プラズマCVD法により形成したa-SiC:H膜の基板温度依存性
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概要
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Substrate temperature dependence of a-SiC:H films prepared by r.f. glow discharge decomposition of a methanesilane gas mixture diluted with helium has been investigated. A phenomenon which shows a peak accompanying a negative temperature coefficient in the measurement of temperature dependence on dark d.c. conductivity has been observed. This phenomenon appears for the films prepared at low substrate temperatures (100°C), with high methane gas flow rate ratios (CH<SUB>4</SUB>/SiH<SUB>4</SUB>10/1) and with high r.f. powers (160W). The conductivity peak associated with the negative coefficient appears at about 170°C, which is independent of the deposition conditions. The hydrogen concentration in these films is found to be different from the estimated value. The correlation between the hydrogen concentration and optical properties of the films suggests that this phenomenon correlates with the film morphology. The results indicate that this phenomenon is related to the relaxation process of the films; the annealing attributed to the conductivity measurement is likely to relax the disorder caused by the deposition described above.
- 日本真空協会の論文
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