高周波プラズマ活性化蒸着によるGeSe^2:H薄膜の電気・光学特性-高周波電力依存性-
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概要
著者
-
斎藤 順雄
宮崎大学
-
辻村 瑛
徳島文理大工
-
吉岡 捷爾
香川大学
-
吉岡 捷爾
高松工業高等専門学校電気工学科
-
中村 茂昭
高松工業高等専門学校
-
斎藤 順雄
高松工業高等専門学校
-
仲秋 勇
静岡県静岡工業技術センタ
-
齋藤 順雄
高松工業高等専門学校
-
仲秋 勇
静岡県工業技術センター
-
辻村 瑛
徳島文理大学
-
中村 茂昭[他]
高松工専
-
吉岡 捷爾
高松工業高等専門学校
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- サマリー・アブストラクト
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- CH4を用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したアモルファスSiC : H薄膜の作製条件依存性
- 2p-PS-44 (Mg_Rx)Co_2のNMR
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