マグネトロンスパッタ法によるInN薄膜の作成と特性
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- ホットウォール蒸着法により作製したSrSe薄膜の構造
- 電着初期におけるセレンパッシベーション膜上のIn-Se粒成長
- スパッタ法によるEr添加カルコゲナイドガラス薄膜の作製と特性
- スパッタ法によるInN薄膜-水素添加の影響-
- マグネトロンスパッタ法によるInN薄膜の作成と特性
- ホットウォール法によるZnドープInSe薄膜の作製と評価
- 窒素導入マグネトロンスパッタa-SiC:H薄膜の特性 (第31回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- CH4を用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したアモルファスSiC;H薄膜の作製条件依存性
- マグネトロンスパッタ法によって作製したアモルファスSiC:Hの光学的,電気的特性
- a-SiC:H薄膜のXPSによる観察(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- プレ-ナマグネトロンスパッタ法によって作製したアモルファスSi1-xGex:Hの特性
- Heを導入したスパッタ法によるa-SiC:H薄膜の微結晶化
- スパッタ法によるNi-Cr複合酸化物薄膜の作製と特性
- スパッタ法によるa-GeC:H薄膜の微結晶化
- SF_6を用いた高周波スパッタ法によるa-SiCS:H:F薄膜特性への高周波電力の効果
- 硫化水素とメタンを用いたマグネトロンスパッタ法による a-SiCS : H 薄膜
- メタンとフッ化硫黄を用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiCS:H:F薄膜
- 二酸化炭素とメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製した a-SiC:O:H 薄膜の特性
- 三元系水素化アモルファス薄膜a-SiCO:Hの作成と特性
- スパッタ法によるアモルファスGeCO:H薄膜
- 基準振動による炭化ケイ素膜の構造解析
- 反応性スパッタ法による酸素添加a-GeC : H薄膜
- プラズマ化学気相成長法によるB(C,N)薄膜の機械的強度
- Co-sputter法によるGe添加a-Si_xC_y:H薄膜の特性
- プラズマ化学気相成長法による窒素添加a-SiGe:H膜
- Fabrication and Mechanical Properties of Boron-Carbon-Nitrogen Film by Chemical Vapour Deposition
- 高周波プラズマ反応蒸着によるGeSe_2 : H薄膜の電気・光学特性
- 高周波プラズマ活性化蒸着によるGeSe^2:H薄膜の電気・光学特性-高周波電力依存性-
- 高周波プラズマ活性化蒸着によるGeSe_2:H薄膜の電気・光学特性
- アンモニアとメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiC:N:H薄膜の特性
- 高周波スパッタ法によるゲルマニウム-炭素系非晶質薄膜
- 複合ターゲット法によるGa添加a-SiC:H薄膜
- サファイア基板上に成長させたZnO:Gaスパッタ膜の諸特性
- ZnOスパッタ膜の諸特性に及ぼすIIIa元素添加の効果
- InSe電着膜の成長 : 基板としての電極材料の影響
- rfマグネトロンスパッタリングによる酸化亜鉛薄膜の成膜速度
- 反応性スパッタリングによるZnO:Al透明導電膜の低温成長
- 金属ターゲットを用いたRF反応性スパッタリングによるAlドープZnO薄膜の作製
- 反応性RFスパッタ法によるZnO膜の構造に及ぼす基板バイアス効果(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 反応性RFスパッタリングによるZnO薄膜の結晶構造に及ぼす酸素分圧の効果
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の作成及びアニールの効果
- 複合ターゲット法によるTi-Fe系合金膜の製作とその電気抵抗特性
- チタン化合物固溶体膜の電気伝導機構その2 : Ti-N薄膜における負の抵抗温度係数
- Bloch-Gruneisen積分の多項式表現
- チタン化合物固溶体膜の電気伝導機構 : その1Ti-N
- チタニウム蒸着膜の電気特性におよぼす基板温度の影響
- 6a-KH-1 CdS-MnS混晶の光学,磁気特性III
- サマリー・アブストラクト
- ZnO : Al透明導電膜の経時変化
- 立方晶基板上のZnO薄膜のエピタキシー
- CH4を用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したアモルファスSiC : H薄膜の作製条件依存性
- ZnO : Alエピタキシャル薄膜の電気特性の膜厚依存性
- マグネトロン化のための簡易型ターゲットホルダーの試作
- 金属ターゲットを用いた反応性rfマグネトロンスパッタリングによるAlドープZnO薄膜の作製
- 反応性rfスパッタリングによるZnO : Al薄膜の真空中アニーリング
- 金属ターゲットを用いたRF反応性スパッタリングによるAlドープZnO薄膜の作製 II : 酸素混合比の影響
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の成長 (II)
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の成長 (I)
- 細線複合ターゲット法によるTi-Fe系合金膜の作製
- 反応性RFスパッタ法によるZnO膜の構造に及ぼす基板バイアス効果(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)