岡野 泰則 | 静大工
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概要
関連著者
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岡野 泰則
静大工
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岡野 泰則
静岡大
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Okano Y
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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岡野 泰則
静大創科院
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岡野 泰則
静岡大学電子工学研究所
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小澤 哲夫
静岡理工科大学
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早川 泰弘
静大電研
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今石 宣之
九大機能研
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岡野 泰則
静岡大学
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平田 彰
早大理工
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山口 十六夫
静岡大学
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酒井 奨
静大院
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山口 十六夫
静岡大 電子工研
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熊川 征司
静大電研
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今石 宣之
九州大学
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山口 十六夫
静大電研
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宮澤 政文
静大工
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榎本 祥一
静大工
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木村 忠
静岡大
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早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
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早川 泰弘
静大電子研
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熊川 征司
静大電子研
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小松 秀樹
静岡大学電子工学研究所
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小山 忠信
静大電研
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木村 忠
静岡大学電子工学研究所
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小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
-
小松 秀輝
静岡大
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柴田 尚弘
静岡大学電子工学研究所
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近藤 宏樹
静大・工
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木村 忠
静岡大 電子工研
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柴田 尚弘
静大電研
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木村 忠
静大電研
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勝又 政光
静大工
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阿部 悟
静大工
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小松 秀樹
静大電研
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新船 幸二
早大理工
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鈴村 貴弘
静大院
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廣瀬 大介
静大電研
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平田 彰
早稲田大学理工学部
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平田 彰
早稲田大学理工学部 応用化学科
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熊川 征司
静岡大学 電子研
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干川 圭吾
信州大学教育学部教育実践研究指導センター
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Dost S.
ビクトリア大
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Dost Sadik
Department Of Mechanical Engineering University Of Victoria
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黄 新明
Ja Solar Holdings Co. Ltd.
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水口 尚
琉球大学
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清水 順
静大工
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熊切 康雄
丸紅
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Zhong X
IS
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Xie X
LIP
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Yuan B
CGWI
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Wu F
CAST
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H Liu
CAST
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黄 新明
信大教
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干川 圭吾
信大教
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梅村 鎮基
静岡大学
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水口 尚
静大工
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水口 尚
静大院
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酒井 奨
静大工
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近藤 宏樹
静大院
-
干川 圭吾
信州大
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梅村 鎮基
静大院
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大久保 俊介
静大院
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熊切 康雄
静岡大 電子工研
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Zhong X
静岡大 電子工研
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鈴木 崇之
静岡理工科大
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新船 幸二
静大電子研
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岡野 泰則
静岡大学工学部
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BALAKRISHNAN K.
静岡大
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Balakrishnan K.
静岡大学電子工学研究所
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新船 幸二
早稲田大学理工学部
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DAO Le
INRS-Energie et materiaux, University du Qubec
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BALAKRISHNAN K.
静大電子研
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DOST S.
ヴィクトリア大
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DAO LE.
ケベック大
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山口 十六夫
静大電子研
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依田 真一
Nasda
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干川 圭吾
信州大学教育学部
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Balakrishnan Krishnan
名城大学理工学部材料機能工学科
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Dost S
Univ. Victoria Bc Can
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Dost Sadik
ビクトリア大
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Dao Le
Inrs-energie Et Materiaux University Du Qubec
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Dost S.
カナダビクトリア大学機械工学科
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鈴木 美穂子
静岡大学
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岡野 泰則
静大・工
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K バラクリシュナン
静岡大学電子工学研究所
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興津 和彦
静大電研
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大井田 俊彦
宇宙開発事業団
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今石 宜之
九大機能研
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Zhong X.
IS
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Xie X.
LIP
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Yuan B.
CGWI
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Wu F.
CAST
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Lie H.
CAST
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和田 哲也
静大電研
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今石 宣之
丸大機能研
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酒井 奨
信大教
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近藤 宏樹
静岡大
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Balakrishnan Krishnan
Electrotechnical Laboratory
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大井田 俊彦
NASDA
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川口 幸真
静大・工
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川口 幸真
静大学
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鈴木 美穂子
静大学
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大久保 俊介
静大・工
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西野 伸作
静大・工
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酒井 奨
静岡大学大学院理工学研究科
著作論文
- InGaSb結晶成長における重力効果と組成的過冷却の数値解析
- InSb融液中へのGaSb溶解に対する自然対流とマランゴニ対流効果
- 微小重力環境下と地上におけるInSb融液中へのGaSb溶解実験
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- μg下と1g下におけるInSb融液中へのGaSb溶解実験と数値解析 : 溶液成長
- 中国の回収衛星利用による多元系化合物半導体の溶解と成長
- 石英るつぼからシリコン融液に混入する酸素の動的挙動に関する数値解析 : バルク成長II
- 343 FZ 法を用いた Si/Ge 結晶成長時の三次元マランゴニ対流現象に関する解析
- 424 3次元Floating zone内のマランゴニ対流に関する数値解析(OS01-1 電子デバイス実装・電子材料と計算力学(1))(OS01 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- F207 垂直温度勾配凝固法を用いたCdTe結晶作製実験とその数値解析(オーガナイズドセッション17 : 材料およびデバイス製造の熱工学)
- 微小重力下(IML-2実験)でのIn/GaSb/Sb混合と凝固
- 425 地上及び微小重力環境におけるCdZnTe結晶成長に関する数値解析(OS01-1 電子デバイス実装・電子材料と計算力学(1))(OS01 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- 640 VGF 法を用いた化合物半導体及び酸化物結晶成長時の融液内対流制御に関する数値解析
- 639 微小重力環境下での化合物半導体材料プロセッシングにおける諸移動現象の数値解析
- 638 化合物半導体融液内振動現象における対流の影響
- シリコンドロップ内の熱・物質移動現象 : 融液物性I
- 641 THM 化合物半導体結晶育成中における固液界面形状制御
- THM法による化合物半導体結晶成長における固液界面形状制御に関する数値解析 : バルク成長III
- 電子材料用バルク単結晶作製時の移動現象
- 化合物半導体単結晶作製時の融液内マランゴニ対流