中国の回収衛星利用による多元系化合物半導体の溶解と成長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Both dissolution of GaSb into InSb melt and growth of InGasb were performed using a chinese recoverable satellite. The In concentrational profile of the space sample was compared with that of the earth sample.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1997-07-01
著者
-
廣瀬 大介
静大電研
-
早川 泰弘
静大電研
-
岡野 泰則
静大工
-
平田 彰
早大理工
-
山口 十六夫
静岡大学
-
山口 十六夫
静大電研
-
清水 順
静大工
-
新船 幸二
早大理工
-
熊切 康雄
丸紅
-
和田 哲也
静大電研
-
今石 宣之
丸大機能研
-
Zhong X
IS
-
Xie X
LIP
-
Yuan B
CGWI
-
Wu F
CAST
-
H Liu
CAST
-
山口 十六夫
静岡大 電子工研
-
Okano Y
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
-
熊切 康雄
静岡大 電子工研
-
Zhong X
静岡大 電子工研
関連論文
- X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InSb(001)表面の研究
- 温度差法による任意組成の均一組成InGaSb結晶成長
- InGaSb結晶成長における重力効果と組成的過冷却の数値解析
- InSb融液中へのGaSb溶解に対する自然対流とマランゴニ対流効果
- 微小重力環境下と地上におけるInSb融液中へのGaSb溶解実験
- P-067 CARD-FISH法を用いたmRNAと16S rRNA特定配列のin situ同時検出(モニタリング,ポスター発表)
- スパッタ法によるa-GeC:H薄膜の微結晶化
- SF_6を用いた高周波スパッタ法によるa-SiCS:H:F薄膜特性への高周波電力の効果
- 硫化水素とメタンを用いたマグネトロンスパッタ法による a-SiCS : H 薄膜
- メタンとフッ化硫黄を用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiCS:H:F薄膜
- 二酸化炭素とメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製した a-SiC:O:H 薄膜の特性
- 三元系水素化アモルファス薄膜a-SiCO:Hの作成と特性
- スパッタ法によるアモルファスGeCO:H薄膜
- 反応性スパッタ法による酸素添加a-GeC : H薄膜
- Co-sputter法によるGe添加a-Si_xC_y:H薄膜の特性
- アンモニアとメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiC:N:H薄膜の特性
- 分光エリプソメトリによるa-SiN_x薄膜の光学的特性評価
- 分光エリプソメトリによるInAs陽極酸化層の光学的特性評価
- 高周波スパッタ法によるゲルマニウム-炭素系非晶質薄膜
- 27-C-03 柔らかい粒子としての細菌表面電気特性解析と細菌付着現象(界面・バイオフィルム,一般講演)
- 繊維状スラグを付着担体としたバイオリアクターによる低濃度ヒ素・セレン廃水処理に関する研究
- B-43 細菌の付着性と表面電気特性に及ぼす細胞外ポリマーの影響(界面・バイオフィルム/食品衛生1,口頭発表)
- B-15 核酸の種類の違いに着目したアンモニア酸化細菌の存在および活性の評価(水処理生態系1,口頭発表)
- スラグ繊維を付着担体とする硫酸還元バイオリアクターによる希薄廃水からの重金属回収
- 界面特性を利用した細菌細胞の付着脱着の制御
- 細菌細胞の界面動電現象 : 柔らかい粒子の電気泳動解析
- コロイド界面科学を応用した新規水処理バイオプロセスの創生
- スラグウールを用いたバクテリア分離法におけるイオン強度の影響
- 繊維状スラグを付着担体とした硫酸還元菌固定床リアクターを用いた希薄カドミウムの廃水処理
- B-04 硝化細菌の界面動電特性と固体表面への付着性の検討(活性、界面・バイオフィルム-1,口頭発表)
- エリプソメトリによる薄膜堆積初期過程の「その場」計測
- InAs組成変換基板上への高In組成比InGaAs成長 : エピキタシャル成長IV
- μg環境下におけるInGaSb結晶成長に関する研究 : (1)地上参照実験
- In-Ga-Sb融液の均一分散混合の地上実験 : 融液成長(一般)II
- 微小重力下でのInGaSb結晶成長の数値解析 : 基礎II
- 28a-BPS-9 LiNbO_3単結晶におけるラマン散乱II
- 25p-PS-18 LiNbO_3単結晶におけるラマン散乱
- 4ゾーン消光型分光エリプソメータの試作と応用
- サーメットの光吸収
- シリコン共鳴トンネル構造の作製と評価
- 半導体の光学特性のサイズ依存性(II) : SIMOXの上部Si層
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- 17aB06 ホットウォールエピタキシー法によるバッファ層上へのInAs_xSb_結晶成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 戻り光の誘導変調による複合干渉計型ファイバ-センサ-
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 分光エリプソメトリによるRFスパッタa-Sin薄膜の堆積過程モニタリング
- 非晶質材料のモデル誘電率関数
- マグネトロンスパッタ法によって作製したSi系水素化非晶質半導体薄膜の特性
- 複合ターゲット法によるGa添加a-SiC:H薄膜
- InAs基板上に成長させたGaInAsSbのキャリア移動度の評価法
- 高品質GaInAsSb/InAsの液相成長
- Co-sputter法によるAl及びIn添加a-SiC:H薄膜の作製と光学的特性
- μg下と1g下におけるInSb融液中へのGaSb溶解実験と数値解析 : 溶液成長
- 中国の回収衛星利用による多元系化合物半導体の溶解と成長
- 石英るつぼからシリコン融液に混入する酸素の動的挙動に関する数値解析 : バルク成長II
- 重力レベルのステップ変化を利用した薄膜温度センサによる微小重力場における液柱内マランゴニ対流の熱流束測定
- 金属微粒子物性の粒子サイズ依存
- 硫黄不活性化処理による室温動作InAsPSb/InAs中赤外光検出器の感度向上
- 多重減衰全反射分光測光に於けるパーソナルコンピュータの利用
- 金属膜成長初期過程の高感度測定法--薄膜光導波路の一応用法
- 金属微粒子二次元分散系の光学的性質
- 金属膜成長初期過程及び金属微粒子光物性の研究への多重減衰全反射分光法の応用
- 円環マグネットによるrfスパッタ特性の改善
- 透明膜の屈折率と膜厚が分離測定可能な偏光解析法
- オートコリメーション型エリプソメーターによるRFスパッタガラス薄膜の膜厚監視
- 343 FZ 法を用いた Si/Ge 結晶成長時の三次元マランゴニ対流現象に関する解析
- 424 3次元Floating zone内のマランゴニ対流に関する数値解析(OS01-1 電子デバイス実装・電子材料と計算力学(1))(OS01 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- F207 垂直温度勾配凝固法を用いたCdTe結晶作製実験とその数値解析(オーガナイズドセッション17 : 材料およびデバイス製造の熱工学)
- 室温動作高感度InAs/InAsPSb中赤外光検出器
- A5 大型In_xGa_Sb混晶成長に及ぼす超音波振動の効果(III)
- SiC表面分解法によるカーボンナノチューブの生成初期過程
- 1p-N-9 貴金属微粒子のd-バンドの粒径依存
- 微小重力下(IML-2実験)でのIn/GaSb/Sb混合と凝固
- 微小重力環境下(IML-2)におけるIn-GaSb-Sb融液混合実験
- 425 地上及び微小重力環境におけるCdZnTe結晶成長に関する数値解析(OS01-1 電子デバイス実装・電子材料と計算力学(1))(OS01 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- 640 VGF 法を用いた化合物半導体及び酸化物結晶成長時の融液内対流制御に関する数値解析
- Co-sputter法によるIn添加a-SiC : H薄膜の作製と諸特性
- テトラヘドラル系水素化アモルファス半導体薄膜光センサの分光感度特性
- CF4を用いた反応性スパッタリング法で作成したa-SixCyFz薄膜の性質
- 蒸着初期の銀微粒子の光吸収
- エリプソメトリとその応用
- NiとPd微粒子の光吸収 : 伝導電子間の強い相関相互作用
- ULSIプロセス用薄膜の分光エリプソメトリ : 遷移金属窒化物バリア層の光学的性質(電子部品・材料, 及び一般)
- 分光エリプソメトリによる表面・薄膜の解析
- 分光エリプソメトリによるエピタキシャルZnO層の光学的特性(ドーピング効果)
- 低誘電率(low-k)層間絶縁膜の光学特性
- 分光エリプソメトリによるエピタキシャルZnO層の光学的特性(ドーピング効果)
- 非晶質材料の経験的誘電関数と膜厚揺らぎモデル
- 分光エリプソメトリによるSi基板の温度と表面層厚さのその場計測
- 膜厚測定 (VLSIプロセスにおける検査(技術ノ-ト))
- 639 微小重力環境下での化合物半導体材料プロセッシングにおける諸移動現象の数値解析
- 638 化合物半導体融液内振動現象における対流の影響
- シリコンドロップ内の熱・物質移動現象 : 融液物性I
- 641 THM 化合物半導体結晶育成中における固液界面形状制御
- THM法による化合物半導体結晶成長における固液界面形状制御に関する数値解析 : バルク成長III
- 電子材料用バルク単結晶作製時の移動現象
- 化合物半導体単結晶作製時の融液内マランゴニ対流