斎藤 順雄 | 宮崎大学
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
斎藤 順雄
宮崎大学
-
齋藤 順雄
高松工業高等専門学校
-
仲秋 勇
静岡県静岡工業技術センタ
-
吉岡 捷爾
香川大学
-
中村 茂昭
高松工業高等専門学校
-
中村 茂昭[他]
高松工専
-
山口 十六夫
静岡大学
-
山口 十六夫
静岡大 電子工研
-
岩田 弘
香川高等専門学校機械工学科
-
仲秋 勇
静岡県富士工業技術センタ
-
仲秋 勇
静岡県富士工技センタ
-
吉岡 捷爾
高松工業高等専門学校電気工学科
-
斎藤 順雄
高松工専
-
斎藤 順雄
高松工業高等専門学校
-
吉岡 捷爾
高松工業高等専門学校
-
中村 茂昭
高松工専
-
岩田 弘
香川県工技センタ
-
岩田 弘
香川県産業技術センター
-
杉山 治
静岡県富士工業技術センター
-
仲秋 勇
静岡県工業技術センター
-
杉山 治
静岡県静岡工業技術センタ
-
山口 十六夫
静大電子研
-
辻村 瑛
徳島文理大工
-
藤田 真宏
宮崎大学
-
伊ケ崎 泰宏
静大電子研
-
吉岡 捷爾
高松工専
-
辻村 瑛
徳島文理大学
-
前田 幸治
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
鈴木 佳子
静岡大学電子工学研究所
-
鈴木 佳子
静大
-
真野 敦
静岡県富士工業技術センタ
-
杉山 治
静岡県静岡工業技術センター
-
島岡 五朗
The University of New South Wales
-
今井 孝彦
宮崎大学
-
原田 正洋
静岡大学電子工学研究所
-
伊ヶ崎 泰宏
静岡大学電子工学研究所
-
斉藤 順雄
高松工専
-
岩田 弘
高松工専
-
岩田 弘
香川県産技センター
-
中村 茂明
高松工業高等専門学校
-
仲秋 勇
浜松技能開発専門校
-
後藤 智弘
静岡大学電子工学研究所
-
山口 十六夫
静岡大学電子工学研究所
-
斎藤 順雄
静岡大学電子工学研究所
-
前田 幸治
宮崎大学
-
乾 靖彦
静大電子研
-
仲秋 勇
静岡県工技センタ
-
乾 靖彦
静岡大学工学部
-
斎藤 順雄[他]
高松工業高等専門学校電気工学科
著作論文
- スパッタ法によるEr添加カルコゲナイドガラス薄膜の作製と特性
- スパッタ法によるInN薄膜-水素添加の影響-
- マグネトロンスパッタ法によるInN薄膜の作成と特性
- ホットウォール法によるZnドープInSe薄膜の作製と評価
- 窒素導入マグネトロンスパッタa-SiC:H薄膜の特性 (第31回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- CH4を用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したアモルファスSiC;H薄膜の作製条件依存性
- マグネトロンスパッタ法によって作製したアモルファスSiC:Hの光学的,電気的特性
- a-SiC:H薄膜のXPSによる観察(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- プレ-ナマグネトロンスパッタ法によって作製したアモルファスSi1-xGex:Hの特性
- Heを導入したスパッタ法によるa-SiC:H薄膜の微結晶化
- スパッタ法によるNi-Cr複合酸化物薄膜の作製と特性
- スパッタ法によるa-GeC:H薄膜の微結晶化
- SF_6を用いた高周波スパッタ法によるa-SiCS:H:F薄膜特性への高周波電力の効果
- 硫化水素とメタンを用いたマグネトロンスパッタ法による a-SiCS : H 薄膜
- メタンとフッ化硫黄を用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiCS:H:F薄膜
- 二酸化炭素とメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製した a-SiC:O:H 薄膜の特性
- 三元系水素化アモルファス薄膜a-SiCO:Hの作成と特性
- スパッタ法によるアモルファスGeCO:H薄膜
- 基準振動による炭化ケイ素膜の構造解析
- 反応性スパッタ法による酸素添加a-GeC : H薄膜
- プラズマ化学気相成長法によるB(C,N)薄膜の機械的強度
- Co-sputter法によるGe添加a-Si_xC_y:H薄膜の特性
- プラズマ化学気相成長法による窒素添加a-SiGe:H膜
- Fabrication and Mechanical Properties of Boron-Carbon-Nitrogen Film by Chemical Vapour Deposition
- 高周波プラズマ反応蒸着によるGeSe_2 : H薄膜の電気・光学特性
- 高周波プラズマ活性化蒸着によるGeSe^2:H薄膜の電気・光学特性-高周波電力依存性-
- 高周波プラズマ活性化蒸着によるGeSe_2:H薄膜の電気・光学特性
- アンモニアとメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiC:N:H薄膜の特性
- 複合ターゲット法によるGa添加a-SiC:H薄膜
- CH4を用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したアモルファスSiC : H薄膜の作製条件依存性