岡野 泰則 | 静岡大
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概要
関連著者
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岡野 泰則
静岡大
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岡野 泰則
静大創科院
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岡野 泰則
静岡大学
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岡野 泰則
静大工
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岡野 泰則
静岡大学電子工学研究所
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水口 尚
琉球大学
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水口 尚
静大工
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近藤 宏樹
静大・工
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岡野 泰則
静大・工
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鈴村 貴弘
静大院
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梅村 鎮基
静岡大学
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酒井 奨
静大院
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新船 幸二
静岡大
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小澤 哲夫
静岡理工科大学
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村上 倫章
静岡大
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早川 泰弘
静岡大
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熊川 征司
静岡大
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早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
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村上 倫章
静大電研
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BALAKRISHNAN K.
静岡大
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Balakrishnan K.
静岡大学電子工学研究所
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Balakrishnan Krishnan
名城大学理工学部材料機能工学科
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熊川 征司
静岡大学 電子研
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Dost S.
ビクトリア大
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Dost Sadik
Department Of Mechanical Engineering University Of Victoria
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鈴木 美穂子
静岡大学
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K バラクリシュナン
静岡大学電子工学研究所
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水口 尚
静大院
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Balakrishnan Krishnan
Electrotechnical Laboratory
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平田 邦紘
静大・院
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川口 幸真
静大・工
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近藤 宏樹
静大院
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梅村 鎮基
静大院
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大久保 俊介
静大院
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Okano Y
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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宮澤 政文
静岡大学工学部
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木村 忠
静岡大
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BALAKRISHNAN Krishnan
静岡大
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安達 広樹
静岡大
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小松 秀樹
静岡大学電子工学研究所
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宮澤 政文
静大工
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岡野 泰則
静岡大学工学部
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木村 忠
静岡大学電子工学研究所
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小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
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小松 秀輝
静岡大
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中村 徹郎
静岡大
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DOST S.
ビクトリヤ大
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DAO Le
ケベック大
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中村 徹郎
静岡大学電子工学研究所
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DAO Le
INRS-Energie et materiaux, University du Qubec
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小山 忠信
電子工学研究所技術部
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Dost S
Univ. Victoria Bc Can
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Dost Sadik
ビクトリア大
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木村 忠
静岡大 電子工研
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Dao Le
Inrs-energie Et Materiaux University Du Qubec
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Dost S.
カナダビクトリア大学機械工学科
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岡野 泰則
静大・創科院
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杉浦 裕樹
静大工
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小山 忠信
静岡大・電研
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平田 邦紘
静大院
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水口 尚
静岡大
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水口 尚
静大・工
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近藤 宏樹
静岡大
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川口 幸真
静大学
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酒井 奨
静大・工
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鈴木 美穂子
静大学
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鈴村 貴弘
静岡大学
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鈴村 貴弘
静大・工
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梅村 鎮基
静大・工
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大久保 俊介
静大・工
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西野 伸作
静大・工
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酒井 奨
静岡大学大学院理工学研究科
著作論文
- GaSb/InSb/GaSbサンドウィッチ構造における溶解過程に及ぼす重力対流の役割
- 落下塔利用の微小重力環境下におけるInGaSb突起物形成過程のその場観察
- 609 フローティング・ゾーン融液内温度差・濃度差マランゴニ対流現象に関する数値解析(電子デバイス材料,OS01 電子デバイス・電子材料と計算力学)
- 固体高分子形燃料電池内における移動現象に関する3次元数値解析
- A232 微小重力環境下における FZ 法を用いた Si/Ge 結晶成長に関する数値解析
- 343 FZ 法を用いた Si/Ge 結晶成長時の三次元マランゴニ対流現象に関する解析
- フルゾーン型フローティング・ゾーン内マランゴニ対流の三次元解析 : バルク結晶成長IV
- 424 3次元Floating zone内のマランゴニ対流に関する数値解析(OS01-1 電子デバイス実装・電子材料と計算力学(1))(OS01 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- F207 垂直温度勾配凝固法を用いたCdTe結晶作製実験とその数値解析(オーガナイズドセッション17 : 材料およびデバイス製造の熱工学)
- VGF法を用いたCdZTe結晶成長に関する数値解析 : バルク結晶成長IV
- 425 地上及び微小重力環境におけるCdZnTe結晶成長に関する数値解析(OS01-1 電子デバイス実装・電子材料と計算力学(1))(OS01 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- 640 VGF 法を用いた化合物半導体及び酸化物結晶成長時の融液内対流制御に関する数値解析
- VGF法による化合物半導体結晶成長時の融液内対流制御に関する数値解析 : バルク成長III
- 639 微小重力環境下での化合物半導体材料プロセッシングにおける諸移動現象の数値解析
- 638 化合物半導体融液内振動現象における対流の影響
- 微小重力下での対流, 拡散現象に及ぼす重力揺らぎの影響
- 化合物半導体融液内における自然対流とマランゴニ対流の共存効果に関する数値解析 : バルク成長III
- 641 THM 化合物半導体結晶育成中における固液界面形状制御
- 602 FZ法を用いたSi/Ge結晶成長時における融液内対流現象に関する数値解析(OS 機器設計に関する伝熱問題(その1))
- THM法による化合物半導体結晶成長における固液界面形状制御に関する数値解析 : バルク成長III
- 電子材料用バルク単結晶作製時の移動現象
- 化合物半導体単結晶作製時の融液内マランゴニ対流