子工学研究所

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著作論文

• 温度差法による任意組成の均一組成InGaSb結晶成長
• 回転ブリッジマン法を用いた高品質InGaAs混晶の結晶成長
• 落下塔利用の微小重力環境下におけるInGaSb突起物形成過程のその場観察
• 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
• 落下塔利用による微小車力環境下における半導体の融解と凝固実験
• 航空機利用による微小重力環境下におけるInGaSb 半導体の結晶成長
• 01aA02 熱パルス法を用いた均一組成InGaSb結晶成長(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
• InGaSb結晶成長における重力効果
• 回転ブリッジマン法を用いたInGaSb結晶成長における炉内温度に対するアンプル回転効果の数値解析 : バルク成長III
• 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 熱電変換用均一組成シリコンゲルマニウム結晶成長に関する研究
• 局所排気装置のメンテナンス技術研修
• 03aC16 化学溶液塗布法による(Nd_Eu_Gd_)Ba_2Cu_3O_x酸化物超伝導体の結晶成長(結晶評価・その場観察(2),第36回結晶成長国内会議)
• InAs組成変換基板上への高In組成比InGaAs成長 : エピキタシャル成長IV
• 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
• 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
• 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
• 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
• 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
• 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
• EPMA装置の性能比較
• 17aB06 ホットウォールエピタキシー法によるバッファ層上へのInAs_xSb_結晶成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
• 25aA06 InGaSb均一組成結晶成長のための成長速度測定(バルク,第34回結晶成長国内会議)
• 25aB07 ホットウォール法によるInAs_xSb_結晶成長(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
• ホットウォール法によるInAsとInAsSb結晶成長
• 温度差法によるIn_xGa_Sb結晶成長
• Defect Filtration of Hollow Pyramidal Structured GaSb Epilayers Grown on GaSb (100) Patterned Substrates by Liquid Phase Epitaxy
• 落下塔を利用した微小重力環境下におけるInGaSb三元混晶半導体の凝固実験
• 温度差法によるIn_xGa_Sb結晶成長の一次元モデル解析
• 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
• 航空機利用による微小重力環境下と地上におけるInGaSb半導体の結晶成長
• 航空機利用による微小重力環境下と地上におけるInGaSb半導体の結晶成長
• 高温光学顕微鏡を用いたY_yNd_Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長
• Y_yND_Ba_2Cu_3O_x高温酸化物超伝導体の相図作成と結晶成長 : バルク成長VI
• 高温顕微鏡を用いたY_yNd_Ba_2Cu_3O_x酸化物超伝導体の相図作製と結晶成長
• 高温顕微鏡を用いたY_yNd_Ba_2Cu_3O_x酸化物超伝導体の相図作成と結晶成長
• 高圧ガスの法規と資格
• EPMA装置の性能比較
• 平成23年度東海・北陸地区国立大学法人等技術職員合同研修(物理・化学コース)

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