仲秋 勇 | 静岡県静岡工業技術センタ
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
仲秋 勇
静岡県静岡工業技術センタ
-
齋藤 順雄
高松工業高等専門学校
-
斎藤 順雄
宮崎大学
-
吉岡 捷爾
香川大学
-
中村 茂昭
高松工業高等専門学校
-
山口 十六夫
静岡大学
-
山口 十六夫
静岡大 電子工研
-
中村 茂昭[他]
高松工専
-
岩田 弘
香川高等専門学校機械工学科
-
仲秋 勇
静岡県富士工業技術センタ
-
仲秋 勇
静岡県富士工技センタ
-
仲秋 勇
静岡県工業技術センター
-
吉岡 捷爾
高松工業高等専門学校電気工学科
-
吉岡 捷爾
高松工業高等専門学校
-
斎藤 順雄
高松工専
-
斎藤 順雄
高松工業高等専門学校
-
中村 茂昭
高松工専
-
斎藤 順雄
静岡大学電子工学研究所
-
岩田 弘
香川県工技センタ
-
岩田 弘
香川県産業技術センター
-
杉山 治
静岡県富士工業技術センター
-
吉岡 捷爾
高松工専
-
田中 孝彦
静岡県工業技術センター
-
杉山 治
静岡県静岡工業技術センタ
-
乾 靖彦
静岡大学工学部
-
山口 十六夫
静大電子研
-
辻村 瑛
徳島文理大工
-
山口 十六夫
静岡大学電子工学研究所
-
辻村 瑛
徳島文理大学
-
吉田 和敏
(株) 小糸製作所
-
真野 敦
静岡県富士工業技術センタ
-
杉山 治
静岡県静岡工業技術センター
-
山田 武志
イビデン株式会社
-
藤田 真宏
宮崎大学
-
斉藤 順雄
高松工専
-
岩田 弘
高松工専
-
岩田 弘
香川県産技センター
-
中村 茂明
高松工業高等専門学校
-
仲秋 勇
浜松技能開発専門校
-
後藤 智弘
静岡大学電子工学研究所
-
中村 茂明
高松工専
-
乾 靖彦
静岡大学電子工学研究所
-
三宮 仁
シャープ株式会社中央研究所
-
乾 靖彦
静大電子研
-
仲秋 勇
静岡県工技センタ
-
齋藤 順雄
静岡大学電子工学研究所
-
田中 孝彦
静岡県静岡工業技術センター
-
吉田 和敏
(株)小糸製作所
著作論文
- Heを導入したスパッタ法によるa-SiC:H薄膜の微結晶化
- スパッタ法によるNi-Cr複合酸化物薄膜の作製と特性
- スパッタ法によるa-GeC:H薄膜の微結晶化
- SF_6を用いた高周波スパッタ法によるa-SiCS:H:F薄膜特性への高周波電力の効果
- 硫化水素とメタンを用いたマグネトロンスパッタ法による a-SiCS : H 薄膜
- メタンとフッ化硫黄を用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiCS:H:F薄膜
- 二酸化炭素とメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製した a-SiC:O:H 薄膜の特性
- 三元系水素化アモルファス薄膜a-SiCO:Hの作成と特性
- スパッタ法によるアモルファスGeCO:H薄膜
- 基準振動による炭化ケイ素膜の構造解析
- 反応性スパッタ法による酸素添加a-GeC : H薄膜
- プラズマ化学気相成長法によるB(C,N)薄膜の機械的強度
- Co-sputter法によるGe添加a-Si_xC_y:H薄膜の特性
- プラズマ化学気相成長法による窒素添加a-SiGe:H膜
- 高周波プラズマ活性化蒸着によるGeSe^2:H薄膜の電気・光学特性-高周波電力依存性-
- 高周波プラズマ活性化蒸着によるGeSe_2:H薄膜の電気・光学特性
- アンモニアとメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiC:N:H薄膜の特性
- 電子ビーム蒸着によるGeSe:Bi_x薄膜の電気・光学特性
- 高周波スパッタ法によるゲルマニウム-炭素系非晶質薄膜
- 窒素微量添加によるP-CVD a-SiC:H膜の光導電率の改善
- マグネトロンスパッタ法によって作製したSi系水素化非晶質半導体薄膜の特性
- 複合ターゲット法によるGa添加a-SiC:H薄膜
- プラズマ CVD 法により形成した a-SiCN:H 膜の電気的・光学的性質
- 導電率の温度係数が負を示すプラズマCVD a-SiC : H 膜形成への高周波電力の影響
- 反応性マグネトロンスパッタ法で作製したa-GeC : H薄膜の特性
- 導電率の温度係数が負となるa-SiC : H膜形成へのSiH4/CH4ガス流量比の影響
- プラズマCVD法 a-Si1-xCx : H膜の導電率のアニール特性
- プラズマCVD法により形成したa-SiC:H膜の基板温度依存性