Co-sputter法によるB添加a-SiC:H薄膜の作製と光学的特性 (第30回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
スポンサーリンク
概要
著者
-
山口 十六夫
静岡大学電子工学研究所
-
斎藤 順雄
静岡大学電子工学研究所
-
冨岡 雄吾
静岡大学電子工学研究所
-
河村 和彦
新日本製鉄株式会社 エレクトロニクス研究所
-
河村 和彦
新日本製鉄株式会社エレクトロニクス研究所
関連論文
- アンモニアとメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiC:N:H薄膜の特性
- 高周波スパッタ法によるゲルマニウム-炭素系非晶質薄膜
- 窒素微量添加によるP-CVD a-SiC:H膜の光導電率の改善
- 高真空蒸着によるGe_1_-_xSe_x薄膜の作成と電気的光学的特性
- μg環境下におけるInGaSb結晶成長に関する研究 : (1)地上参照実験
- 微小重力下でのInGaSb結晶成長の数値解析 : 基礎II
- 4ゾーン消光型分光エリプソメータの試作と応用
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 分光エリプソメトリによるRFスパッタa-Sin薄膜の堆積過程モニタリング
- 金属微粒子物性の粒子サイズ依存
- 多重減衰全反射分光測光に於けるパーソナルコンピュータの利用
- 金属膜成長初期過程の高感度測定法--薄膜光導波路の一応用法
- 金属膜成長初期過程及び金属微粒子光物性の研究への多重減衰全反射分光法の応用
- RFスパッタガラス薄膜の膜厚監視
- 円環マグネットによるrfスパッタ特性の改善
- 透明膜の屈折率と膜厚が分離測定可能な偏光解析法
- オートコリメーション型エリプソメーターによるRFスパッタガラス薄膜の膜厚監視
- 1p-N-9 貴金属微粒子のd-バンドの粒径依存
- Co-sputter法によるIn添加a-SiC : H薄膜の作製と諸特性
- テトラヘドラル系水素化アモルファス半導体薄膜光センサの分光感度特性
- 蒸着初期の銀微粒子の光吸収
- NiとPd微粒子の光吸収 : 伝導電子間の強い相関相互作用
- ULSIプロセス用薄膜の分光エリプソメトリ : 遷移金属窒化物バリア層の光学的性質(電子部品・材料, 及び一般)
- 分光エリプソメトリによる表面・薄膜の解析
- 非晶質材料の経験的誘電関数と膜厚揺らぎモデル
- InAs基板上の液相エピタキシャルGa_1-xIn_xAs_1-ySb_y層の光学的性質
- サマリー・アブストラクト
- CF4を用いた反応性スパッタリング法で作成したa-SixCyFz薄膜の性質
- CH4を用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したアモルファスSiC : H薄膜の作製条件依存性
- 分光エリプソメトリにおける多変数解析の解の単一性
- 分光エリプソメトリ解析に有用な非晶資材料の経験的誘電率関数
- 分光エリプソメトリー解析に有用な非晶質材料の経験的誘電率関数とその応用
- SOI構造の光学的評価
- 負に帯電した石英ガラス基板上のa-Si1-xCx : H薄膜におけるXPSスペクトルのシフト
- 半導体の光学特性のサイズ依存性(I)Ge
- 金属微粒子分散系の光吸収と微粒子物性のサイズ依存
- RFスパッタガラス薄膜の膜厚監視
- 導電率の温度係数が負を示すプラズマCVD a-SiC : H 膜形成への高周波電力の影響
- 反応性マグネトロンスパッタ法で作製したa-GeC : H薄膜の特性
- プラズマCVD法 a-Si1-xCx : H膜の導電率のアニール特性
- プラズマCVD法により形成したa-SiC:H膜の基板温度依存性
- a-SiC:H薄膜のXPSによる観察(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 窒素導入マグネトロンスパッタa-SiC:H薄膜の特性 (第31回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- プレ-ナマグネトロンスパッタ法によって作製したアモルファスSi1-xGex:Hの特性
- Co-sputter法によるAl及びB添加a-SiC:H薄膜の電気的特性
- マグネトロンスパッタ法によって作製したアモルファスSiC:Hの光学的,電気的特性
- Co-sputter法によるa-SixCyAlz:H薄膜の作製と特性 (第29回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- Co-sputter法によるB添加a-SiC:H薄膜の作製と光学的特性 (第30回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)