スパッタ法によるa-GeC:H薄膜の微結晶化
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概要
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GeC:H films have been deposited by a reactive rf magnetron sputtering of Ge target in argon-methane and helium gas mixtures. The effect of helium partial pressure ratio R on the structural, optical and electrical properties of the films was investigated. The films shows the amorphous nature in the low R range up to 60%. With increasing R above 70%, the peak of X-ray diffraction appears, the bonding configuration concerning carbon bonds in IR spectra increases, the optical bandgap decreases, and the dark conductivity increases rapidly. It is found from these data that the microcrystallization of GeC:H films could be achieved by introducing hellium in the sputtering process.
- 日本真空協会の論文
- 2005-07-20
著者
-
岩田 弘
香川県産業技術センター
-
杉山 治
静岡県富士工業技術センター
-
斎藤 順雄
宮崎大学
-
岩田 弘
香川高等専門学校機械工学科
-
仲秋 勇
静岡県静岡工業技術センタ
-
仲秋 勇
静岡県富士工業技術センタ
-
山口 十六夫
静岡大学
-
齋藤 順雄
高松工業高等専門学校
-
杉山 治
静岡県静岡工業技術センタ
-
山口 十六夫
静岡大 電子工研
-
仲秋 勇
静岡県富士工技センタ
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